Механизм усиления фототока в инжекционных фотодиодах на основе фоточувствительной поликристаллической пленки CdS
Создана структура n⁺CdS-nCdS-nSi, чувствительная к малым световым сигналам. Такая структура при освещении лазерным лучом с λ = 0,625 μm и мощностью P = 10 μW/cm² при комнатной температуре имеет спектральную чувствительность S ≈ 4700 A/W при напряжении смещения V = 40V в прямой ветви ВАХ. А при облуч...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Физическая инженерия поверхности |
|---|---|
| Datum: | 2015 |
| Hauptverfasser: | , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2015
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/108709 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Механизм усиления фототока в инжекционных фотодиодах на основе фоточувствительной поликристаллической пленки CdS / И.Б. Сапаев, Ш.А. Мирсагатов, Б. Сапаев, Р.Р. Кабулов // Физическая инженерия поверхности. — 2015. — Т. 13, № 2. — С. 129-135. — Бібліогр.: 14 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862655116900827136 |
|---|---|
| author | Сапаев, И.Б. Мирсагатов, Ш.А. Сапаев, Б. Кабулов, Р.Р. |
| author_facet | Сапаев, И.Б. Мирсагатов, Ш.А. Сапаев, Б. Кабулов, Р.Р. |
| citation_txt | Механизм усиления фототока в инжекционных фотодиодах на основе фоточувствительной поликристаллической пленки CdS / И.Б. Сапаев, Ш.А. Мирсагатов, Б. Сапаев, Р.Р. Кабулов // Физическая инженерия поверхности. — 2015. — Т. 13, № 2. — С. 129-135. — Бібліогр.: 14 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Физическая инженерия поверхности |
| description | Создана структура n⁺CdS-nCdS-nSi, чувствительная к малым световым сигналам. Такая структура при освещении лазерным лучом с λ = 0,625 μm и мощностью P = 10 μW/cm² при комнатной температуре имеет спектральную чувствительность S ≈ 4700 A/W при напряжении смещения V = 40V в прямой ветви ВАХ. А при облучении белым светом мощностью P = 2,7•10⁻² μW структура имеет интегральную чувствительность Sint ≈ 110 A/ lux (1,2•10⁴ A/W) при том же напряжении смещения и температуре. Прямая ветвь ВАХ такой структуры описывается степенными зависимостями I ~ V² и I ~ V³, которые реализуются в длинных диодах (d/L ≥ 10, где d — толщина базы, L — длина диффузии неосновных носителей), и где протекающие токи определяются биполярным дрейфом носителей заряда. Показано, что усиление первичного фототока обусловлено модуляцией биполярной дрейфовой подвижности при облучении «примесным» светом малой мощности.
Створена структура n⁺CdSe-CdS-nSi, чутлива до малих світлових сигналів. Така структура при освітленні лазерним променем з λ = 0,625 μm і потужністю P = 10 μW/cm² за кімнатної температури має спектральну чутливість S ≈ 4700 A/W при напрузі зсуву V = 40V у прямій гілці ВАХ. При опроміненні білим світлом потужністю P = 2,7•10⁻² μW структура має інтегральну чутливість Sint ≈ 110 A/lux (1,2•10⁴ A/W) за умов тієї ж напруги зсуву та температури. Пряма гілка ВАХ такої структури описується ступеневими залежностями I ~ V² і I ~ V³, які реалізуються в довгих діодах (d/L ≥ 10, де d — товщина бази, L — довжина дифузії неосновних носіїв) і де струми визначаються біполярним дрейфом носіїв заряду. Доведено, що посилення первинного фотоструму обумовлене з модуляцією біполярної дрейфової рухливості при опроміненні «домішковим» світлом малої потужності.
