Особенности усилительных свойств полевого транзистора в схеме с динамической нагрузкой
В полевом транзисторе с динамической нагрузкой в двухполюсном режиме включения, когда электрическое поле подается на переход сток-затвор (исток соединен к затвору) можно получить на два порядка больший коэффициент усиления в отличие от известной схемы с общим истоком. Чем ближе рабочая точка к режим...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Физическая инженерия поверхности |
|---|---|
| Datum: | 2015 |
| Hauptverfasser: | Каримов, А.В., Ёдгорова, Д.М., Каманов, Б.М., Джураев, Д.Р., Тураев, А.А. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2015
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/108637 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Особенности усилительных свойств полевого транзистора в схеме с динамической нагрузкой / А.В. Каримов, Д.М. Ёдгорова, Б.М. Каманов, Д.Р. Джураев, А.А. Тураев // Физическая инженерия поверхности. — 2015. — Т. 13, № 1. — С. 12-16. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineÄhnliche Einträge
Функциональные характеристики полевого транзистора с управляющим р-n-переходом при различных режимах включения
von: Абдулхаев, О.А., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Абдулхаев, О.А., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Исследование эффекта насыщения тока стока полевого транзистора с последовательно соединенными каналами
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Механизм насыщения тока стока полевого транзистора с р–n-переходом
von: Ёдгорова, Д.М.
Veröffentlicht: (2006)
von: Ёдгорова, Д.М.
Veröffentlicht: (2006)
Исследование зависимости выходных характеристик полевого транзистора от параметров управляющего перехода
von: Ёдгорова, Д.М.
Veröffentlicht: (2005)
von: Ёдгорова, Д.М.
Veröffentlicht: (2005)
Механизм управления фоточувствительностью полевого фототранзистора
von: Ёдгорова, Д.М.
Veröffentlicht: (2006)
von: Ёдгорова, Д.М.
Veröffentlicht: (2006)
Механизм насыщения тока стока полевого транзистора с р–n-переходом
von: Yodgorova, D. M.
Veröffentlicht: (2006)
von: Yodgorova, D. M.
Veröffentlicht: (2006)
Некоторые особенности ограничителя тока на полевом транзисторе
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Модель алмазного транзистора
von: Алтухов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Алтухов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Когнитивная фразеология: опыт полевого анализа
von: Эмирова, А.М.
Veröffentlicht: (2002)
von: Эмирова, А.М.
Veröffentlicht: (2002)
Ионный инжектор полевого типа
von: Возный, В.И., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Возный, В.И., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Модель алмазного транзистора
von: Altukhov, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Altukhov, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Механизм управления фоточувствительностью полевого фототранзистора
von: Yodgorova, D. М.
Veröffentlicht: (2006)
von: Yodgorova, D. М.
Veröffentlicht: (2006)
Фототранзистор составной на полевых транзисторах
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Модификация барьерной структуры на основе pAlGaInAs–nGaAs последовательно соединенными потенциальными барьерами
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Определение характеристик двухбарьерных фотодиодных структур с металлополупроводниковыми переходами
von: Ёдгорова, Д.М., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Ёдгорова, Д.М., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Принципы полнофакторного численно-полевого анализа режима нагрузки турбогенератора
von: Милых, В.И., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Милых, В.И., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Полевая ионная микроскопия сплавов в условиях стимулированного полевого испарения
von: Ксенофонтов, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2006)
von: Ксенофонтов, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2006)
Исследование процессов модуляции базовой области кремниевой p⁺р-n⁺-структуры
von: Ёдгорова, Д.М., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Ёдгорова, Д.М., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Оптимизация изготовления высоковольтного горизонтального р-канального МОП-транзистора
von: Леонов, Н.И., et al.
Veröffentlicht: (2006)
von: Леонов, Н.И., et al.
Veröffentlicht: (2006)
Малосигнальная модель транзистора в разработке СВЧ малошумящих усилителей
von: Емцев, П.А.
Veröffentlicht: (2004)
von: Емцев, П.А.
