Фотоэлектрические явления в сверхтонком (3-20 мкм) зазоре газового разряда с полупроводниковым электродом
В данной работе приводятся результаты экспериментальных исследований изучения физических процессов в чрезмерно тонкой (3–20 мкм) газоразрядной ячейке с полупроводниковым электродом. Экспериментально подтверждается, что основной механизм формирования изображения в полупроводниковой ионизационной каме...
Saved in:
| Published in: | Физическая инженерия поверхности |
|---|---|
| Date: | 2015 |
| Main Authors: | , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2015
|
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/108710 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Фотоэлектрические явления в сверхтонком (3-20 мкм) зазоре газового разряда с полупроводниковым электродом / З. Хайдаров, Х.Т. Юлдашев, Б.З. Хайдаров, С. Урмонов // Физическая инженерия поверхности. — 2015. — Т. 13, № 2. — С. 136-140. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862548524655181824 |
|---|---|
| author | Хайдаров, З. Юлдашев, Х.Т. Хайдаров, Б.З. Урмонов, С. |
| author_facet | Хайдаров, З. Юлдашев, Х.Т. Хайдаров, Б.З. Урмонов, С. |
| citation_txt | Фотоэлектрические явления в сверхтонком (3-20 мкм) зазоре газового разряда с полупроводниковым электродом / З. Хайдаров, Х.Т. Юлдашев, Б.З. Хайдаров, С. Урмонов // Физическая инженерия поверхности. — 2015. — Т. 13, № 2. — С. 136-140. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Физическая инженерия поверхности |
| description | В данной работе приводятся результаты экспериментальных исследований изучения физических процессов в чрезмерно тонкой (3–20 мкм) газоразрядной ячейке с полупроводниковым электродом. Экспериментально подтверждается, что основной механизм формирования изображения в полупроводниковой ионизационной камере является автоэлектронная эмиссия.
У даній роботі наводяться результати експериментальних досліджень фізичних процесів у надмірно тонкою (3–20 мкм) газорозрядної осередку з напівпровідниковим електродом. Експериментально підтверджується, що основним механізмом формування зображення в напівпровідниковій іонізаційній камері є автоелектронна емісія.
The results of experimental researches of the physical processes in excessively thin gas-discharged cell with semiconductor electrode are given in this work. It is confirmed that the main mechanism of the formation of the image in semiconductor ionization camera is auto electron emission.
|
| first_indexed | 2025-11-25T18:15:37Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-108710 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1999-8074 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-11-25T18:15:37Z |
| publishDate | 2015 |
| publisher | Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Хайдаров, З. Юлдашев, Х.Т. Хайдаров, Б.З. Урмонов, С. 2016-11-14T17:35:33Z 2016-11-14T17:35:33Z 2015 Фотоэлектрические явления в сверхтонком (3-20 мкм) зазоре газового разряда с полупроводниковым электродом / З. Хайдаров, Х.Т. Юлдашев, Б.З. Хайдаров, С. Урмонов // Физическая инженерия поверхности. — 2015. — Т. 13, № 2. — С. 136-140. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. 1999-8074 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/108710 621.393.3:621.382:621.385 В данной работе приводятся результаты экспериментальных исследований изучения физических процессов в чрезмерно тонкой (3–20 мкм) газоразрядной ячейке с полупроводниковым электродом. Экспериментально подтверждается, что основной механизм формирования изображения в полупроводниковой ионизационной камере является автоэлектронная эмиссия. У даній роботі наводяться результати експериментальних досліджень фізичних процесів у надмірно тонкою (3–20 мкм) газорозрядної осередку з напівпровідниковим електродом. Експериментально підтверджується, що основним механізмом формування зображення в напівпровідниковій іонізаційній камері є автоелектронна емісія. The results of experimental researches of the physical processes in excessively thin gas-discharged cell with semiconductor electrode are given in this work. It is confirmed that the main mechanism of the formation of the image in semiconductor ionization camera is auto electron emission. ru Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України Физическая инженерия поверхности Фотоэлектрические явления в сверхтонком (3-20 мкм) зазоре газового разряда с полупроводниковым электродом Фотоелектричні явища в надтонкому (3–20 мкм) зазорі газового розряду з напівпровідниковим електродом Photoelectric phenomena in ultrathin (3–20 μm) of the gap gas discharge with a semiconductor electrode Article published earlier |
| spellingShingle | Фотоэлектрические явления в сверхтонком (3-20 мкм) зазоре газового разряда с полупроводниковым электродом Хайдаров, З. Юлдашев, Х.Т. Хайдаров, Б.З. Урмонов, С. |
| title | Фотоэлектрические явления в сверхтонком (3-20 мкм) зазоре газового разряда с полупроводниковым электродом |
| title_alt | Фотоелектричні явища в надтонкому (3–20 мкм) зазорі газового розряду з напівпровідниковим електродом Photoelectric phenomena in ultrathin (3–20 μm) of the gap gas discharge with a semiconductor electrode |
| title_full | Фотоэлектрические явления в сверхтонком (3-20 мкм) зазоре газового разряда с полупроводниковым электродом |
| title_fullStr | Фотоэлектрические явления в сверхтонком (3-20 мкм) зазоре газового разряда с полупроводниковым электродом |
| title_full_unstemmed | Фотоэлектрические явления в сверхтонком (3-20 мкм) зазоре газового разряда с полупроводниковым электродом |
| title_short | Фотоэлектрические явления в сверхтонком (3-20 мкм) зазоре газового разряда с полупроводниковым электродом |
| title_sort | фотоэлектрические явления в сверхтонком (3-20 мкм) зазоре газового разряда с полупроводниковым электродом |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/108710 |
| work_keys_str_mv | AT haidarovz fotoélektričeskieâvleniâvsverhtonkom320mkmzazoregazovogorazrâdaspoluprovodnikovymélektrodom AT ûldaševht fotoélektričeskieâvleniâvsverhtonkom320mkmzazoregazovogorazrâdaspoluprovodnikovymélektrodom AT haidarovbz fotoélektričeskieâvleniâvsverhtonkom320mkmzazoregazovogorazrâdaspoluprovodnikovymélektrodom AT urmonovs fotoélektričeskieâvleniâvsverhtonkom320mkmzazoregazovogorazrâdaspoluprovodnikovymélektrodom AT haidarovz fotoelektričníâviŝavnadtonkomu320mkmzazorígazovogorozrâduznapívprovídnikovimelektrodom AT ûldaševht fotoelektričníâviŝavnadtonkomu320mkmzazorígazovogorozrâduznapívprovídnikovimelektrodom AT haidarovbz fotoelektričníâviŝavnadtonkomu320mkmzazorígazovogorozrâduznapívprovídnikovimelektrodom AT urmonovs fotoelektričníâviŝavnadtonkomu320mkmzazorígazovogorozrâduznapívprovídnikovimelektrodom AT haidarovz photoelectricphenomenainultrathin320μmofthegapgasdischargewithasemiconductorelectrode AT ûldaševht photoelectricphenomenainultrathin320μmofthegapgasdischargewithasemiconductorelectrode AT haidarovbz photoelectricphenomenainultrathin320μmofthegapgasdischargewithasemiconductorelectrode AT urmonovs photoelectricphenomenainultrathin320μmofthegapgasdischargewithasemiconductorelectrode |