Энергетические и частотные характеристики GaAs диодов Ганна с AlxGa1-xAs и GaPxAs1-x катодами

• Date: 2007
• Main Authors: Стороженко, И.П., Аркуша, Ю.В., Прохоров, Э.Д.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України 2007
• Subjects: Вакуумная и твердотельная электроника
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/10891
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Энергетические и частотные характеристики GaAs диодов Ганна с AlxGa1-xAs и GaPxAs1-x катодами / И.П. Стороженко, Ю.В. Аркуша, Э.Д. Прохоров // Радіофізика та електроніка. — 2007. — Т. 12, № 3. — С. 579-583. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.

С помощью двухуровневой модели междолинного переноса электронов (МПЭ) в полупроводниках исследована работа GaAs диодов Ганна с AlxGa1-xAs и GaPxAs1-x катодами. Показаны основные закономерности и особенности работы приборов с МПЭ, у которых катодным контактом является изотипный, прямосмещенный гете...