Физические явления в тонкобазовых транзисторных структурах - Каримов, А.В.; Ёдгорова, Д.М.; Абдулхаев, О.А. (Физическая инженерия поверхности, 2015)
Экспериментально показано, что германиевые p⁺np- и кремниевые n⁺⁺pnn⁺-структуры в режиме запирания перехода со слаболегированной областью выполняют функцию биполярного транзистора с соответствующим рабочим диапазоном и фоточувствительностью. В режиме запирания перехода с сильнолегированной областью приобретают улучшенные фотодиодные и транзисторные свойства, связанные с динамикой расширения областей объемного заряда и реализацией туннельного и лавинного механизмов пробоя. Експериментально доведено, що германієві p⁺np- і кремнієві n⁺⁺pnn⁺-структури в режимі замикання переходу зі слаболегованою ділянкою виконують функцію біполярного транзистора з відповідним робочим діапазоном і фоточутливістю. У режимі замикання переходу із сильнолегованою ділянкою набувають поліпшені фотодіодні і транзисторні властивості, пов’язані з динамікою розширення областей об’ємного заряду і реалізацією тунельного та лавинного механізмів пробою. It is experimentally shown that the germanium p⁺np- and silicon n⁺⁺pnn⁺-structures in blocking mode of the junction with a lightly doped region operate as the bipolar transistor with a corresponding operating range and photosensitivity. In the blocking mode of the junction with a heavily doped region they acquires improved photodiode and transistor properties associated with the expansion dynamics of the space charge regions and development of the tunnel and avalanche breakdown mechanisms