Основные положения теории высоколокального сканирующего СВЧ нагрева полупроводников и диэлектриков
В работе развиты предшествующие теоретические и экспериментальные исследования локального СВЧ нагрева полупроводников, диэлектриков и биообъектов. В результате сформулированы положения, оценивающие зависимость кинетики и локальности нагрева от длительности воздействующего СВЧ импульса, термодинамиче...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Физическая инженерия поверхности |
|---|---|
| Datum: | 2015 |
| Hauptverfasser: | , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2015
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/108764 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Основные положения теории высоколокального сканирующего СВЧ нагрева полупроводников и диэлектриков м/ Ю.Е. Гордиенко, Е.Л. Щербак, А.В. Левченко // Физическая инженерия поверхности. — 2015. — Т. 13, № 3. — С. 348-355. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |