Настройка отклоняющей структуры для ВЧ-дефлектора в S-частотном диапазоне
Приведены результаты настройки отклоняющей структуры в виде круглого диафрагмированного волновода с отверстиями в диафрагмах для стабилизации плоскости поляризации гибридной волны ЕН₁₁. Структура, состоящая из 16 ячеек с вводами мощности, была настроена на рабочей частоте с коэффициентом отражения м...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Вопросы атомной науки и техники |
|---|---|
| Дата: | 2012 |
| Автори: | , , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2012
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/108809 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Настройка отклоняющей структуры для ВЧ-дефлектора в S-частотном диапазоне / А.А. Анисимов, А.Ю. Смирнов, Н.П. Собенин, А.А. Завадцев, Д.А. Завадцев, В.Л. Кравчук, В.В. Парамонов // Вопросы атомной науки и техники. — 2012. — № 4. — С. 55-58. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1860080055161454592 |
|---|---|
| author | Анисимов, А.А. Смирнов, А.Ю. Собенин, Н.П. Завадцев, А.А. Завадцев, Д.А. Кравчук, В.Л. Парамонов, В.В. |
| author_facet | Анисимов, А.А. Смирнов, А.Ю. Собенин, Н.П. Завадцев, А.А. Завадцев, Д.А. Кравчук, В.Л. Парамонов, В.В. |
| citation_txt | Настройка отклоняющей структуры для ВЧ-дефлектора в S-частотном диапазоне / А.А. Анисимов, А.Ю. Смирнов, Н.П. Собенин, А.А. Завадцев, Д.А. Завадцев, В.Л. Кравчук, В.В. Парамонов // Вопросы атомной науки и техники. — 2012. — № 4. — С. 55-58. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Вопросы атомной науки и техники |
| description | Приведены результаты настройки отклоняющей структуры в виде круглого диафрагмированного волновода с отверстиями в диафрагмах для стабилизации плоскости поляризации гибридной волны ЕН₁₁. Структура, состоящая из 16 ячеек с вводами мощности, была настроена на рабочей частоте с коэффициентом отражения менее, чем -35 дБ. Среднеквадратичная неравномерность амплитуды отклоняющего поля не превышает 1 %, а вид волны 2π/3 в ячейках сохраняется с погрешностью менее 1 градуса.
Tuning procedure and results obtained for RF structure developed for PITZ deflector are presented. Deflector cavity operated in traveling wave TM₁₁ mode is based on cylindrical disk loaded waveguide geometry with two holes in diaphragms for field polarization plane stabilization. Cavity consisted of 14 cells and two power coupling cells was tuned to reflection better than -35 dB. Field flatness obtained is less than 1 % and 2π/3 operating mode is sustained within less than 1 degree.
Наведено результати настройки відхиляючої структури у вигляді круглого діафрагмованного хвилеводу з отворами в діафрагмах для стабілізації площини поляризації гібридної хвилі ЕН₁₁. Структура, що складається з 16 комірок з уводами потужності, була налаштована на робочій частоті з коефіцієнтом відображення менш, ніж -35 дБ. Середньоквадратична нерівномірність амплітуди відхиляючого поля не перевищує 1 %, а вид хвилі 2π/3 в комірках зберігається з погрішністю менше 1 градуса.
|
| first_indexed | 2025-12-07T17:15:52Z |
| format | Article |
| fulltext |
ISSN 1562-6016. ВАНТ. 2012. №4(80) 55
УДК 621.384.6.(075)
НАСТРОЙКА ОТКЛОНЯЮЩЕЙ СТРУКТУРЫ
ДЛЯ ВЧ-ДЕФЛЕКТОРА В S-ЧАСТОТНОМ ДИАПАЗОНЕ
А.А. Анисимов1, А.Ю. Смирнов1, Н.П. Собенин1, А.А. Завадцев2, Д.А. Завадцев2,
В.Л. Кравчук2, В.В. Парамонов2
1Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ», Москва, Россия;
2Институт ядерных исследований РАН, Москва, Россия
Приведены результаты настройки отклоняющей структуры в виде круглого диафрагмированного волно-
вода с отверстиями в диафрагмах для стабилизации плоскости поляризации гибридной волны ЕН11. Струк-
тура, состоящая из 16 ячеек с вводами мощности, была настроена на рабочей частоте с коэффициентом от-
ражения менее, чем -35 дБ. Среднеквадратичная неравномерность амплитуды отклоняющего поля не пре-
вышает 1 %, а вид волны 2π/3 в ячейках сохраняется с погрешностью менее 1 градуса.