It is created n⁺CdS-nCdS-nSi-structure sensitive to small light signals. Such structure has spectral sensitivity S ≈ 4700 A/W at illumination by laser beam with λ = 0,625 μm and power P = 10 μW/cm² at room temperature and voltage bias V = 40V in the direct branch of current-voltage characteristic. At irradiation by white light with power P = 2,7•10⁻² μW the structure has integrated sensitivity Sint ≈ 110 A/lux (1,2•10⁴ A/W) at the same voltage and temperature. The direct branch of current voltage characteristic of such structure is described by sedate dependences I ~ V² and I ~ V³ which are realised in long diodes (d/L ≥ 10, where d — thickness of the base, L — diffusion length of nonbasic carriers) where currents are defined by bipolar drift of carriers. It is shown, that amplification of the primary photocurrent is caused by modulation of bipolar drift mobility at irradiation by «ipurity» light with low power by such technological parameters as deposition time, substrate temperature and ratio of the sulfur and cadmium ions in the initial solution.
|
| first_indexed | 2025-12-02T02:11:34Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-108709 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1999-8074 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-02T02:11:34Z |
| publishDate | 2015 |
| publisher | Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Сапаев, И.Б. Мирсагатов, Ш.А. Сапаев, Б. Кабулов, Р.Р. 2016-11-14T17:33:15Z 2016-11-14T17:33:15Z 2015 Механизм усиления фототока в инжекционных фотодиодах на основе фоточувствительной поликристаллической пленки CdS / И.Б. Сапаев, Ш.А. Мирсагатов, Б. Сапаев, Р.Р. Кабулов // Физическая инженерия поверхности. — 2015. — Т. 13, № 2. — С. 129-135. — Бібліогр.: 14 назв. — рос. 1999-8074 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/108709 53.043;53.023;539.234 Создана структура n⁺CdS-nCdS-nSi, чувствительная к малым световым сигналам. Такая структура при освещении лазерным лучом с λ = 0,625 μm и мощностью P = 10 μW/cm² при комнатной температуре имеет спектральную чувствительность S ≈ 4700 A/W при напряжении смещения V = 40V в прямой ветви ВАХ. А при облучении белым светом мощностью P = 2,7•10⁻² μW структура имеет интегральную чувствительность Sint ≈ 110 A/ lux (1,2•10⁴ A/W) при том же напряжении смещения и температуре. Прямая ветвь ВАХ такой структуры описывается степенными зависимостями I ~ V² и I ~ V³, которые реализуются в длинных диодах (d/L ≥ 10, где d — толщина базы, L — длина диффузии неосновных носителей), и где протекающие токи определяются биполярным дрейфом носителей заряда. Показано, что усиление первичного фототока обусловлено модуляцией биполярной дрейфовой подвижности при облучении «примесным» светом малой мощности. Створена структура n⁺CdSe-CdS-nSi, чутлива до малих світлових сигналів. Така структура при освітленні лазерним променем з λ = 0,625 μm і потужністю P = 10 μW/cm² за кімнатної температури має спектральну чутливість S ≈ 4700 A/W при напрузі зсуву V = 40V у прямій гілці ВАХ. При опроміненні білим світлом потужністю P = 2,7•10⁻² μW структура має інтегральну чутливість Sint ≈ 110 A/lux (1,2•10⁴ A/W) за умов тієї ж напруги зсуву та температури. Пряма гілка ВАХ такої структури описується ступеневими залежностями I ~ V² і I ~ V³, які реалізуються в довгих діодах (d/L ≥ 10, де d — товщина бази, L — довжина дифузії неосновних носіїв) і де струми визначаються біполярним дрейфом носіїв заряду. Доведено, що посилення первинного фотоструму обумовлене з модуляцією біполярної дрейфової рухливості при опроміненні «домішковим» світлом малої потужності. It is created n⁺CdS-nCdS-nSi-structure sensitive to small light signals. Such structure has spectral sensitivity S ≈ 4700 A/W at illumination by laser beam with λ = 0,625 μm and power P = 10 μW/cm² at room temperature and voltage bias V = 40V in the direct branch of current-voltage characteristic. At irradiation by white light