Зображення обкладинки

Модель формирования кластеров на поверхности полупроводниковых кристаллов группы А3В5

В работе рассмотрены особенности образования кластеров на поверхности полупроводников группы А3В5 при электрохимической обработке. Механизм данного явления описан с точки зрения когерентных явлений в стохастических системах. В роботі розглянуті особливості утворення кластерів на поверхні напівпровід...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Физическая инженерия поверхности
Дата:	2015
Автор:	Сычикова, Я.А.
Формат:	Стаття
Мова:	Російська
Опубліковано:	Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2015
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/108713
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Модель формирования кластеров на поверхности полупроводниковых кристаллов группы А3В5 / Я.А. Сычикова // Физическая инженерия поверхности. — 2015. — Т. 13, № 2. — С. 164-168. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть вторая: эксперимент
за авторством: Garkavenko, A. S., та інші
Опубліковано: (2014)

Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть вторая: эксперимент
за авторством: Гаркавенко, А.С., та інші
Опубліковано: (2014)

Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть первая: Теоретические предпосылки
за авторством: Гаркавенко, А.С., та інші
Опубліковано: (2014)

Трансграничное сотрудничество и перспективы формирования нанотехнологических кластеров
за авторством: Ляшенко, В.И., та інші
Опубліковано: (2007)

Оборудование для формирования омических контактов полупроводниковых приборов на основе соединений A3B5
за авторством: Aleksandrov, S. B., та інші
Опубліковано: (2011)

Сетевая система контроля технологического процесса выращивания полупроводниковых кристаллов и тонких пленок
за авторством: Рогов, Р.В., та інші
Опубліковано: (2005)

Влияние кристаллографической ориентации на формирование пористой поверхности фосфида индия
за авторством: Сычикова, Я.А., та інші
Опубліковано: (2010)

Модель функционирования полупроводниковых сенсоров с фрактальной структурой
за авторством: Даник, Ю.Г., та інші
Опубліковано: (2005)

Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть первая: Теоретические предпосылки
за авторством: Garkavenko, A. S., та інші
Опубліковано: (2014)

Фотохимическая модификация поверхности кристаллов NaI:Tl
за авторством: Кудин, К.А., та інші
Опубліковано: (2011)

Исследование поверхности кластеров ксенона по спектрам поляризационного тормозного излучения: псевдокристаллическое состояние
за авторством: Гнатченко, Е.В., та інші
Опубліковано: (2012)

ОСОБЕННОСТИ ФОРМИРОВАНИЯ ИМПУЛЬСОВ В СОГЛАСУЮЩИХ УЗЛАХ МАГНИТНО-ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ГЕНЕРАТОРОВ
за авторством: Волков, И.В., та інші
Опубліковано: (2012)

Особенности формирования импульсов в согласующих узлах магнитно-полупроводниковых генераторов
за авторством: Волков, И.В., та інші
Опубліковано: (2012)

Ионно-плазменная пассивация поверхности кристаллов CdZnTe
за авторством: Леонов, С.А., та інші
Опубліковано: (2004)

Влияние состава электролита на величину порогового напряжения начала порообразования фосфида индия
за авторством: Сычикова, Я.А.
Опубліковано: (2010)

Электpоногpафическое исследование механизма формирования кристаллической структуры кластеров азота
за авторством: Коваленко, С.И., та інші
Опубліковано: (1998)

Влияние термической обработки на состояние поверхности легированных кристаллов фосфида галлия
за авторством: Лобанов, А.А.
Опубліковано: (1983)

Влияние производительности алмазоабразивной обработки на морфологию поверхности износа кристаллов алмаза
за авторством: Кузей, А.М., та інші
Опубліковано: (2016)

О перспективности использования пористого фосфида индия в качестве подложек для пленок нитрида индия
за авторством: Сычикова, Я.А.
Опубліковано: (2010)

Оборудование для формирования омических контактов полупроводниковых приборов на основе соединений A₃B₅
за авторством: Александров, С.Б., та інші
Опубліковано: (2011)

Территориальные аспекты формирования и становления кластеров на основе кооперации промышленных предприятий и высших учебных заведений
за авторством: Шамаева, Н.П.
Опубліковано: (2014)

Тепловая математическая модель полупроводниковых приборов при измерении ВАХ импульсным способом
за авторством: Druzhinin, А. A., та інші
Опубліковано: (2012)

Тепловая математическая модель полупроводниковых приборов при измерении ВАХ импульсным способом
за авторством: Yermolenko, Ye. O., та інші
Опубліковано: (2012)

Тепловая математическая модель полупроводниковых приборов при измерении ВАХ импульсным способом
за авторством: Ермоленко, Е.А., та інші
Опубліковано: (2012)

Определение свойств поверхности кристаллов на основе изучения явления теплопроводности при низких температурах
за авторством: Беляев, Н.Р., та інші
Опубліковано: (2003)

Исследование формирования поверхности засыпи шихтовых материалов
за авторством: Семенов, Ю.С.
Опубліковано: (2011)

Формирование наноструктур на поверхности кристаллов Cd₁₋xMnxTe при импульсном лазерном облучении
за авторством: Байдуллаева, А., та інші
Опубліковано: (2008)

Химическое травление поверхности кристаллов ZnSe растворами H₂O₂–HBr–уксусная кислота
за авторством: Станецкая, А.С., та інші
Опубліковано: (2014)

Формирование кластеров в старопромышленном регионе России
за авторством: Мохначев, С.А., та інші
Опубліковано: (2014)

Проблемы и перспективы формирования кластеров с использованием передовых современных технологий на основе кооперации промышленных предприятий и образовательных учреждений
за авторством: Шамаева, Н.П.
Опубліковано: (2013)

Исследование блочно-циклических алгоритмов на семействе кластеров СКИТ
за авторством: Химич, А.Н., та інші
Опубліковано: (2006)

Лазерная абляция и фотостимулированная пассивация поверхности кристаллов Cd1–хZnхTe
за авторством: Загоруйко, Ю.А., та інші
Опубліковано: (2011)

Лазерная абляция и фотостимулированная пассивация поверхности кристаллов Cd1–хZnхTe
за авторством: Zagoruiko, Yu. A., та інші
Опубліковано: (2011)

Сверхпроводимость границ раздела полупроводниковых слоев в двухслойных и многослойных гетероструктурах типа АIVBVI
за авторством: Юзефович, О.И., та інші
Опубліковано: (2008)

Интерполяция пространственных данных методом двумерного проецирования нечетких кластеров
за авторством: Ахметшина, Л.Г., та інші
Опубліковано: (2010)

Развитие экспортных кластеров в отраслях автомобилестроения республики Убекистан
за авторством: Ахмедов, О.М.
Опубліковано: (2013)

Колебательные спектры кластеров воды, изолированной в низкотемпературных матрицах
за авторством: Погорелов, В., та інші
Опубліковано: (2016)

Проблемы определения размеров кластеров в аморфных металлических материалах
за авторством: Лепеева, Ю.В., та інші
Опубліковано: (2014)

Производство полупроводниковых датчиков электрохимической сваркой
за авторством: Хоменко, Н.Н.
Опубліковано: (2001)

Активное термостатирование полупроводниковых СВЧ-генераторов
за авторством: Кравченко, А.В., та інші
Опубліковано: (2005)