ВВЕДЕНИЕ
ВЧ-дефлектор работает в режиме бегущей волны
на виде колебаний Θ = 2π/3 на дипольной гибридной
волне EН11. Для стабилизации плоскости поляриза-
ции волны используется конструкция с двумя ци-
линдрическими отверстиями [1, 2]. В работах [3-6]
рассмотрены основные электродинамические харак-
теристики (ЭДХ) ВЧ-дефлектора как с указанным
способом стабилизации плоскости поляризации ди-
польной волны, так и с другими конструктивными
решениями. Для проверки правильности расчетов
электродинамических характеристик отклоняющей
структуры и отработки стратегии ее настройки на
рабочую частоту с трансформаторами типа волны
(ТТВ) были изготовлены макеты ячеек и ТТВ из
алюминия и меди. Необходимость таких предвари-
тельных исследований связана с жесткими требова-
ниями, налагаемыми на качество согласования как
на входе в структуру, так и в самой структуре.
1. РЕЗОНАНСНЫЙ МАКЕТ
С целью проверки правильности расчета ЭДХ
ВЧ-дефлектора были изготовлены резонансные ма-
кеты, состоящие из двух ячеек и двух полуячеек.
Сначала резонансный макет изготавливался из алю-
миния, а затем из меди. Измерения проводились с
учетом температуры и влажности окружающей сре-
ды. На Рис.1 и Рис.2 представлены фотографии яче-
ек, из которых собиралась отклоняющая структура,
и медного резонансного макета.
На медном резонансном макете проведены изме-
рения отношения погонного поперечного шунтового
сопротивления к добротности методом малых воз-
мущений. Измерения проведены как по результатам
измерения резонансной частоты ∆f (резонансный
метод), так и изменения модуля коэффициента от-
ражения ∆S11 (нерезонансный метод). В качестве
возмущающих тел первоначально использовался
диэлектрический шарик, перемещаемый по оси ма-
кета, а также два цилиндрических тела, ориентиро-
ванные по направлению электрических силовых
линий в плоскости поляризации волны. В последнее
время разработана методика измерений поперечного
шунтового сопротивления с использованием в до-
полнении к диэлектрическому цилиндру и кольце-
вого зонда, который позволяет точнее учесть вклад
составляющей магнитного поля [7].
Рис.1. Макет из трех ячеек
Рис.2. Ячейки регулярной части дефлектора
2. КОМПЬЮТЕРНОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ
СОГЛАСОВАНИЯ ТТВ С РЕГУЛЯРНОЙ
ЧАСТЬЮ ВЧ-ДЕФЛЕКТОРА
На Рис.3 представлена структура ВЧ-дефлектора,
состоящая из 14 регулярных ячеек и двух ТТВ.
Вспомогательные волноводы на рабочей частоте
являются запредельными для волны Н10 [3, 4].
Рис.3. Распределение комплексного электрического
поля вдоль структуры (при согласованных ТТВ)
При настройке структуры на бегущей волне важ-
но обеспечить согласование не только на ее входе,
но и на выходе. В противном случае в структуре
возникнут резонансные колебания, которые не ус-
пеют затухнуть к моменту прихода следующего сгу-
стка. Таким образом, при согласовании ТТВ важно,
чтобы отражения внутри структуры отсутствовали.
Качество согласования можно оценить по равно-
мерности поля на оси структуры, вводя коэффици-
ент качества в виде:
%100⋅
+
−
=
минмакс
минмакс
EE
EE
K ,
ISSN 1562-6016. ВАНТ. 2012. №4(80) 56
где Емакс и Емин – максимальная и минимальная ве-
личины напряженности отклоняющего поля на оси z
структуры D
yyк ezEzE α⋅= )()( , где α – коэффициент
затухания, D – период структуры. Таким образом, К
можно рассматривать как коэффициент отражения
S11 внутри структуры.
Настройку ТТВ осуществляют путем изменения
радиуса R ячейки ТТВ и ширины окна связи X этой
ячейки с подводящим прямоугольным волноводом
(Рис.4). На Рис.5 и 6 приведены результаты расчета
влияния этих размеров на коэффициент качества К и
модуль коэффициента отражения на входе структуры
S11. Пунктирной линией обозначены зависимости для
окна связи X = 32,95 мм, непрерывной линией – для
X = 33,03 мм, светлой штриховкой –для X = 33,15 мм,
темной штриховкой – X = 33,25 мм. Лучшие условия
согласования (минимальное значение величины
K = 0,86% и S11=-37 дБ) получаются при значениях
R = 52,53 мм и Х = 33,03 мм.
Рис.4. Эскиз ТТВ
0
5
10
15
52.45 52.50 52.55 52.60 52.65
R, мм
К,
%
Рис.5. Зависимость коэффициента качества
на входе структуры от радиуса ячейки ТТВ
при разных величинах окна связи
15
20
25
30
35
40
45
52.45 52.50 52.55 52.60 52.65
R, мм
|S11|,
дБ
Рис.6. Зависимость коэффициента отражения
на входе структуры от радиуса ячейки ТТВ
при разных величинах окна связи
В процессе настройки структуры с ТТВ нужно
отслеживать правильность настройки на рабочий
вид колебаний, то есть, чтобы величина сдвига фазы
на период структуры соответствовала 120°. На Рис.7
и Рис.8 представлены амплитуды комплексной ве-
личины поперечной составляющей электрического
поля на оси структуры и сдвига фазы на период
структуры вдоль ее длины для настроенного
(R = 52,53 мм, X = 33,03 мм) и ненастроенного
(R = 52,33 мм, X = 33,23 мм) вариантов. Распределе-
ние поля на Рис.7 представляет собой амплитуду
комплексной радиальной компоненты электриче-
ского поля. Причем расчет поля проводился с уче-
том электрических потерь в стенках структуры, ко-
торые соответствуют расчетному значению коэф-
фициента затухания α= 0,168 м-1 и хорошо просле-
живаются в распределении поля для структуры с
настроенным ТТВ (см. Рис.7,б).
a б
Рис.7. Комплексная величина поперечного электриче-
ского поля на оси структуры в функции ее длины для
ненастроенного (а) и настроенного (б) вариантов
Рис.8. Распределение сдвига фазы на период струк-
туры по ее длине для ненастроенного (штриховая
линия) и настроенного (сплошная линия) вариантов
3. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ СОГЛАСО-
ВАНИЕ ТТВ С РЕГУЛЯРНОЙ ЧАСТЬЮ
ВЧ-ДЕФЛЕКТОРА ДО ПАЙКИ
По результатам компьютерного моделирования
настройки ТТВ изготовлены два ТТВ из алюминия.
Для подстройки радиуса ячейки предусмотрены
подстроечные винты, а изменение окна связи можно
осуществлять как расточкой его, так и приклеивани-
ем полосок из фольги разной толщины к краю окна
связи. Процедура настройки алюминиевого макета
ТТВ осуществляется по тому же принципу, что и в
компьютерной модели, но есть некоторые техниче-
ские отличия. Например, в компьютерной модели
радиус и окно связи на входном и выходном ТТВ
меняли одновременно, в то время как с алюминие-
выми макетами ТТВ меняли размеры последова-
тельно − сначала настраивали выходной ТТВ, меняя
его размеры R и X до получения минимально воз-
можного значения коэффициента качества. Затем
меняли местами входной и выходной ТТВ (Рис.9) и
проводили настройку второго ТТВ, изменяя его
размеры R и X.
Рис.9. Настройка ТТВ дефлектора
ISSN 1562-6016. ВАНТ. 2012. №4(80) 57
На Рис.10 и 11 приведены полученные в резуль-
тате такой настройки зависимости распределения
комплексной величины поперечной напряженности
электрического поля на оси структуры и отклонение
сдвига фазы волны на периоде структуры от 120°.
Видно, что для неспаянной конструкции получены
хорошие результаты как в отношении коэффициента
качества (менее 1 %), так и сдвига фазы волны на
период структуры от рабочего вида колебаний в
пределах 2 градусов.
