The mechanism of current transport in the structure Al-p-CdTe-Mo with different thickness of the base

• Опубліковано в: : Физическая инженерия поверхности
• Дата: 2015
• Автори: Mirsagatov, Sh.A., Uteniyazov, A.K.
• Формат: Стаття
• Мова: Англійська
• Опубліковано: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2015
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/108760
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: The mechanism of current transport in the structure Al-p-CdTe-Mo with different thickness of the base / Sh.A. Mirsagatov, A.K. Uteniyazov // Физическая инженерия поверхности. — 2015. — Т. 13, № 3. — С. 325-329. — Бібліогр.: 15 назв. — англ.

In this paper the mechanism of current’s transport in the structure Al-p-CdTe-Mo is studied, when the thickness of the base w ≤ 10 μm. The results of study of current-voltage characteristics of the structure Al-p-Cd-Te-Mo with different thicknesses of the base and the influence of the thickness of the base on the mechanism of current’s transport are given. В работе исследуется механизм переноса тока в структуре Al-p-CdTe-Mo, когда толщина базы w ≤ 10 μm. Приведены результаты исследований вольт-амперных характеристик структуры Al-p-CdTe-Mo с разными толщинами базы и влияния толщины базы на механизм переноса тока. У роботі досліджується механізм перенесення струму в структурі Al-p-CdTe-Mo, коли товщина бази w ≤ 10 μm. Наведено результати досліджень вольт-амперних характеристик структури Al-p-CdTe-Mo з різними товщинами бази та впливу товщини бази на механізм перенесення струму.