Зображення обкладинки

Физические явления в тонкобазовых транзисторных структурах

Экспериментально показано, что германиевые p⁺np- и кремниевые n⁺⁺pnn⁺-структуры в режиме запирания перехода со слаболегированной областью выполняют функцию биполярного транзистора с соответствующим рабочим диапазоном и фоточувствительностью. В режиме запирания перехода с сильнолегированной областью...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Физическая инженерия поверхности
Дата:	2015
Автори:	Каримов, А.В., Ёдгорова, Д.М., Абдулхаев, О.А.
Формат:	Стаття
Мова:	Російська
Опубліковано:	Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2015
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/108761
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Физические явления в тонкобазовых транзисторных структурах / А.В. Каримов, Д.М. Ёдгорова, О.А. Абдулхаев // Физическая инженерия поверхности. — 2015. — Т. 13, № 3. — С. 330-334. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Поверхностные явления в двумерных структурах макропористого кремния
за авторством: Иванов, В.И., та інші
Опубліковано: (2009)

Явление памяти в двухбарьерной n⁺⁺pnn⁺-структуре
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2014)

Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2009)

Исследование примесного фотоэффекта в двухбарьерных p-n-m-структурах
за авторством: Ёдгорова, Д.М., та інші
Опубліковано: (2006)

Высокочувствительный фотоприемник на основе германиевой двухбарьерной структуры с эффектом смыкания
за авторством: Абдулхаев, О.А., та інші
Опубліковано: (2015)

Исследование допустимой импульсной мощности кремниевой p+–p–n+-структуры
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2011)

Особенности согласования полевых транзисторных структур на минимум шум-фактора в дециметровом диапазоне
за авторством: Королев, А.М.
Опубліковано: (2002)

Анализ переходных процессов в радиационно облученых кремниевых p+nn+-структурах
за авторством: Рахматов, А.З., та інші
Опубліковано: (2012)

Анализ переходных процессов в радиационно облученых кремниевых p+nn+-структурах
за авторством: Рахматов, А.З., та інші
Опубліковано: (2012)

Исследование теплоотвода на основе тепловых труб для охлаждения транзисторных модулей
за авторством: Гниличенко, В.И., та інші
Опубліковано: (1999)

Концепция построения силовых цепей многоуровневого модульного преобразователя и его транзисторных модулей
за авторством: Жемеров, Г.Г., та інші
Опубліковано: (2018)

Электрофизические и фотоэлектрические характеристики трехбарьерной фотодиодной GaAs-структуры
за авторством: Абдулхаев, О.А., та інші
Опубліковано: (2018)

Определение характеристик двухбарьерных фотодиодных структур с металлополупроводниковыми переходами
за авторством: Ёдгорова, Д.М., та інші
Опубліковано: (2005)

Фототранзистор составной на полевых транзисторах
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2012)

Функциональные характеристики полевого транзистора с управляющим р-n-переходом при различных режимах включения
за авторством: Абдулхаев, О.А., та інші
Опубліковано: (2012)

Исследование влияния потенциальных барьеров на механизмы токопереноса во встречновключенных двухбарьерных кремниевых структур
за авторством: Абдулхаев, О.А., та інші
Опубліковано: (2011)

Многофункциональная гомопереходная арсенид-галлиевая n–p–m-структура
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2009)

Исследование процессов модуляции базовой области кремниевой p⁺р-n⁺-структуры
за авторством: Ёдгорова, Д.М., та інші
Опубліковано: (2013)

Ненасыщенный режим как альтернативный метод обеспечения устойчивости малошумящих усилителей на полевых транзисторных гетероструктурах
за авторством: Королев, А.М., та інші
Опубліковано: (2011)

СИСТЕМЫ ФАЗОВОЙ АВТОПОДСТРОЙКИ ЧАСТОТЫ ДЛЯ ТРАНЗИСТОРНЫХ РЕЗОНАНСНЫХ ИНВЕРТОРОВ НАПРЯЖЕНИЯ УСТАНОВОК ИНДУКЦИОННОГО НАГРЕВА
за авторством: Гуцалюк, В.Я., та інші
Опубліковано: (2015)

Кибер-физические системы
за авторством: Летичевский, А.А., та інші
Опубліковано: (2017)

Моделирование явления мимикрии в рекламной деятельности
за авторством: Бакурова, А.В.
Опубліковано: (2013)

Исследование импульсных характеристик ограничителей напряжения
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2012)

Модификация барьерной структуры на основе pAlGaInAs–nGaAs последовательно соединенными потенциальными барьерами
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2009)

Физико-технологические аспекты создания низковольтных ограничителей напряжения на основе кремния
за авторством: Рахматов, А.З., та інші
Опубліковано: (2010)

Исследование эффекта насыщения тока стока полевого транзистора с последовательно соединенными каналами
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2012)

Термомагнитные явления в слоистых проводниках
за авторством: Кириченко, О.В., та інші
Опубліковано: (2006)

Макроквантовые явления в системе Сатурна
за авторством: Гулак, Ю.К., та інші
Опубліковано: (1994)

Двумерная теория поля и критические явления
за авторством: Бабич, А.В., та інші
Опубліковано: (2018)

О механизме явления рецессии
за авторством: Гончар, Н.С., та інші
Опубліковано: (2015)

Некоторые особенности ограничителя тока на полевом транзисторе
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2011)

Акустические резонансные явления в твердом теле
за авторством: Ганапольский, Е.М., та інші
Опубліковано: (2008)

Исследование процесса формирования токовых характеристик кремниевого фотодиода с выпрямляющими барьерами
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2013)

Физические свойства атмосферы Марса в периоды пылевых бурь. II
за авторством: Мороженко, А.В.
Опубліковано: (1995)

Физические свойства атмосферы Марса в периоды пылевых бурь. I
за авторством: Мороженко, А.В.
Опубліковано: (1995)

Нелинейные циклические транспортные явления в медных точечных контактах
за авторством: Камарчук, Г.В., та інші
Опубліковано: (2014)

Физические имитаторы мощных транзисторов
за авторством: Стевич, З.
Опубліковано: (2000)

Деформационные явления при мартенситных превращениях
за авторством: Коваль, Ю.Н., та інші
Опубліковано: (2006)

Аномальный фотовольтаический эффект в структуре с барьером Шоттки–Мотта
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2008)

Феномен явления «переходности»: теоретические аспекты
за авторством: Остапенко, С.А.
Опубліковано: (2007)