Рис.10. Поперечное отклоняющее поле по длине
структуры для случая согласованных входного
и выходного ТТВ
Рис.11. Отклонения фазы волны относительно 120°
по длине структуры для случая согласованных
входного и выходного ТТВ
На Рис.12 изображена расчетная зависимость ко-
эффициента отражения отклоняющей структуры в
функции частоты, определенная со стороны входного
ТТВ. На рабочей частоте значение S11 равно 39 дБ.
Рис.12. Расчетная зависимость коэффициента
отражения в функции частоты
4. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ
ИССЛЕДОВАНИЕ ВЧ-ДЕФЛЕКТОРА
ПОСЛЕ ПАЙКИ
На Рис.13 представлена фотография структуры в
печи после ее пайки. Проведены измерения коэффи-
циентов отражения на входе структуры и в секции
до настройки. Соответствующие значения составили
(-25) дБ и (-23) дБ соответственно. Сначала прово-
дили подстройку выходного ТТВ деформацией
стенки ячейки. Для настройки ячеек в обечайке ка-
ждой из них предусмотрены две концентрические
цилиндрические выточки, причем цилиндр в центре
ее имеет резьбу. Такое устройство (Рис.14) позволя-
ет осуществлять двухстороннюю деформацию стен-
ки ячеек и изменять частоту как в сторону увеличе-
ния, так и в сторону уменьшения.
На Рис.15 приведены результаты измерения мето-
дом возмущения комплексного значения коэффици-
ента отражения S11. Измерения проведены на частоте
2997,2 МГц при температуре 25°С и влажности воз-
духа 60 %, что соответствует условиям вакуума на
этой же частоте при температуре структуры 45°С.
Рис.13. ВЧ-дефлектор после пайки
Рис.14. Конструкция для подстройки частоты ячеек
На Рис.16 изображено измеренное отклоняющее
поле на оси структуры в сечениях диафрагм после
пайки и после настройки, а также поле с коррекцией
затухания. Средняя квадратичная неоднородность
поля в средине регулярной части структуры состав-
ляет (при учете затухания) 1,8 %. Это соответствует
коэффициенту отражения в структуре (-31) дБ. А
измеренный разброс в сдвиге фазы на ячейку не пре-
вышает 1° относительно 120°.
Рис.15. Комплексное значение коэффициента отраже-
ния при измерении поля методом малых возмущений
ISSN 1562-6016. ВАНТ. 2012. №4(80) 58
Рис.16. Поперечное электрическое поле
Измеренный на входе структуры коэффициент от-
ражения в широкой полосе частот представлен на
Рис.17, а вблизи рабочей частоты – на Рис.18. Коэффи-
циент отражения на рабочей частоте составляет (-35) дБ.
Частота, МГц
Рис.17. Коэффициент отражения
в широком диапазоне частот
Частота, кГц; центральная частота 2997,2 МГц
Рис.18. Коэффициент отражения ВЧ-дефлектора
вблизи рабочей частоты
ВЫВОДЫ
В ходе работы по созданию поперечной откло-
няющей структуры на основе круглого диафрагми-
рованного волновода с двумя стабилизирующими
отверстиями в диафрагме был выполнен полный
комплекс исследовательских, проектных и экспери-
ментальных работ, включая компьютерное модели-
рование, расчет геометрических размеров структу-
ры, расчет трансформатора типа волны, расчет элек-
тродинамических характеристик, эксперименталь-
ное моделирование, инженерный проект структуры,
изготовление, настройка и тестирование рабочего
экземпляра дефлектора.
Измеренные параметры настроенной отклоняю-
щей структуры после пайки полностью соответст-
вуют расчетным параметрам, что показывает верные
проектирование и изготовление дефлектора.
Авторы выражают искреннюю благодарность
сотрудникам DESY Frank Stephan, Christopher Gerth
и Markus Huening.
БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК
1. D. Denisenko, V. Paramonov. Transverse Deflection
StructureParameters Study // Proceeding of RUPAC-
2008, Zvenigorod, Russia, 2008, р.37.
2. A. Anisimov, et al. Layout of the PITZ Transverse
Deflecting Phase Space and Slice Emittance Meas-
urements // XXV International Linear Accelerator
Conference, Tsukuba, Jupan, September, 2010.
3. А.А. Анисимов и др. Структура с поперечным
отклоняющим полем для лазера на свободных
электронах // Приборы и техника эксперимента.
2010, №1, с.117-124.
