Физические явления в тонкобазовых транзисторных структурах
Экспериментально показано, что германиевые p⁺np- и кремниевые n⁺⁺pnn⁺-структуры в режиме запирания перехода со слаболегированной областью выполняют функцию биполярного транзистора с соответствующим рабочим диапазоном и фоточувствительностью. В режиме запирания перехода с сильнолегированной областью...
Saved in:
| Published in: | Физическая инженерия поверхности |
|---|---|
| Date: | 2015 |
| Main Authors: | , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2015
|
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/108761 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Физические явления в тонкобазовых транзисторных структурах / А.В. Каримов, Д.М. Ёдгорова, О.А. Абдулхаев // Физическая инженерия поверхности. — 2015. — Т. 13, № 3. — С. 330-334. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862685214626545664 |
|---|---|
| author | Каримов, А.В. Ёдгорова, Д.М. Абдулхаев, О.А. |
| author_facet | Каримов, А.В. Ёдгорова, Д.М. Абдулхаев, О.А. |
| citation_txt | Физические явления в тонкобазовых транзисторных структурах / А.В. Каримов, Д.М. Ёдгорова, О.А. Абдулхаев // Физическая инженерия поверхности. — 2015. — Т. 13, № 3. — С. 330-334. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Физическая инженерия поверхности |
| description | Экспериментально показано, что германиевые p⁺np- и кремниевые n⁺⁺pnn⁺-структуры в режиме запирания перехода со слаболегированной областью выполняют функцию биполярного транзистора с соответствующим рабочим диапазоном и фоточувствительностью. В режиме запирания перехода с сильнолегированной областью приобретают улучшенные фотодиодные и транзисторные свойства, связанные с динамикой расширения областей объемного заряда и реализацией туннельного и лавинного механизмов пробоя.
Експериментально доведено, що германієві p⁺np- і кремнієві n⁺⁺pnn⁺-структури в режимі замикання переходу зі слаболегованою ділянкою виконують функцію біполярного транзистора з відповідним робочим діапазоном і фоточутливістю. У режимі замикання переходу із сильнолегованою ділянкою набувають поліпшені фотодіодні і транзисторні властивості, пов’язані з динамікою розширення областей об’ємного заряду і реалізацією тунельного та лавинного механізмів пробою.
It is experimentally shown that the germanium p⁺np- and silicon n⁺⁺pnn⁺-structures in blocking mode of the junction with a lightly doped region operate as the bipolar transistor with a corresponding operating range and photosensitivity. In the blocking mode of the junction with a heavily doped region they acquires improved photodiode and transistor properties associated with the expansion dynamics of the space charge regions and development of the tunnel and avalanche breakdown mechanisms
|
| first_indexed | 2025-12-07T16:00:26Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-108761 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1999-8074 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T16:00:26Z |
| publishDate | 2015 |
| publisher | Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Каримов, А.В. Ёдгорова, Д.М. Абдулхаев, О.А. 2016-11-15T14:44:08Z 2016-11-15T14:44:08Z 2015 Физические явления в тонкобазовых транзисторных структурах / А.В. Каримов, Д.М. Ёдгорова, О.А. Абдулхаев // Физическая инженерия поверхности. — 2015. — Т. 13, № 3. — С. 330-334. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. 1999-8074 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/108761 621.383.52:535.243 Экспериментально показано, что германиевые p⁺np- и кремниевые n⁺⁺pnn⁺-структуры в режиме запирания перехода со слаболегированной областью выполняют функцию биполярного транзистора с соответствующим рабочим диапазоном и фоточувствительностью. В режиме запирания перехода с сильнолегированной областью приобретают улучшенные фотодиодные и транзисторные свойства, связанные с динамикой расширения областей объемного заряда и реализацией туннельного и лавинного механизмов пробоя. Експериментально доведено, що германієві p⁺np- і кремнієві n⁺⁺pnn⁺-структури в режимі замикання переходу зі слаболегованою ділянкою виконують функцію біполярного транзистора з відповідним робочим діапазоном і фоточутливістю. У режимі замикання переходу із сильнолегованою ділянкою набувають поліпшені фотодіодні і транзисторні властивості, пов’язані з динамікою розширення областей об’ємного заряду і реалізацією тунельного та лавинного механізмів пробою. It is experimentally shown that the germanium p⁺np- and silicon n⁺⁺pnn⁺-structures in blocking mode of the junction with a lightly doped region operate as the bipolar transistor with a corresponding operating range and photosensitivity. In the blocking mode of the junction with a heavily doped region they acquires improved photodiode and transistor properties associated with the expansion dynamics of the space charge regions and development of the tunnel and avalanche breakdown mechanisms ru Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України Физическая инженерия поверхности Физические явления в тонкобазовых транзисторных структурах Фізичні явища в тонкобазових транзисторних структурах Physical phenomena the transistor structure tonkobazovyh Article published earlier |
| spellingShingle | Физические явления в тонкобазовых транзисторных структурах Каримов, А.В. Ёдгорова, Д.М. Абдулхаев, О.А. |
| title | Физические явления в тонкобазовых транзисторных структурах |
| title_alt | Фізичні явища в тонкобазових транзисторних структурах Physical phenomena the transistor structure tonkobazovyh |
| title_full | Физические явления в тонкобазовых транзисторных структурах |
| title_fullStr | Физические явления в тонкобазовых транзисторных структурах |
| title_full_unstemmed | Физические явления в тонкобазовых транзисторных структурах |
| title_short | Физические явления в тонкобазовых транзисторных структурах |
| title_sort | физические явления в тонкобазовых транзисторных структурах |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/108761 |
| work_keys_str_mv | AT karimovav fizičeskieâvleniâvtonkobazovyhtranzistornyhstrukturah AT edgorovadm fizičeskieâvleniâvtonkobazovyhtranzistornyhstrukturah AT abdulhaevoa fizičeskieâvleniâvtonkobazovyhtranzistornyhstrukturah AT karimovav fízičníâviŝavtonkobazovihtranzistornihstrukturah AT edgorovadm fízičníâviŝavtonkobazovihtranzistornihstrukturah AT abdulhaevoa fízičníâviŝavtonkobazovihtranzistornihstrukturah AT karimovav physicalphenomenathetransistorstructuretonkobazovyh AT edgorovadm physicalphenomenathetransistorstructuretonkobazovyh AT abdulhaevoa physicalphenomenathetransistorstructuretonkobazovyh |