Cover Image

Энергетические и частотные характеристики GaAs диодов Ганна с AlxGa1-xAs и GaPxAs1-x катодами

С помощью двухуровневой модели междолинного переноса электронов (МПЭ) в полупроводниках исследована работа GaAs диодов Ганна с AlxGa1-xAs и GaPxAs1-x катодами. Показаны основные закономерности и особенности работы приборов с МПЭ, у которых катодным контактом является изотипный, пря...

Full description

Saved in:

Bibliographic Details
Date:	2007
Main Authors:	Стороженко, И.П., Аркуша, Ю.В., Прохоров, Э.Д.
Format:	Article
Language:	Russian
Published:	Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України 2007
Subjects:	Вакуумная и твердотельная электроника
Online Access:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/10891
Tags:	Add Tag No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:	Энергетические и частотные характеристики GaAs диодов Ганна с AlxGa1-xAs и GaPxAs1-x катодами / И.П. Стороженко, Ю.В. Аркуша, Э.Д. Прохоров // Радіофізика та електроніка. — 2007. — Т. 12, № 3. — С. 579-583. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Similar Items

Concentration-dimension dependences for the electron energy in AlxGa1-xAs/GaAs/AlxGa1-xAs nanofilms
by: D. V. Kondryuk, et al.
Published: (2014)

Concentration-size dependences for the electron energy in AlxGa₁₋xAs/GaAs/AlxGa₁₋xAs nanofilms
by: Kondryuk, D.V., et al.
Published: (2014)

Thickness, concentration, and temperature dependences of exciton transition energies in AlxGa1–xAs/GaAs/AlxGa1–xAs nanofilms
by: D. V. Kondriuk, et al.
Published: (2015)

Thickness, concentration, and temperature dependences of exciton transition energies in AlxGa1–xAs/GaAs/AlxGa1–xAs nanofilms
by: D. V. Kondryuk, et al.
Published: (2015)

Theory of high-field electron transport in the heterostructures AlxGa₁₋xAs/GaAs/AlxGa₁₋xAs with delta-doped barriers. Effect of real-space transfer
by: Korotyeyev, V.V.
Published: (2015)

Theory of high-field electron transport in the heterostructures AlxGa1-xAs/GaAs/AlxGa1-x with delta-doped barriers. Effect of real-space transfer
by: V. V. Korotyeyev
Published: (2015)

Влияние металлического контакта к запорному InxGa1-xAs-GaAs-гетерокатоду на работу GaAs-диодов Ганна
by: Аркуша, Ю.В., et al.
Published: (2004)

Вплив нейтронного опромінення на характеристики світлодіодів AlxGa1–xAs
by: Сизов, Ф.Ф., et al.
Published: (2009)

Temperature changes in the exciton absorption band observed in flat double nanoheterostructures GaAs/AlxGa1-xAs
by: D. V. Kondryuk, et al.
Published: (2015)

Optical properties of GaAs/AlxGa1-xAs/GaAs quantum dot with off-central impurity driven by electric field
by: Holovatsky, V.A., et al.
Published: (2018)

Temperature changes in the excitonic absorption band in flat double nanoheterostructures GaAs/AlxGa₁₋xAs
by: Kondryuk, D.V., et al.
Published: (2015)

Temperature changes in the excitonic absorption band in flat double nanoheterostructures GaAs/AlxGa₁₋xAs
by: Kondryuk, D.V., et al.
Published: (2015)

Electron- and hole-phonon interaction in quantum dot embedded into semiconductor medium (GaAs/AlxGa₁₋xAs)
by: Tkach, M.V., et al.
Published: (2001)

Залежнiсть енергiї екситонних переходiв у наноплiвках AlxGa1−xAs/GaAs/AlxGa1−xAs вiд товщини, концентрацiї та температури
by: Kondryuk, D. V., et al.
Published: (2019)

Experimental study and theoretical analysis of photoelectric characteristics of AlxGa₁₋xAs–p-GaAs–n-GaAs-based photoconverters with relief interfaces
by: Dmitruk, N.L., et al.
Published: (2005)

