Фотоэлектрические явления в сверхтонком (3-20 мкм) зазоре газового разряда с полупроводниковым электродом

• Published in: Физическая инженерия поверхности
• Date: 2015
• Main Authors: Хайдаров, З., Юлдашев, Х.Т., Хайдаров, Б.З., Урмонов, С.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2015
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/108710
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Фотоэлектрические явления в сверхтонком (3-20 мкм) зазоре газового разряда с полупроводниковым электродом / З. Хайдаров, Х.Т. Юлдашев, Б.З. Хайдаров, С. Урмонов // Физическая инженерия поверхности. — 2015. — Т. 13, № 2. — С. 136-140. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.

В данной работе приводятся результаты экспериментальных исследований изучения физических процессов в чрезмерно тонкой (3–20 мкм) газоразрядной ячейке с полупроводниковым электродом. Экспериментально подтверждается, что основной механизм формирования изображения в полупроводниковой ионизационной каме...