Veröffentlicht: (2004)
Очаг землетрясения как возбудимая среда: последовательная аксиоматика скалярного полевого описания
von: Костинский, А.С.
Veröffentlicht: (2014)
von: Костинский, А.С.
Veröffentlicht: (2014)
Использование КНИ-транзистора в качестве генератора колебаний напряжения
von: Нинидзе, Г.К., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Нинидзе, Г.К., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Оптимизация изготовления высоковольтного горизонтального р-канального МОП-транзистора
von: Leonov, N. I., et al.
Veröffentlicht: (2006)
von: Leonov, N. I., et al.
Veröffentlicht: (2006)
Малосигнальная модель транзистора в разработке СВЧ малошумящих усилителей
von: Yemtsev, P. A.
Veröffentlicht: (2004)
von: Yemtsev, P. A.
Veröffentlicht: (2004)
Использование КНИ-транзистора в качестве генератора колебаний напряжения
von: Ninidze, G. K., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Ninidze, G. K., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Трехбарьерные фотодиоды на основе соединений арсенида галлия для оптических систем связи
von: Ёдгорова, Д.М., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Ёдгорова, Д.М., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Явление памяти в двухбарьерной n⁺⁺pnn⁺-структуре
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Физические явления в тонкобазовых транзисторных структурах
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2015)
Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Корреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоев и технологии их выращивания
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2009)
ЧИСЛЕННОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫХ ПРОЦЕССОВ В СХЕМЕ МАГНИТНОГО ГЕНЕРАТОРА ИМПУЛЬСОВ
von: Христо , А.И., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Христо , А.И., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Численное моделирование электромагнитных процессов в схеме магнитного генератора импульсов
von: Христо, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Христо, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Об одной разностной схеме с несамосопряженным оператором
von: Гладкий, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2017)
von: Гладкий, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2017)
Многофункциональный сварочный инвертор, выполненный по двухмодульной схеме
von: Коротынский, А.Е.
Veröffentlicht: (2003)
von: Коротынский, А.Е.
Veröffentlicht: (2003)
Безындуктивные генераторы хаотических колебаний по схеме Чуа
von: Элияшив, О.М.
Veröffentlicht: (2012)
von: Элияшив, О.М.
Veröffentlicht: (2012)
Статистический анализ и оптимизация параметров технологии изготовления биполярного транзистора с изолированным затвором
von: Баранов, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: Баранов, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2015)
Эволюция системы обслуживания в схеме диффузионной аппроксимации
von: Мамонова, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Мамонова, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2009)
ПОВЫШЕНИЕ ЭЛЕКТРОМАГНИТНОЙ СОВМЕСТИМОСТИ ЧАСТОТНО-ТОКОВЫХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ С НАГРУЗКОЙ
von: Скурятин, Ю.В., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Скурятин, Ю.В., et al.
Veröffentlicht: (2012)
ПЕРЕХОДНЫЕ ПРОЦЕССЫ В RLC-ЦЕПЯХ С ПАРАМЕТРИЧЕСКОЙ НАГРУЗКОЙ
von: Шидловская, Н.А., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Шидловская, Н.А., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Переходные процессы в RLC-цепях с параметрической нагрузкой
von: Шидловская, Н.А., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Шидловская, Н.А., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Ähnliche Einträge
-
Функциональные характеристики полевого транзистора с управляющим р-n-переходом при различных режимах включения
von: Абдулхаев, О.А., et al.
Veröffentlicht: (2012) -
Исследование эффекта насыщения тока стока полевого транзистора с последовательно соединенными каналами
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2012) -
Механизм насыщения тока стока полевого транзистора с р–n-переходом
von: Ёдгорова, Д.М.
Veröffentlicht: (2006) -
Исследование зависимости выходных характеристик полевого транзистора от параметров управляющего перехода
von: Ёдгорова, Д.М.
Veröffentlicht: (2005) -
Механизм управления фоточувствительностью полевого фототранзистора
von: Ёдгорова, Д.М.
Veröffentlicht: (2006)