Тензорезистивный эффект в поликристаллических полупроводниках с учетом продольных и поперечных поверхностных электронных состояний
Теоретически рассчитаны импеданс и коэффициент тензочувствительности поликристаллических полупроводников с учетом вклада модуляции поперечных приповерхностных областей поверхностного заряда кристаллических зерен под действием механической деформации и влияния поперечных поверхностных состояний, учас...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Физическая инженерия поверхности |
|---|---|
| Datum: | 2015 |
| Hauptverfasser: | , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2015
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/108759 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Тензорезистивный эффект в поликристаллических полупроводниках с учетом продольных и поперечных поверхностных электронных состояний / Х.М. Сулаймонов, Н.Х. Юлдашев // Физическая инженерия поверхности. — 2015. — Т. 13, № 3. — С. 318-324. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862719778396831744 |
|---|---|
| author | Сулаймонов, Х.М. Юлдашев, Н.Х. |
| author_facet | Сулаймонов, Х.М. Юлдашев, Н.Х. |
| citation_txt | Тензорезистивный эффект в поликристаллических полупроводниках с учетом продольных и поперечных поверхностных электронных состояний / Х.М. Сулаймонов, Н.Х. Юлдашев // Физическая инженерия поверхности. — 2015. — Т. 13, № 3. — С. 318-324. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Физическая инженерия поверхности |
| description | Теоретически рассчитаны импеданс и коэффициент тензочувствительности поликристаллических полупроводников с учетом вклада модуляции поперечных приповерхностных областей поверхностного заряда кристаллических зерен под действием механической деформации и влияния поперечных поверхностных состояний, участвующих в формировании перпендикулярных к направлению тока потенциальных барьеров.
Теоретично розраховані імпеданс і коефіцієнт тензочутливості полікристалічних напівпровідників з урахуванням внеску модуляції поперечних приповерхневих областей поверхневого заряду кристалічних зерен під дією механічної деформації та впливу поперечних поверхневих станів, що приймають участь у формуванні перпендикулярних до напрямку струму потенційних бар’єрів.
An impedance and coefficient of tenzosensitivity of polycrystalline semiconductors is theoretically calculated taking into account the deposit of modulation transversal subsurface area of spatial charges crystalline grains under the action of mechanical deformation and influence of transversal surface state, participating in forming of perpendicular to the direction of current potential barriers.
|
| first_indexed | 2025-12-07T18:21:53Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-108759 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1999-8074 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T18:21:53Z |
| publishDate | 2015 |
| publisher | Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Сулаймонов, Х.М. Юлдашев, Н.Х. 2016-11-15T14:36:00Z 2016-11-15T14:36:00Z 2015 Тензорезистивный эффект в поликристаллических полупроводниках с учетом продольных и поперечных поверхностных электронных состояний / Х.М. Сулаймонов, Н.Х. Юлдашев // Физическая инженерия поверхности. — 2015. — Т. 13, № 3. — С. 318-324. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. 1999-8074 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/108759 621.315.592 Теоретически рассчитаны импеданс и коэффициент тензочувствительности поликристаллических полупроводников с учетом вклада модуляции поперечных приповерхностных областей поверхностного заряда кристаллических зерен под действием механической деформации и влияния поперечных поверхностных состояний, участвующих в формировании перпендикулярных к направлению тока потенциальных барьеров. Теоретично розраховані імпеданс і коефіцієнт тензочутливості полікристалічних напівпровідників з урахуванням внеску модуляції поперечних приповерхневих областей поверхневого заряду кристалічних зерен під дією механічної деформації та впливу поперечних поверхневих станів, що приймають участь у формуванні перпендикулярних до напрямку струму потенційних бар’єрів. An impedance and coefficient of tenzosensitivity of polycrystalline semiconductors is theoretically calculated taking into account the deposit of modulation transversal subsurface area of spatial charges crystalline grains under the action of mechanical deformation and influence of transversal surface state, participating in forming of perpendicular to the direction of current potential barriers. ru Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України Физическая инженерия поверхности Тензорезистивный эффект в поликристаллических полупроводниках с учетом продольных и поперечных поверхностных электронных состояний Тензорезистивний ефект у полікристалічних напівпровідниках з урахуванням поздовжнього і поперечного поверхневих електронних станів Piezoresistive effect in polycrystalline semiconductors in view of longitudinal and transverse surface electronic states Article published earlier |
| spellingShingle | Тензорезистивный эффект в поликристаллических полупроводниках с учетом продольных и поперечных поверхностных электронных состояний Сулаймонов, Х.М. Юлдашев, Н.Х. |
| title | Тензорезистивный эффект в поликристаллических полупроводниках с учетом продольных и поперечных поверхностных электронных состояний |
| title_alt | Тензорезистивний ефект у полікристалічних напівпровідниках з урахуванням поздовжнього і поперечного поверхневих електронних станів Piezoresistive effect in polycrystalline semiconductors in view of longitudinal and transverse surface electronic states |
| title_full | Тензорезистивный эффект в поликристаллических полупроводниках с учетом продольных и поперечных поверхностных электронных состояний |
| title_fullStr | Тензорезистивный эффект в поликристаллических полупроводниках с учетом продольных и поперечных поверхностных электронных состояний |
| title_full_unstemmed | Тензорезистивный эффект в поликристаллических полупроводниках с учетом продольных и поперечных поверхностных электронных состояний |
| title_short | Тензорезистивный эффект в поликристаллических полупроводниках с учетом продольных и поперечных поверхностных электронных состояний |
| title_sort | тензорезистивный эффект в поликристаллических полупроводниках с учетом продольных и поперечных поверхностных электронных состояний |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/108759 |
| work_keys_str_mv | AT sulaimonovhm tenzorezistivnyiéffektvpolikristalličeskihpoluprovodnikahsučetomprodolʹnyhipoperečnyhpoverhnostnyhélektronnyhsostoânii AT ûldaševnh tenzorezistivnyiéffektvpolikristalličeskihpoluprovodnikahsučetomprodolʹnyhipoperečnyhpoverhnostnyhélektronnyhsostoânii AT sulaimonovhm tenzorezistivniiefektupolíkristalíčnihnapívprovídnikahzurahuvannâmpozdovžnʹogoípoperečnogopoverhnevihelektronnihstanív AT ûldaševnh tenzorezistivniiefektupolíkristalíčnihnapívprovídnikahzurahuvannâmpozdovžnʹogoípoperečnogopoverhnevihelektronnihstanív AT sulaimonovhm piezoresistiveeffectinpolycrystallinesemiconductorsinviewoflongitudinalandtransversesurfaceelectronicstates AT ûldaševnh piezoresistiveeffectinpolycrystallinesemiconductorsinviewoflongitudinalandtransversesurfaceelectronicstates |