Технология получения и исследование гетероструктурных солнечных элементов на основе n-Cds/p-CdTe

• Veröffentlicht in: Физическая инженерия поверхности
• Datum: 2015
• ISSN: 1999-8074
• Hauptverfasser: Каримов, Ш.Б., Каримов, Б.Х.
• Format: Artikel
• Sprache: Russisch
• Veröffentlicht: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2015
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/108643
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Технология получения и исследование гетероструктурных солнечных элементов на основе n-Cds/p-CdTe / Ш.Б. Каримов, Б.Х. Каримов // Физическая инженерия поверхности. — 2015. — Т. 13, № 1. — С. 57-60. — Бібліогр.: 5 назв. — рос.

Разработана технология получения гетероструктурных солнечных элементов графен /CdS/CdTe/CdCl₂/Sb₂Te₃/Мо сформированных на стеклянных подложках и полиамидных плёнках. Исследуется, световые вольтамперные характеристики и определяются выходные параметры солнечных элементов. Розроблено технологію одержання гетероструктурних сонячних елементів графен/CdS/CdTe/CdCl₂/Sb₂Te₃/Мо, сформованих на скляних підкладинках і поліамідних плівках. Дослід-жуються, світлові вольт-амперні характеристики і визначаються вихідні параметри сонячних елементів. The technology of reception of graphene/CdS/CdTe/CdCl₂/Sb₂Te₃/Мо thin film solar cells on the glass substrates and polyamide film were developed. It is investigated the voltage-current characteristics of the solar cells is investigated and the output parameters of the solar cells is defined.