Тензорезистивный эффект в поликристаллических полупроводниках с учетом продольных и поперечных поверхностных электронных состояний

• Опубліковано в: : Физическая инженерия поверхности
• Дата: 2015
• Автори: Сулаймонов, Х.М., Юлдашев, Н.Х.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2015
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/108759
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Тензорезистивный эффект в поликристаллических полупроводниках с учетом продольных и поперечных поверхностных электронных состояний / Х.М. Сулаймонов, Н.Х. Юлдашев // Физическая инженерия поверхности. — 2015. — Т. 13, № 3. — С. 318-324. — Бібліогр.: 5 назв. — рос.

Теоретически рассчитаны импеданс и коэффициент тензочувствительности поликристаллических полупроводников с учетом вклада модуляции поперечных приповерхностных областей поверхностного заряда кристаллических зерен под действием механической деформации и влияния поперечных поверхностных состояний, участвующих в формировании перпендикулярных к направлению тока потенциальных барьеров. Теоретично розраховані імпеданс і коефіцієнт тензочутливості полікристалічних напівпровідників з урахуванням внеску модуляції поперечних приповерхневих областей поверхневого заряду кристалічних зерен під дією механічної деформації та впливу поперечних поверхневих станів, що приймають участь у формуванні перпендикулярних до напрямку струму потенційних бар’єрів. An impedance and coefficient of tenzosensitivity of polycrystalline semiconductors is theoretically calculated taking into account the deposit of modulation transversal subsurface area of spatial charges crystalline grains under the action of mechanical deformation and influence of transversal surface state, participating in forming of perpendicular to the direction of current potential barriers.