СВЧ высоколокальный сканирующий разогрев в технологии микро- и наноэлектроники

• Datum: 2015
• Hauptverfasser: Гордиенко, Ю.Е., Пятайкина, М.И., Полищук, А.В.
• Format: Artikel
• Sprache: Russian
• Veröffentlicht: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2015
• Schriftenreihe: Физическая инженерия поверхности
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/108719
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: СВЧ высоколокальный сканирующий разогрев в технологии микро- и наноэлектроники / Ю.Е. Гордиенко, М.И. Пятайкина, А.В. Полищук // Физическая инженерия поверхности. — 2015. — Т. 13, № 2. — С. 209-217. — Бібліогр.: 19 назв. — рос.

В статье представлены результаты численного исследования высоколокального СВЧ разогрева тонких пленок полупроводников и диэлектриков на высокоомной подложке кремния. Сравнение с ранее опубликованными нами результатами исследования разогрева кремниевых подложек показывает, что в связи с высокой теплопроводностью кремния влияние подложки на величину температуры разогреваемой пленки будет существенным при уменьшении толщины пленки. Влияние диэлектрической проницаемости пленки также имеет место и связано с изменением СВЧ тепловыделения в ней. С учетом зависимости локализации СВЧ поля от радиуса сферического острия процесс тепловыделения можно локализовать только в пленке, а величиной локального разогрева подложки управлять выбранной толщиной пленки. Это позволит раздельно формировать локальный разогрев пленки и подложки.