with power P = 2,7•10⁻² μW the structure has integrated sensitivity Sint ≈ 110 A/lux (1,2•10⁴ A/W) at the same voltage and temperature. The direct branch of current voltage characteristic of such structure is described by sedate dependences I ~ V² and I ~ V³ which are realised in long diodes (d/L ≥ 10, where d — thickness of the base, L — diffusion length of nonbasic carriers) where currents are defined by bipolar drift of carriers. It is shown, that amplification of the primary photocurrent is caused by modulation of bipolar drift mobility at irradiation by «ipurity» light with low power by such technological parameters as deposition time, substrate temperature and ratio of the sulfur and cadmium ions in the initial solution. ru Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України Физическая инженерия поверхности Механизм усиления фототока в инжекционных фотодиодах на основе фоточувствительной поликристаллической пленки CdS Механізм посилення фотоструму в інжекційних фотодіодах на основі фоточутливої полікристалічної плівки CdS The mechanism of amplification of photocurrent in injection photo diodes on the basis of photosensitive polycrystalline film CdS Article published earlier |
| spellingShingle | Механизм усиления фототока в инжекционных фотодиодах на основе фоточувствительной поликристаллической пленки CdS Сапаев, И.Б. Мирсагатов, Ш.А. Сапаев, Б. Кабулов, Р.Р. |
| title | Механизм усиления фототока в инжекционных фотодиодах на основе фоточувствительной поликристаллической пленки CdS |
| title_alt | Механізм посилення фотоструму в інжекційних фотодіодах на основі фоточутливої полікристалічної плівки CdS The mechanism of amplification of photocurrent in injection photo diodes on the basis of photosensitive polycrystalline film CdS |
| title_full | Механизм усиления фототока в инжекционных фотодиодах на основе фоточувствительной поликристаллической пленки CdS |
| title_fullStr | Механизм усиления фототока в инжекционных фотодиодах на основе фоточувствительной поликристаллической пленки CdS |
| title_full_unstemmed | Механизм усиления фототока в инжекционных фотодиодах на основе фоточувствительной поликристаллической пленки CdS |
| title_short | Механизм усиления фототока в инжекционных фотодиодах на основе фоточувствительной поликристаллической пленки CdS |
| title_sort | механизм усиления фототока в инжекционных фотодиодах на основе фоточувствительной поликристаллической пленки cds |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/108709 |
| work_keys_str_mv | AT sapaevib mehanizmusileniâfototokavinžekcionnyhfotodiodahnaosnovefotočuvstvitelʹnoipolikristalličeskoiplenkicds AT mirsagatovša mehanizmusileniâfototokavinžekcionnyhfotodiodahnaosnovefotočuvstvitelʹnoipolikristalličeskoiplenkicds AT sapaevb mehanizmusileniâfototokavinžekcionnyhfotodiodahnaosnovefotočuvstvitelʹnoipolikristalličeskoiplenkicds AT kabulovrr mehanizmusileniâfototokavinžekcionnyhfotodiodahnaosnovefotočuvstvitelʹnoipolikristalličeskoiplenkicds AT sapaevib mehanízmposilennâfotostrumuvínžekcíinihfotodíodahnaosnovífotočutlivoípolíkristalíčnoíplívkicds AT mirsagatovša mehanízmposilennâfotostrumuvínžekcíinihfotodíodahnaosnovífotočutlivoípolíkristalíčnoíplívkicds AT sapaevb mehanízmposilennâfotostrumuvínžekcíinihfotodíodahnaosnovífotočutlivoípolíkristalíčnoíplívkicds AT kabulovrr mehanízmposilennâfotostrumuvínžekcíinihfotodíodahnaosnovífotočutlivoípolíkristalíčnoíplívkicds AT sapaevib themechanismofamplificationofphotocurrentininjectionphotodiodesonthebasisofphotosensitivepolycrystallinefilmcds AT mirsagatovša themechanismofamplificationofphotocurrentininjectionphotodiodesonthebasisofphotosensitivepolycrystallinefilmcds AT sapaevb themechanismofamplificationofphotocurrentininjectionphotodiodesonthebasisofphotosensitivepolycrystallinefilmcds AT kabulovrr themechanismofamplificationofphotocurrentininjectionphotodiodesonthebasisofphotosensitivepolycrystallinefilmcds |