Модель формирования кластеров на поверхности полупроводниковых кристаллов группы А3В5
В работе рассмотрены особенности образования кластеров на поверхности полупроводников группы А3В5 при электрохимической обработке. Механизм данного явления описан с точки зрения когерентных явлений в стохастических системах. В роботі розглянуті особливості утворення кластерів на поверхні напівпровід...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Физическая инженерия поверхности |
|---|---|
| Datum: | 2015 |
| 1. Verfasser: | |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2015
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/108713 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Модель формирования кластеров на поверхности полупроводниковых кристаллов группы А3В5 / Я.А. Сычикова // Физическая инженерия поверхности. — 2015. — Т. 13, № 2. — С. 164-168. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Zusammenfassung: | В работе рассмотрены особенности образования кластеров на поверхности полупроводников группы А3В5 при электрохимической обработке. Механизм данного явления описан с точки зрения когерентных явлений в стохастических системах.
В роботі розглянуті особливості утворення кластерів на поверхні напівпровідників групи А3В5 при електрохімічній обробці. Механізм цього явища описаний з погляду когерентних явищ в стохастичних системах.
The paper discusses the characteristics of cluster formation on the surface of semiconductors A3B5 in electrochemical processing. The mechanism of this phenomenon is described in terms of coherent phenomena in stochastic systems.
|
|---|---|
| ISSN: | 1999-8074 |