Особенности усилительных свойств полевого транзистора в схеме с динамической нагрузкой
В полевом транзисторе с динамической нагрузкой в двухполюсном режиме включения, когда электрическое поле подается на переход сток-затвор (исток соединен к затвору) можно получить на два порядка больший коэффициент усиления в отличие от известной схемы с общим истоком. Чем ближе рабочая точка к режим...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Физическая инженерия поверхности |
|---|---|
| Дата: | 2015 |
| Автори: | Каримов, А.В., Ёдгорова, Д.М., Каманов, Б.М., Джураев, Д.Р., Тураев, А.А. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2015
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/108637 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Особенности усилительных свойств полевого транзистора в схеме с динамической нагрузкой / А.В. Каримов, Д.М. Ёдгорова, Б.М. Каманов, Д.Р. Джураев, А.А. Тураев // Физическая инженерия поверхности. — 2015. — Т. 13, № 1. — С. 12-16. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
Функциональные характеристики полевого транзистора с управляющим р-n-переходом при различных режимах включения
за авторством: Абдулхаев, О.А., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Абдулхаев, О.А., та інші
Опубліковано: (2012)
Исследование эффекта насыщения тока стока полевого транзистора с последовательно соединенными каналами
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2012)
Механизм насыщения тока стока полевого транзистора с р–n-переходом
за авторством: Ёдгорова, Д.М.
Опубліковано: (2006)
за авторством: Ёдгорова, Д.М.
Опубліковано: (2006)
Исследование зависимости выходных характеристик полевого транзистора от параметров управляющего перехода
за авторством: Ёдгорова, Д.М.
Опубліковано: (2005)
за авторством: Ёдгорова, Д.М.
Опубліковано: (2005)
Механизм управления фоточувствительностью полевого фототранзистора
за авторством: Ёдгорова, Д.М.
Опубліковано: (2006)
за авторством: Ёдгорова, Д.М.
Опубліковано: (2006)
Механизм насыщения тока стока полевого транзистора с р–n-переходом
за авторством: Yodgorova, D. M.
Опубліковано: (2006)
за авторством: Yodgorova, D. M.
Опубліковано: (2006)
Некоторые особенности ограничителя тока на полевом транзисторе
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2011)
Модель алмазного транзистора
за авторством: Алтухов, А.А., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Алтухов, А.А., та інші
Опубліковано: (2011)
Когнитивная фразеология: опыт полевого анализа
за авторством: Эмирова, А.М.
Опубліковано: (2002)
за авторством: Эмирова, А.М.
Опубліковано: (2002)
Ионный инжектор полевого типа
за авторством: Возный, В.И., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Возный, В.И., та інші
Опубліковано: (2010)
Модель алмазного транзистора
за авторством: Altukhov, A. A., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Altukhov, A. A., та інші
Опубліковано: (2011)
Механизм управления фоточувствительностью полевого фототранзистора
за авторством: Yodgorova, D. М.
Опубліковано: (2006)
за авторством: Yodgorova, D. М.
Опубліковано: (2006)
Фототранзистор составной на полевых транзисторах
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2012)
Модификация барьерной структуры на основе pAlGaInAs–nGaAs последовательно соединенными потенциальными барьерами
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2009)
Определение характеристик двухбарьерных фотодиодных структур с металлополупроводниковыми переходами
за авторством: Ёдгорова, Д.М., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Ёдгорова, Д.М., та інші
Опубліковано: (2005)
Принципы полнофакторного численно-полевого анализа режима нагрузки турбогенератора
за авторством: Милых, В.И., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Милых, В.И., та інші
Опубліковано: (2009)
Полевая ионная микроскопия сплавов в условиях стимулированного полевого испарения
за авторством: Ксенофонтов, В.А., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Ксенофонтов, В.А., та інші
Опубліковано: (2006)
Исследование процессов модуляции базовой области кремниевой p⁺р-n⁺-структуры
за авторством: Ёдгорова, Д.М., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Ёдгорова, Д.М., та інші
Опубліковано: (2013)
Оптимизация изготовления высоковольтного горизонтального р-канального МОП-транзистора
за авторством: Леонов, Н.И., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Леонов, Н.И., та інші
Опубліковано: (2006)
Малосигнальная модель транзистора в разработке СВЧ малошумящих усилителей
за авторством: Емцев, П.А.
Опубліковано: (2004)
за авторством: Емцев, П.А.