4. A.A. Anisimov, et al. Travelling wave deflector for
electron laser // Problems of Atomic Sciences and
Technology. Series “Nuclear Physics Investiga-
tions”, 2010, №2, (66), c.56-60.
5. A.A. Anisimov, et al. Stabilization of the polariza-
tion plane in travelling wave deflectors // The first
International Particle Accelerator Conference,
Kyoto, Japan, May 2010.
6. V.V. Paramonov, L.V. Kravchuk. The resonant
method of stabilization for plane of deflection in the
disk loaded deflecting structures // XXV Interna-
tional Linear Accelerator Conference, Tsukuba, Ja-
pan, September, 2010.
7. A.Yu. Smirnov, et al. The Measurement of Trans-
versal Shunt Impedance of the RF Deflector // The
second International Particle Accelerator Confer-
ence, Sun Sebastian, Spain, September, 2011.
Статья поступила в редакцию 25.09.2011 г.
S-BAND DEFLECTING STRUCTURE TUNING
A.A. Anisimov, A.Yu. Smirnov, N.P. Sobenin, A.A. Zavadzev, D.A. Zavadzev, V.L. Kravchuk, V.V. Paramonov
Tuning procedure and results obtained for RF structure developed for PITZ deflector are presented. Deflector
cavity operated in traveling wave TM11 mode is based on cylindrical disk loaded waveguide geometry with two
holes in diaphragms for field polarization plane stabilization. Cavity consisted of 14 cells and two power coupling
cells was tuned to reflection better than -35 dB. Field flatness obtained is less than 1 % and 2π/3 operating mode is
sustained within less than 1 degree.
НАСТРОЙКА ВІДХИЛЯЮЧОЇ СТРУКТУРИ ДЛЯ ВЧ-ДЕФЛЕКТОРА В S-ЧАСТОТНОМУ ДІАПАЗОНІ
А.А. Анісімов, А.Ю. Смирнов, Н.П. Собєнін, А.А. Завадцев, Д.А. Завадцев, В.Л. Кравчук, В.В. Парамонов
Наведено результати настройки відхиляючої структури у вигляді круглого діафрагмованного хвилеводу з
отворами в діафрагмах для стабілізації площини поляризації гібридної хвилі ЕН11. Структура, що складаєть-
ся з 16 комірок з уводами потужності, була налаштована на робочій частоті з коефіцієнтом відображення
менш, ніж -35 дБ. Середньоквадратична нерівномірність амплітуди відхиляючого поля не перевищує 1 %, а
вид хвилі 2π/3 в комірках зберігається з погрішністю менше 1 градуса.
|
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-108809 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1562-6016 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T17:15:52Z |
| publishDate | 2012 |
| publisher | Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Анисимов, А.А. Смирнов, А.Ю. Собенин, Н.П. Завадцев, А.А. Завадцев, Д.А. Кравчук, В.Л. Парамонов, В.В. 2016-11-16T10:36:01Z 2016-11-16T10:36:01Z 2012 Настройка отклоняющей структуры для ВЧ-дефлектора в S-частотном диапазоне / А.А. Анисимов, А.Ю. Смирнов, Н.П. Собенин, А.А. Завадцев, Д.А. Завадцев, В.Л. Кравчук, В.В. Парамонов // Вопросы атомной науки и техники. — 2012. — № 4. — С. 55-58. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. 1562-6016 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/108809 621.384.6.(075) Приведены результаты настройки отклоняющей структуры в виде круглого диафрагмированного волновода с отверстиями в диафрагмах для стабилизации плоскости поляризации гибридной волны ЕН₁₁. Структура, состоящая из 16 ячеек с вводами мощности, была настроена на рабочей частоте с коэффициентом отражения менее, чем -35 дБ. Среднеквадратичная неравномерность амплитуды отклоняющего поля не превышает 1 %, а вид волны 2π/3 в ячейках сохраняется с погрешностью менее 1 градуса. Tuning procedure and results obtained for RF structure developed for PITZ deflector are presented. Deflector cavity operated in traveling wave TM₁₁ mode is based on cylindrical disk loaded waveguide geometry with two holes in diaphragms for