Модель формирования кластеров на поверхности полупроводниковых кристаллов группы А3В5
В работе рассмотрены особенности образования кластеров на поверхности полупроводников группы А3В5 при электрохимической обработке. Механизм данного явления описан с точки зрения когерентных явлений в стохастических системах. В роботі розглянуті особливості утворення кластерів на поверхні напівпровід...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Физическая инженерия поверхности |
|---|---|
| Дата: | 2015 |
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2015
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/108713 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Модель формирования кластеров на поверхности полупроводниковых кристаллов группы А3В5 / Я.А. Сычикова // Физическая инженерия поверхности. — 2015. — Т. 13, № 2. — С. 164-168. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-108713 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Сычикова, Я.А. 2016-11-14T17:43:45Z 2016-11-14T17:43:45Z 2015 Модель формирования кластеров на поверхности полупроводниковых кристаллов группы А3В5 / Я.А. Сычикова // Физическая инженерия поверхности. — 2015. — Т. 13, № 2. — С. 164-168. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. 1999-8074 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/108713 539.217; 544.723 В работе рассмотрены особенности образования кластеров на поверхности полупроводников группы А3В5 при электрохимической обработке. Механизм данного явления описан с точки зрения когерентных явлений в стохастических системах. В роботі розглянуті особливості утворення кластерів на поверхні напівпровідників групи А3В5 при електрохімічній обробці. Механізм цього явища описаний з погляду когерентних явищ в стохастичних системах. The paper discusses the characteristics of cluster formation on the surface of semiconductors A3B5 in electrochemical processing. The mechanism of this phenomenon is described in terms of coherent phenomena in stochastic systems. ru Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України Физическая инженерия поверхности Модель формирования кластеров на поверхности полупроводниковых кристаллов группы А3В5 Модель формування кластерів на поверхні напівпровідникових кристалів групи А3В5 Model cluster formation on the surface of semiconductor crystals of the group A3B5 Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Модель формирования кластеров на поверхности полупроводниковых кристаллов группы А3В5 |
| spellingShingle |
Модель формирования кластеров на поверхности полупроводниковых кристаллов группы А3В5 Сычикова, Я.А. |
| title_short |
Модель формирования кластеров на поверхности полупроводниковых кристаллов группы А3В5 |
| title_full |
Модель формирования кластеров на поверхности полупроводниковых кристаллов группы А3В5 |
| title_fullStr |
Модель формирования кластеров на поверхности полупроводниковых кристаллов группы А3В5 |
| title_full_unstemmed |
Модель формирования кластеров на поверхности полупроводниковых кристаллов группы А3В5 |
| title_sort |
модель формирования кластеров на поверхности полупроводниковых кристаллов группы а3в5 |
| author |
Сычикова, Я.А. |
| author_facet |
Сычикова, Я.А. |
| publishDate |
2015 |
| language |
Russian |
| container_title |
Физическая инженерия поверхности |
| publisher |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Модель формування кластерів на поверхні напівпровідникових кристалів групи А3В5 Model cluster formation on the surface of semiconductor crystals of the group A3B5 |
| description |
В работе рассмотрены особенности образования кластеров на поверхности полупроводников группы А3В5 при электрохимической обработке. Механизм данного явления описан с точки зрения когерентных явлений в стохастических системах.
В роботі розглянуті особливості утворення кластерів на поверхні напівпровідників групи А3В5 при електрохімічній обробці. Механізм цього явища описаний з погляду когерентних явищ в стохастичних системах.
The paper discusses the characteristics of cluster formation on the surface of semiconductors A3B5 in electrochemical processing. The mechanism of this phenomenon is described in terms of coherent phenomena in stochastic systems.
|
| issn |
1999-8074 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/108713 |
| citation_txt |
Модель формирования кластеров на поверхности полупроводниковых кристаллов группы А3В5 / Я.А. Сычикова // Физическая инженерия поверхности. — 2015. — Т. 13, № 2. — С. 164-168. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT syčikovaâa modelʹformirovaniâklasterovnapoverhnostipoluprovodnikovyhkristallovgruppya3v5 AT syčikovaâa modelʹformuvannâklasterívnapoverhnínapívprovídnikovihkristalívgrupia3v5 AT syčikovaâa modelclusterformationonthesurfaceofsemiconductorcrystalsofthegroupa3b5 |
| first_indexed |
2025-11-27T14:00:49Z |
| last_indexed |
2025-11-27T14:00:49Z |
| _version_ |
1850852371073073152 |