Опубліковано: (2004)
Очаг землетрясения как возбудимая среда: последовательная аксиоматика скалярного полевого описания
за авторством: Костинский, А.С.
Опубліковано: (2014)
за авторством: Костинский, А.С.
Опубліковано: (2014)
Использование КНИ-транзистора в качестве генератора колебаний напряжения
за авторством: Нинидзе, Г.К., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Нинидзе, Г.К., та інші
Опубліковано: (2005)
Оптимизация изготовления высоковольтного горизонтального р-канального МОП-транзистора
за авторством: Leonov, N. I., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Leonov, N. I., та інші
Опубліковано: (2006)
Малосигнальная модель транзистора в разработке СВЧ малошумящих усилителей
за авторством: Yemtsev, P. A.
Опубліковано: (2004)
за авторством: Yemtsev, P. A.
Опубліковано: (2004)
Использование КНИ-транзистора в качестве генератора колебаний напряжения
за авторством: Ninidze, G. K., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Ninidze, G. K., та інші
Опубліковано: (2005)
Трехбарьерные фотодиоды на основе соединений арсенида галлия для оптических систем связи
за авторством: Ёдгорова, Д.М., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Ёдгорова, Д.М., та інші
Опубліковано: (2009)
Явление памяти в двухбарьерной n⁺⁺pnn⁺-структуре
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2014)
Физические явления в тонкобазовых транзисторных структурах
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2015)
Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2009)
Корреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоев и технологии их выращивания
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2009)
ЧИСЛЕННОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫХ ПРОЦЕССОВ В СХЕМЕ МАГНИТНОГО ГЕНЕРАТОРА ИМПУЛЬСОВ
за авторством: Христо , А.И., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Христо , А.И., та інші
Опубліковано: (2014)
Численное моделирование электромагнитных процессов в схеме магнитного генератора импульсов
за авторством: Христо, А.И., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Христо, А.И., та інші
Опубліковано: (2014)
ЧИСЛЕННОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫХ ПРОЦЕССОВ В СХЕМЕ МАГНИТНОГО ГЕНЕРАТОРА ИМПУЛЬСОВ
за авторством: Христо , А.И., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Христо , А.И., та інші
Опубліковано: (2014)
Об одной разностной схеме с несамосопряженным оператором
за авторством: Гладкий, А.В., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Гладкий, А.В., та інші
Опубліковано: (2017)
Многофункциональный сварочный инвертор, выполненный по двухмодульной схеме
за авторством: Коротынский, А.Е.
Опубліковано: (2003)
за авторством: Коротынский, А.Е.
Опубліковано: (2003)
Статистический анализ и оптимизация параметров технологии изготовления биполярного транзистора с изолированным затвором
за авторством: Баранов, В.В., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Баранов, В.В., та інші
Опубліковано: (2015)
Безындуктивные генераторы хаотических колебаний по схеме Чуа
за авторством: Элияшив, О.М.
Опубліковано: (2012)
за авторством: Элияшив, О.М.
Опубліковано: (2012)
Эволюция системы обслуживания в схеме диффузионной аппроксимации
за авторством: Мамонова, А.В., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Мамонова, А.В., та інші
Опубліковано: (2009)
Уменьшение числа LUT-элементов в схеме автомата Мура
за авторством: Баркалов, А.А., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Баркалов, А.А., та інші
Опубліковано: (2013)
Особенности размножения воробья полевого (Passer montanus L.) в фруктовых насаждениях Среднего Приднепровья
за авторством: Коваль, Н.Ф.
Опубліковано: (1972)
за авторством: Коваль, Н.Ф.
Опубліковано: (1972)
Схожі ресурси
-
Функциональные характеристики полевого транзистора с управляющим р-n-переходом при различных режимах включения
за авторством: Абдулхаев, О.А., та інші
Опубліковано: (2012) -
Исследование эффекта насыщения тока стока полевого транзистора с последовательно соединенными каналами
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2012) -
Механизм насыщения тока стока полевого транзистора с р–n-переходом
за авторством: Ёдгорова, Д.М.
Опубліковано: (2006) -
Исследование зависимости выходных характеристик полевого транзистора от параметров управляющего перехода
за авторством: Ёдгорова, Д.М.
Опубліковано: (2005) -
Механизм управления фоточувствительностью полевого фототранзистора
за авторством: Ёдгорова, Д.М.
Опубліковано: (2006)