Температурная зависимость обратной ветви ВАХ Al-p-CdTe-Mo структуры

• Published in: Физическая инженерия поверхности
• Date: 2015
• Main Authors: Ачилов, А.С., Мирсагатов, Ш.А.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2015
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/108757
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Температурная зависимость обратной ветви ВАХ Al-p-CdTe-Mo структуры / А.С. Ачилов, Ш.А. Мирсагатов // Физическая инженерия поверхности. — 2015. — Т. 13, № 3. — С. 298-312. — Бібліогр.: 31 назв. — рос.

Приведены результаты исследований вольт-амперной характеристики структуры Al-p-CdTe-Mo с протяженной базой (w = 120 μm) в зависимости от температуры. Показано, что такая структура имеет протяженный сублинейный участок высокого значения на обратной вольт-амперной характеристике, который практически не изменяет свою форму в области температур 173–373 К. Результаты объясняются в рамках диффузионного и дрейфового механизмов переноса тока учитывающих возможность обмена свободными носителями внутри рекомбинационного комплекса. Наведено результати досліджень вольт-амперної характеристики структури Al-p-CdTe-Mo з протяжною базою (w = 120 μm) залежно від температури. Доведено, що ця структура має протяжну сублінійну ділянку високого значення на зворотній вольт-амперній характеристиці, яка практично не змінює свою форму в діапазоні температур 173–373 К. Результати пояснюються в межах дифузійного та дрейфового механізмів переносу струму, що враховують можливість обміну вільними носіями всередині рекомбінаційного комплексу. The results of investigations voltage characteristic structure of Al-p-CdTe-Mo with an extended base (w = 120 μm), depending on the temperature. It is shown that such a structure has an extended sublinear portion of high value on the reverse current-voltage characteristic, which is almost does not change its shape at temperatures of 173–373 K. The results are explained in terms of the diffusion and drift mechanisms of current transport takes into account the possibility of exchanging free carrier recombination inside the complex.