Энергетические и частотные характеристики GaAs диодов Ганна с AlxGa1-xAs и GaPxAs1-x катодами
С помощью двухуровневой модели междолинного переноса электронов (МПЭ) в полупроводниках исследована работа
 GaAs диодов Ганна с AlxGa1-xAs и GaPxAs1-x катодами. Показаны основные закономерности и особенности работы приборов с МПЭ,
 у которых катодным контактом является изотипный, пря...
Збережено в:
| Дата: | 2007 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України
2007
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/10891 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Энергетические и частотные характеристики GaAs диодов Ганна с AlxGa1-xAs и GaPxAs1-x катодами / И.П. Стороженко, Ю.В. Аркуша, Э.Д. Прохоров // Радіофізика та електроніка. — 2007. — Т. 12, № 3. — С. 579-583. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862725343416156160 |
|---|---|
| author | Стороженко, И.П. Аркуша, Ю.В. Прохоров, Э.Д. |
| author_facet | Стороженко, И.П. Аркуша, Ю.В. Прохоров, Э.Д. |
| citation_txt | Энергетические и частотные характеристики GaAs диодов Ганна с AlxGa1-xAs и GaPxAs1-x катодами / И.П. Стороженко, Ю.В. Аркуша, Э.Д. Прохоров // Радіофізика та електроніка. — 2007. — Т. 12, № 3. — С. 579-583. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| description | С помощью двухуровневой модели междолинного переноса электронов (МПЭ) в полупроводниках исследована работа
GaAs диодов Ганна с AlxGa1-xAs и GaPxAs1-x катодами. Показаны основные закономерности и особенности работы приборов с МПЭ,
у которых катодным контактом является изотипный, прямосмещенный гетеропереход. Вычислены энергетические и частотные
характеристики. Определены предельные рабочие частоты.
За допомогою дворівневої моделі міждолинного переносу електронів (МПЕ) у напівпровідниках досліджена робота GaAs діодів Ганна з AlxGa1-xAs и GaPxAs1-x катодами. Показані основні закономірності та особливості роботи приладів з МПЕ, у яких катодним контактом є ізотопний, прямозміщений гетероперехід на катодному контакті. Розраховані енергетичні та частотні характеристики. Визначені граничні робочі частоти.
Operation of the GaAs TED’s with AlxGa1-xAs and GaPxAs1-x cathodes is studied with the two-level model of intervalley electron transfer in the semiconductors. Fundamental behaviors and specialty operation of the GaAs TED’s with forward bias isotype heterojunction in cathode are defined. Energy and frequency characteristics are calculated. Boundary operation frequencies are determined.
|
| first_indexed | 2025-12-07T18:51:56Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-10891 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1028-821X |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T18:51:56Z |
| publishDate | 2007 |
| publisher | Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Стороженко, И.П. Аркуша, Ю.В. Прохоров, Э.Д. 2010-08-09T14:11:45Z 2010-08-09T14:11:45Z 2007 Энергетические и частотные характеристики GaAs диодов Ганна с AlxGa1-xAs и GaPxAs1-x катодами / И.П. Стороженко, Ю.В. Аркуша, Э.Д. Прохоров // Радіофізика та електроніка. — 2007. — Т. 12, № 3. — С. 579-583. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. 1028-821X https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/10891 621.382.2 С помощью двухуровневой модели междолинного переноса электронов (МПЭ) в полупроводниках исследована работа
 GaAs диодов Ганна с AlxGa1-xAs и GaPxAs1-x катодами. Показаны основные закономерности и особенности работы приборов с МПЭ,
 у которых катодным контактом является изотипный, прямосмещенный гетеропереход. Вычислены энергетические и частотные
 характеристики. Определены предельные рабочие частоты. За допомогою дворівневої моделі міждолинного переносу електронів (МПЕ) у напівпровідниках досліджена робота GaAs діодів Ганна з AlxGa1-xAs и GaPxAs1-x катодами. Показані основні закономірності та особливості роботи приладів з МПЕ, у яких катодним контактом є ізотопний, прямозміщений гетероперехід на катодному контакті. Розраховані енергетичні та частотні характеристики. Визначені граничні робочі частоти. Operation of the GaAs TED’s with AlxGa1-xAs and GaPxAs1-x cathodes is studied with the two-level model of intervalley electron transfer in the semiconductors. Fundamental behaviors and specialty operation of the GaAs TED’s with forward bias isotype heterojunction in cathode are defined. Energy and frequency characteristics are calculated. Boundary operation frequencies are determined. ru Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України Вакуумная и твердотельная электроника Энергетические и частотные характеристики GaAs диодов Ганна с AlxGa1-xAs и GaPxAs1-x катодами Енергетичні та частотні характеристики GaAs діодів Ганна з AlxGa1-xAs i GaPxAs1-x катодами Energy and frequency characteristics of GaAs Gunn diodes with AlxGa1-xAs and GaPxAs1-x cathodes Article published earlier |
| spellingShingle | Энергетические и частотные характеристики GaAs диодов Ганна с AlxGa1-xAs и GaPxAs1-x катодами Стороженко, И.П. Аркуша, Ю.В. Прохоров, Э.Д. Вакуумная и твердотельная электроника |
| title | Энергетические и частотные характеристики GaAs диодов Ганна с AlxGa1-xAs и GaPxAs1-x катодами |
| title_alt | Енергетичні та частотні характеристики GaAs діодів Ганна з AlxGa1-xAs i GaPxAs1-x катодами Energy and frequency characteristics of GaAs Gunn diodes with AlxGa1-xAs and GaPxAs1-x cathodes |
| title_full | Энергетические и частотные характеристики GaAs диодов Ганна с AlxGa1-xAs и GaPxAs1-x катодами |
| title_fullStr | Энергетические и частотные характеристики GaAs диодов Ганна с AlxGa1-xAs и GaPxAs1-x катодами |
| title_full_unstemmed | Энергетические и частотные характеристики GaAs диодов Ганна с AlxGa1-xAs и GaPxAs1-x катодами |
| title_short | Энергетические и частотные характеристики GaAs диодов Ганна с AlxGa1-xAs и GaPxAs1-x катодами |
| title_sort | энергетические и частотные характеристики gaas диодов ганна с alxga1-xas и gapxas1-x катодами |
| topic | Вакуумная и твердотельная электроника |
| topic_facet | Вакуумная и твердотельная электроника |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/10891 |
| work_keys_str_mv | AT storoženkoip énergetičeskieičastotnyeharakteristikigaasdiodovgannasalxga1xasigapxas1xkatodami AT arkušaûv énergetičeskieičastotnyeharakteristikigaasdiodovgannasalxga1xasigapxas1xkatodami AT prohorovéd énergetičeskieičastotnyeharakteristikigaasdiodovgannasalxga1xasigapxas1xkatodami AT storoženkoip energetičnítačastotníharakteristikigaasdíodívgannazalxga1xasigapxas1xkatodami AT arkušaûv energetičnítačastotníharakteristikigaasdíodívgannazalxga1xasigapxas1xkatodami AT prohorovéd energetičnítačastotníharakteristikigaasdíodívgannazalxga1xasigapxas1xkatodami AT storoženkoip energyandfrequencycharacteristicsofgaasgunndiodeswithalxga1xasandgapxas1xcathodes AT arkušaûv energyandfrequencycharacteristicsofgaasgunndiodeswithalxga1xasandgapxas1xcathodes AT prohorovéd energyandfrequencycharacteristicsofgaasgunndiodeswithalxga1xasandgapxas1xcathodes |