Резонансно-туннельные диоды на основе нитридов AlN/AlxGa1-xN, GaN/InxGa1-xN
by: Боцула, О.В., et al.
Published: (2008)

Photoconverters with microrelief p-n-junction on a basis of p AlxGa₁₋x-p GaAs-n GaAs-n⁺ GaAs heterojunction
by: Karimov, A.V., et al.
Published: (2005)

Effect of an InxGa1-xAs-GaAs blocking heterocathode metal contact on the GaAs TED operation
by: Arkusha, Yu. V., et al.
Published: (2013)

Excitonic parameters of InxGa1-xAs−GaAs heterostructures with quantum wells at low temperatures
by: N. M. Litovchenko, et al.
Published: (2013)

Excitonic parameters of InxGa1-xAs−GaAs heterostructures with quantum wells at low temperatures
by: N. M. Lytovchenko, et al.
Published: (2013)

Диоды Ганна на основе варизонного Alx(z)Ga1-x(z)As c различными катодными контактами
by: Стороженко, И.П.
Published: (2006)

Instability of homogeneous composition of highly strained quantum wells in heterostructures GaAs/InxGa₁₋xAs/GaAs
by: Klimovskaya, A.I., et al.
Published: (2002)

Electrophysical characteristics of GaAs1-xPx LEDs irradiated by 2 MeV electrons
by: R. M. Vernydub, et al.
Published: (2020)

Екситоннi характеристики InxGa1-xAs-GaAs гетероструктур з квантовими ямами при низьких температурах
by: Litovchenko, N. M., et al.
Published: (2018)

Перспективы использования диодов Ганна на основе GaN, AlN и InN
by: Стороженко, И.П., et al.
Published: (2011)

О резонансной частоте диодов Ганна на основе варизонных полупроводников AlGaAs, GaPAs и GaSbAs
by: Стороженко, И.П., et al.
Published: (2011)

Вплив дефектних станів інтерфейсу на фотоелектричні властивості гетероструктур InxGa1-xAs/GaAs з квантовими точками
by: Vakulenko, O.V., et al.
Published: (2022)

Magnetic field effect on the binding energy of a hydrogenic impurity in GaAs-Ga₁₋xAlxAs superlattice
by: Abouelaoualim, D.
Published: (2005)

Alx(z)Ga1-x(z)As Variband Gunn Diodes with Different Cathode Contacts
by: Storozhenko, I. P.
Published: (2013)

Квантовый магнитотранспорт в двойной квантовой яме n-InxGa₁₋xAs/GaAs в наклонных магнитных полях
by: Якунин, М.В., et al.
Published: (2007)

Технология изготовления GaAs-диодов Ганна для диапазона коротких миллимитровых длин волн
by: Ivanov, V. N., et al.
Published: (2006)

Технология изготовления GaAs-диодов Ганна для диапазона коротких миллиметровых длин волн
by: Иванов, В.Н., et al.
Published: (2006)

Negative differential resistance and spectral characteristics of original and electron-irradiated (with E = 2 MeV) GaAs1-xPx LEDs
by: T. I. Mosiuk, et al.
Published: (2024)

Варизонный AlGaInAs-диод Ганна
by: Стороженко, И.П., et al.
Published: (2016)

Кристалічна структура фаз серій Y1+x(Cu,Ga)4−x та Y3+x(Cu,Ga)11−x
by: Білявина, Н.М., et al.
Published: (2011)

Structural changes in multilayer systems containing InxGa₁₋xAs₁₋yNy quantum wells
by: Fodchuk, I.M., et al.
Published: (2003)

GaAs диоды Ганна с AlAs-GaAs-AlAs резонансно туннельным катодом
by: Стороженко, И.П., et al.
Published: (2006)

Диоды Ганна на основе варизонных InBN и GaBN
by: Стороженко, И.П., et al.
Published: (2014)

Мессбауэровские исследования CoGa₂-xFexO₄ (x=0,8;1)
by: Султанов, Г.Д., et al.
Published: (1996)

Особенности возникновения и дрейфа волн объёмного заряда в приборах с междолинным переносом электронов на основе варизонного GaPx(z)As1-x(z)
by: Стороженко, И.П.
Published: (2007)