Модель формирования кластеров на поверхности полупроводниковых кристаллов группы А3В5
В работе рассмотрены особенности образования кластеров на поверхности полупроводников группы А3В5 при электрохимической обработке. Механизм данного явления описан с точки зрения когерентных явлений в стохастических системах. В роботі розглянуті особливості утворення кластерів на поверхні напівпровід...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Физическая инженерия поверхности |
|---|---|
| Datum: | 2015 |
| 1. Verfasser: | Сычикова, Я.А. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2015
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/108713 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Модель формирования кластеров на поверхности полупроводниковых кристаллов группы А3В5 / Я.А. Сычикова // Физическая инженерия поверхности. — 2015. — Т. 13, № 2. — С. 164-168. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineÄhnliche Einträge
Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть вторая: эксперимент
von: Garkavenko, A. S., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Garkavenko, A. S., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть вторая: эксперимент
von: Гаркавенко, А.С., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Гаркавенко, А.С., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть первая: Теоретические предпосылки
von: Гаркавенко, А.С., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Гаркавенко, А.С., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Трансграничное сотрудничество и перспективы формирования нанотехнологических кластеров
von: Ляшенко, В.И., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Ляшенко, В.И., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Оборудование для формирования омических контактов полупроводниковых приборов на основе соединений A3B5
von: Aleksandrov, S. B., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Aleksandrov, S. B., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Сетевая система контроля технологического процесса выращивания полупроводниковых кристаллов и тонких пленок
von: Рогов, Р.В., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Рогов, Р.В., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Влияние кристаллографической ориентации на формирование пористой поверхности фосфида индия
von: Сычикова, Я.А., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Сычикова, Я.А., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Модель функционирования полупроводниковых сенсоров с фрактальной структурой
von: Даник, Ю.Г., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Даник, Ю.Г., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть первая: Теоретические предпосылки
von: Garkavenko, A. S., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Garkavenko, A. S., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Фотохимическая модификация поверхности кристаллов NaI:Tl
von: Кудин, К.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Кудин, К.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Исследование поверхности кластеров ксенона по спектрам поляризационного тормозного излучения: псевдокристаллическое состояние
von: Гнатченко, Е.В., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Гнатченко, Е.В., et al.
Veröffentlicht: (2012)
ОСОБЕННОСТИ ФОРМИРОВАНИЯ ИМПУЛЬСОВ В СОГЛАСУЮЩИХ УЗЛАХ МАГНИТНО-ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ГЕНЕРАТОРОВ
von: Волков, И.В., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Волков, И.В., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Особенности формирования импульсов в согласующих узлах магнитно-полупроводниковых генераторов
von: Волков, И.В., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Волков, И.В., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Ионно-плазменная пассивация поверхности кристаллов CdZnTe
von: Леонов, С.А., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Леонов, С.А., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Влияние состава электролита на величину порогового напряжения начала порообразования фосфида индия
von: Сычикова, Я.А.
Veröffentlicht: (2010)
von: Сычикова, Я.А.
Veröffentlicht: (2010)
Электpоногpафическое исследование механизма формирования кристаллической структуры кластеров азота
von: Коваленко, С.И., et al.
Veröffentlicht: (1998)
von: Коваленко, С.И., et al.
Veröffentlicht: (1998)
Влияние термической обработки на состояние поверхности легированных кристаллов фосфида галлия
von: Лобанов, А.А.
Veröffentlicht: (1983)
von: Лобанов, А.А.
Veröffentlicht: (1983)
Влияние производительности алмазоабразивной обработки на морфологию поверхности износа кристаллов алмаза
von: Кузей, А.М., et al.
Veröffentlicht: (2016)
von: Кузей, А.М., et al.
Veröffentlicht: (2016)
О перспективности использования пористого фосфида индия в качестве подложек для пленок нитрида индия
von: Сычикова, Я.А.
Veröffentlicht: (2010)
von: Сычикова, Я.А.
Veröffentlicht: (2010)
Оборудование для формирования омических контактов полупроводниковых приборов на основе соединений A₃B₅
von: Александров, С.Б., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Александров, С.Б., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Территориальные аспекты формирования и становления кластеров на основе кооперации промышленных предприятий и высших учебных заведений
von: Шамаева, Н.П.
Veröffentlicht: (2014)
von: Шамаева, Н.П.
Veröffentlicht: (2014)
Тепловая математическая модель полупроводниковых приборов при измерении ВАХ импульсным способом
von: Druzhinin, А. A., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Druzhinin, А. A., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Тепловая математическая модель полупроводниковых приборов при измерении ВАХ импульсным способом
von: Yermolenko, Ye. O., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Yermolenko, Ye. O., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Тепловая математическая модель полупроводниковых приборов при измерении ВАХ импульсным способом
von: Ермоленко, Е.А., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Ермоленко, Е.А., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Определение свойств поверхности кристаллов на основе изучения явления теплопроводности при низких температурах
von: Беляев, Н.Р., et al.
Veröffentlicht: (2003)
von: Беляев, Н.Р., et al.
Veröffentlicht: (2003)
Исследование формирования поверхности засыпи шихтовых материалов
von: Семенов, Ю.С.
Veröffentlicht: (2011)
von: Семенов, Ю.С.
Veröffentlicht: (2011)
Формирование наноструктур на поверхности кристаллов Cd₁₋xMnxTe при импульсном лазерном облучении
von: Байдуллаева, А., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Байдуллаева, А., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Химическое травление поверхности кристаллов ZnSe растворами H₂O₂–HBr–уксусная кислота
von: Станецкая, А.С., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Станецкая, А.С., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Формирование кластеров в старопромышленном регионе России
von: Мохначев, С.А., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Мохначев, С.А., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Проблемы и перспективы формирования кластеров с использованием передовых современных технологий на основе кооперации промышленных предприятий и образовательных учреждений
von: Шамаева, Н.П.
Veröffentlicht: (2013)
von: Шамаева, Н.П.
Veröffentlicht: (2013)
Исследование блочно-циклических алгоритмов на семействе кластеров СКИТ
von: Химич, А.Н., et al.
Veröffentlicht: (2006)
von: Химич, А.Н., et al.
Veröffentlicht: (2006)
Лазерная абляция и фотостимулированная пассивация поверхности кристаллов Cd1–хZnхTe
von: Загоруйко, Ю.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Загоруйко, Ю.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Лазерная абляция и фотостимулированная пассивация поверхности кристаллов Cd1–хZnхTe
von: Zagoruiko, Yu. A., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Zagoruiko, Yu. A., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Сверхпроводимость границ раздела полупроводниковых слоев в двухслойных и многослойных гетероструктурах типа АIVBVI
von: Юзефович, О.И., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Юзефович, О.И., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Интерполяция пространственных данных методом двумерного проецирования нечетких кластеров
von: Ахметшина, Л.Г., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Ахметшина, Л.Г., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Развитие экспортных кластеров в отраслях автомобилестроения республики Убекистан
von: Ахмедов, О.М.
Veröffentlicht: (2013)
von: Ахмедов, О.М.
Veröffentlicht: (2013)
Колебательные спектры кластеров воды, изолированной в низкотемпературных матрицах
von: Погорелов, В., et al.
Veröffentlicht: (2016)
von: Погорелов, В., et al.
Veröffentlicht: (2016)
Проблемы определения размеров кластеров в аморфных металлических материалах
von: Лепеева, Ю.В., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Лепеева, Ю.В., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Производство полупроводниковых датчиков электрохимической сваркой
von: Хоменко, Н.Н.
Veröffentlicht: (2001)
von: Хоменко, Н.Н.
Veröffentlicht: (2001)
Активное термостатирование полупроводниковых СВЧ-генераторов
von: Кравченко, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Кравченко, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Ähnliche Einträge
-
Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть вторая: эксперимент
von: Garkavenko, A. S., et al.
Veröffentlicht: (2014) -
Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть вторая: эксперимент
von: Гаркавенко, А.С., et al.
Veröffentlicht: (2014) -
Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть первая: Теоретические предпосылки
von: Гаркавенко, А.С., et al.
Veröffentlicht: (2014) -
Трансграничное сотрудничество и перспективы формирования нанотехнологических кластеров
von: Ляшенко, В.И., et al.
Veröffentlicht: (2007) -
Оборудование для формирования омических контактов полупроводниковых приборов на основе соединений A3B5
von: Aleksandrov, S. B., et al.
Veröffentlicht: (2011)