Фотоэлектрические явления в сверхтонком (3-20 мкм) зазоре газового разряда с полупроводниковым электродом

• Опубліковано в: : Физическая инженерия поверхности
• Дата: 2015
• Автори: Хайдаров, З., Юлдашев, Х.Т., Хайдаров, Б.З., Урмонов, С.
• Формат: Стаття
• Мова: Російська
• Опубліковано: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2015
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/108710
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Фотоэлектрические явления в сверхтонком (3-20 мкм) зазоре газового разряда с полупроводниковым электродом / З. Хайдаров, Х.Т. Юлдашев, Б.З. Хайдаров, С. Урмонов // Физическая инженерия поверхности. — 2015. — Т. 13, № 2. — С. 136-140. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.

В данной работе приводятся результаты экспериментальных исследований изучения физических процессов в чрезмерно тонкой (3–20 мкм) газоразрядной ячейке с полупроводниковым электродом. Экспериментально подтверждается, что основной механизм формирования изображения в полупроводниковой ионизационной камере является автоэлектронная эмиссия. У даній роботі наводяться результати експериментальних досліджень фізичних процесів у надмірно тонкою (3–20 мкм) газорозрядної осередку з напівпровідниковим електродом. Експериментально підтверджується, що основним механізмом формування зображення в напівпровідниковій іонізаційній камері є автоелектронна емісія. The results of experimental researches of the physical processes in excessively thin gas-discharged cell with semiconductor electrode are given in this work. It is confirmed that the main mechanism of the formation of the image in semiconductor ionization camera is auto electron emission.