field polarization plane stabilization. Cavity consisted of 14 cells and two power coupling cells was tuned to reflection better than -35 dB. Field flatness obtained is less than 1 % and 2π/3 operating mode is sustained within less than 1 degree. Наведено результати настройки відхиляючої структури у вигляді круглого діафрагмованного хвилеводу з отворами в діафрагмах для стабілізації площини поляризації гібридної хвилі ЕН₁₁. Структура, що складається з 16 комірок з уводами потужності, була налаштована на робочій частоті з коефіцієнтом відображення менш, ніж -35 дБ. Середньоквадратична нерівномірність амплітуди відхиляючого поля не перевищує 1 %, а вид хвилі 2π/3 в комірках зберігається з погрішністю менше 1 градуса. Авторы выражают искреннюю благодарность
 сотрудникам DESY Frank Stephan, Christopher Gerth
 и Markus Huening. ru Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України Вопросы атомной науки и техники Элементы ускорителей Настройка отклоняющей структуры для ВЧ-дефлектора в S-частотном диапазоне S-band deflecting structure tuning Настройка відхиляючої структури для ВЧ-дефлектора в S-частотному діапазоні Article published earlier |
| spellingShingle | Настройка отклоняющей структуры для ВЧ-дефлектора в S-частотном диапазоне Анисимов, А.А. Смирнов, А.Ю. Собенин, Н.П. Завадцев, А.А. Завадцев, Д.А. Кравчук, В.Л. Парамонов, В.В. Элементы ускорителей |
| title | Настройка отклоняющей структуры для ВЧ-дефлектора в S-частотном диапазоне |
| title_alt | S-band deflecting structure tuning Настройка відхиляючої структури для ВЧ-дефлектора в S-частотному діапазоні |
| title_full | Настройка отклоняющей структуры для ВЧ-дефлектора в S-частотном диапазоне |
| title_fullStr | Настройка отклоняющей структуры для ВЧ-дефлектора в S-частотном диапазоне |
| title_full_unstemmed | Настройка отклоняющей структуры для ВЧ-дефлектора в S-частотном диапазоне |
| title_short | Настройка отклоняющей структуры для ВЧ-дефлектора в S-частотном диапазоне |
| title_sort | настройка отклоняющей структуры для вч-дефлектора в s-частотном диапазоне |
| topic | Элементы ускорителей |
| topic_facet | Элементы ускорителей |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/108809 |
| work_keys_str_mv | AT anisimovaa nastroikaotklonâûŝeistrukturydlâvčdeflektoravsčastotnomdiapazone AT smirnovaû nastroikaotklonâûŝeistrukturydlâvčdeflektoravsčastotnomdiapazone AT sobeninnp nastroikaotklonâûŝeistrukturydlâvčdeflektoravsčastotnomdiapazone AT zavadcevaa nastroikaotklonâûŝeistrukturydlâvčdeflektoravsčastotnomdiapazone AT zavadcevda nastroikaotklonâûŝeistrukturydlâvčdeflektoravsčastotnomdiapazone AT kravčukvl nastroikaotklonâûŝeistrukturydlâvčdeflektoravsčastotnomdiapazone AT paramonovvv nastroikaotklonâûŝeistrukturydlâvčdeflektoravsčastotnomdiapazone AT anisimovaa sbanddeflectingstructuretuning AT smirnovaû sbanddeflectingstructuretuning AT sobeninnp sbanddeflectingstructuretuning AT zavadcevaa sbanddeflectingstructuretuning AT zavadcevda sbanddeflectingstructuretuning AT kravčukvl sbanddeflectingstructuretuning AT paramonovvv sbanddeflectingstructuretuning AT anisimovaa nastroikavídhilâûčoístrukturidlâvčdeflektoravsčastotnomudíapazoní AT smirnovaû nastroikavídhilâûčoístrukturidlâvčdeflektoravsčastotnomudíapazoní AT sobeninnp nastroikavídhilâûčoístrukturidlâvčdeflektoravsčastotnomudíapazoní AT zavadcevaa nastroikavídhilâûčoístrukturidlâvčdeflektoravsčastotnomudíapazoní AT zavadcevda nastroikavídhilâûčoístrukturidlâvčdeflektoravsčastotnomudíapazoní AT kravčukvl nastroikavídhilâûčoístrukturidlâvčdeflektoravsčastotnomudíapazoní AT paramonovvv nastroikavídhilâûčoístrukturidlâvčdeflektoravsčastotnomudíapazoní |