Определение эвтектической температуры изолированных двухфазных наночастиц Au-Ge на аморфной углеродной подложке - Крышталь, А.П. (Физическая инженерия поверхности, 2015)
Приводятся результаты in situ электронно-микроскопического исследования плавления изолированных двухфазных частиц Au-Ge на аморфной углеродной подложке. Наноразмерные частицы Au-Ge формировались путем плавления и последующей кристаллизации двухслойных пленок Au/Ge с эвтектическим соотношением масс компонентов. Показано, что температура плавления двухфазной частицы Au-Ge размером ≈20 нм составляет 301 ± 15 °С, а частицы размером ≈13 нм — 211 ± 15 °С, что существенно ниже эвтектической температуры для макроскопической системы (361 °С). Наводяться результати in situ електронно-мікроскопічного дослідження плавлення ізольованих двофазних частинок Au-Ge на аморфній вуглецевій підкладці. Нанорозмірні частинки Au-Ge формувалися шляхом плавлення і наступної кристалізації двошарових плівок Au/Ge з евтектичним співвідношенням мас компонентів. Показано, що температура плавлення двофазної частинки Au-Ge розміром ≈20 нм становить 301 ± 15 °С, а частинки розміром ≈13 нм — 211 ± 15 °С, що істотно нижче евтектичної температури для макроскопічної системи (361 °С). The results of in situ electron microscopy studies of melting of isolated Au-Ge two-phase particles on an amorphous carbon support have been reported. Nanosized Au-Ge particles have been produced by melting and subsequent crystallization of Au/Ge layered films with eutectic mass ratio of the components. It has been shown that the melting temperature of Au-Ge two-phase particle of ≈20 nm in size was 301 ± 15 °С, and for particle of ≈13 nm in size it was 211 ± 15 °С, which are significantly below the eutectic temperature for macroscopic system (361 °С)