Физические явления в тонкобазовых транзисторных структурах
Экспериментально показано, что германиевые p⁺np- и кремниевые n⁺⁺pnn⁺-структуры в режиме запирания перехода со слаболегированной областью выполняют функцию биполярного транзистора с соответствующим рабочим диапазоном и фоточувствительностью. В режиме запирания перехода с сильнолегированной областью...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Физическая инженерия поверхности |
|---|---|
| Datum: | 2015 |
| Hauptverfasser: | Каримов, А.В., Ёдгорова, Д.М., Абдулхаев, О.А. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2015
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/108761 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Физические явления в тонкобазовых транзисторных структурах / А.В. Каримов, Д.М. Ёдгорова, О.А. Абдулхаев // Физическая инженерия поверхности. — 2015. — Т. 13, № 3. — С. 330-334. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineÄhnliche Einträge
Поверхностные явления в двумерных структурах макропористого кремния
von: Иванов, В.И., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Иванов, В.И., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Явление памяти в двухбарьерной n⁺⁺pnn⁺-структуре
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Исследование примесного фотоэффекта в двухбарьерных p-n-m-структурах
von: Ёдгорова, Д.М., et al.
Veröffentlicht: (2006)
von: Ёдгорова, Д.М., et al.
Veröffentlicht: (2006)
Высокочувствительный фотоприемник на основе германиевой двухбарьерной структуры с эффектом смыкания
von: Абдулхаев, О.А., et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: Абдулхаев, О.А., et al.
Veröffentlicht: (2015)
Исследование допустимой импульсной мощности кремниевой p+–p–n+-структуры
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Исследование переходных процессов в кремниевой p⁺pn⁺-структуре
von: Абдулхаев, О.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Абдулхаев, О.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Особенности согласования полевых транзисторных структур на минимум шум-фактора в дециметровом диапазоне
von: Королев, А.М.
Veröffentlicht: (2002)
von: Королев, А.М.
Veröffentlicht: (2002)
Исследование теплоотвода на основе тепловых труб для охлаждения транзисторных модулей
von: Гниличенко, В.И., et al.
Veröffentlicht: (1999)
von: Гниличенко, В.И., et al.
Veröffentlicht: (1999)
Концепция построения силовых цепей многоуровневого модульного преобразователя и его транзисторных модулей
von: Жемеров, Г.Г., et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: Жемеров, Г.Г., et al.
Veröffentlicht: (2018)
Электрофизические и фотоэлектрические характеристики трехбарьерной фотодиодной GaAs-структуры
von: Абдулхаев, О.А., et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: Абдулхаев, О.А., et al.
Veröffentlicht: (2018)
Функциональные характеристики полевого транзистора с управляющим р-n-переходом при различных режимах включения
von: Абдулхаев, О.А., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Абдулхаев, О.А., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Фототранзистор составной на полевых транзисторах
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Определение характеристик двухбарьерных фотодиодных структур с металлополупроводниковыми переходами
von: Ёдгорова, Д.М., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Ёдгорова, Д.М., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Исследование влияния потенциальных барьеров на механизмы токопереноса во встречновключенных двухбарьерных кремниевых структур
von: Абдулхаев, О.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Абдулхаев, О.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Многофункциональная гомопереходная арсенид-галлиевая n–p–m-структура
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Анализ переходных процессов в радиационно облученых кремниевых p+nn+-структурах
von: Рахматов, А.З., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Рахматов, А.З., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Анализ переходных процессов в радиационно облученых кремниевых p+nn+-структурах
von: Рахматов, А.З., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Рахматов, А.З., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Исследование процессов модуляции базовой области кремниевой p⁺р-n⁺-структуры
von: Ёдгорова, Д.М., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Ёдгорова, Д.М., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Ненасыщенный режим как альтернативный метод обеспечения устойчивости малошумящих усилителей на полевых транзисторных гетероструктурах
von: Королев, А.М., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Королев, А.М., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Системы фазовой автоподстройки частоты для транзисторных резонансных инверторов напряжения установок индукционного нагрева
von: Гуцалюк, В.Я., et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: Гуцалюк, В.Я., et al.
Veröffentlicht: (2015)
СИСТЕМЫ ФАЗОВОЙ АВТОПОДСТРОЙКИ ЧАСТОТЫ ДЛЯ ТРАНЗИСТОРНЫХ РЕЗОНАНСНЫХ ИНВЕРТОРОВ НАПРЯЖЕНИЯ УСТАНОВОК ИНДУКЦИОННОГО НАГРЕВА
von: Гуцалюк, В.Я., et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: Гуцалюк, В.Я., et al.
Veröffentlicht: (2015)
Физические характеристики комет 1980 г.
von: Андриенко, Д.А., et al.
Veröffentlicht: (1986)
von: Андриенко, Д.А., et al.
Veröffentlicht: (1986)
Кибер-физические системы
von: Летичевский, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2017)
von: Летичевский, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2017)
Исследование импульсных характеристик ограничителей напряжения
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Модификация барьерной структуры на основе pAlGaInAs–nGaAs последовательно соединенными потенциальными барьерами
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Физико-технологические аспекты создания низковольтных ограничителей напряжения на основе кремния
von: Рахматов, А.З., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Рахматов, А.З., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Исследование эффекта насыщения тока стока полевого транзистора с последовательно соединенными каналами
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Моделирование явления мимикрии в рекламной деятельности
von: Бакурова, А.В.
Veröffentlicht: (2013)
von: Бакурова, А.В.
Veröffentlicht: (2013)
Гистерезисные явления граничного трения
von: Ляшенко, Я.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Ляшенко, Я.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Термомагнитные явления в слоистых проводниках
von: Кириченко, О.В., et al.
Veröffentlicht: (2006)
von: Кириченко, О.В., et al.
Veröffentlicht: (2006)
ФМР в обмінно-зв’язаних багатошарових структурах
von: Козак, І.М., et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: Козак, І.М., et al.
Veröffentlicht: (2015)
Корреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоев и технологии их выращивания
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Некоторые особенности ограничителя тока на полевом транзисторе
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Макроквантовые явления в системе Сатурна
von: Гулак, Ю.К., et al.
Veröffentlicht: (1994)
von: Гулак, Ю.К., et al.
Veröffentlicht: (1994)
Исследование процесса формирования токовых характеристик кремниевого фотодиода с выпрямляющими барьерами
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2013)
О механизме явления рецессии
von: Гончар, Н.С., et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: Гончар, Н.С., et al.
Veröffentlicht: (2015)
Резонансные явления в центрах проскальзывания фазы
von: Агафонов, А.Б., et al.
Veröffentlicht: (2001)
von: Агафонов, А.Б., et al.
Veröffentlicht: (2001)
Двумерная теория поля и критические явления
von: Бабич, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: Бабич, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2018)
Акустические резонансные явления в твердом теле
von: Ганапольский, Е.М., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Ганапольский, Е.М., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Ähnliche Einträge
-
Поверхностные явления в двумерных структурах макропористого кремния
von: Иванов, В.И., et al.
Veröffentlicht: (2009) -
Явление памяти в двухбарьерной n⁺⁺pnn⁺-структуре
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2014) -
Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2009) -
Исследование примесного фотоэффекта в двухбарьерных p-n-m-структурах
von: Ёдгорова, Д.М., et al.
Veröffentlicht: (2006) -
Высокочувствительный фотоприемник на основе германиевой двухбарьерной структуры с эффектом смыкания
von: Абдулхаев, О.А., et al.
Veröffentlicht: (2015)