Методы определения высоты барьера шоттки из вольт-амперных характеристик (обзор)

Методы определения высоты барьера шоттки из вольт-амперных характеристик (обзор)

Приведен обзор методов определения высоты барьера Шоттки из результатов измерений вольт-амперных характеристик (ВАХ) применительно к широкозонным полупроводникам. Проведена апробация этих методов на примере диодов Шоттки Au–TiB₂–n-SiC 6H. Показано повышение точности для методов, учитывающих влияние...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
Datum:2014
Hauptverfasser: Кудрик, Я.Я., Шинкаренко, В.В., Слепокуров, В.С., Бигун, Р.И., Кудрик, Р.Я.
Format: Artikel
Sprache:Russian
Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2014
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/108920
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Методы определения высоты барьера шоттки из вольт-амперных характеристик (обзор) / Я.Я. Кудрик, В.В. Шинкаренко, В.С. Слепокуров, Р.И. Бигун, Р.Я. Кудрик // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2014. — Вип. 49. — С. 21-30. — Бібліогр.: 25 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-108920
record_format dspace
spelling Кудрик, Я.Я.
Шинкаренко, В.В.
Слепокуров, В.С.
Бигун, Р.И.
Кудрик, Р.Я.
2016-11-17T17:39:26Z
2016-11-17T17:39:26Z
2014
Методы определения высоты барьера шоттки из вольт-амперных характеристик (обзор) / Я.Я. Кудрик, В.В. Шинкаренко, В.С. Слепокуров, Р.И. Бигун, Р.Я. Кудрик // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2014. — Вип. 49. — С. 21-30. — Бібліогр.: 25 назв. — рос.
0233-7577
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/108920
621.382
Приведен обзор методов определения высоты барьера Шоттки из результатов измерений вольт-амперных характеристик (ВАХ) применительно к широкозонным полупроводникам. Проведена апробация этих методов на примере диодов Шоттки Au–TiB₂–n-SiC 6H. Показано повышение точности для методов, учитывающих влияние последовательного сопротивления при расчете фактора идеальности и высоты барьера, на примере методов Чонга и прямой аппроксимации. Установлено, что основную погрешность в рассчитанные параметры в исследуемом диоде вносит несоответствие реальной ВАХ ее модели: температурная зависимость высоты барьера, зависимость фактора идеальности от напряжения. Показана необходимость определения механизма токопереноса для корректного расчета высоты барьера Шоттки. Обнаружено, что метод энергии активации и метод Сато применимы только при отсутствии температурной зависимости высоты барьера и частично применимы при линейной зависимости высоты барьера от температуры, в иных случаях их результаты будут спорны.
The methods for determination of Schottky barrier height in wide-gap semiconductors from the results of measurements of IV curves are reviewed and tested by the example of Au-TiB₂-n-SiC 6H Schottky barrier diodes. The methods that take into account the effect of series resistance when calculating ideality factor and barrier height (such as the direct approximation and Cheung's methods) demonstrate improved accuracy. It is shown that the main inaccuracies in calculated parameters of the diodes under investigation are related to non-compliance of the real IV curve with its model: dependence of barrier height on temperature and ideality factor on voltage. A correct calculation of the Schottky barrier height requires determination of current flow mechanism. It is found that both the activation energy and Sato methods are applicable only in the absence of temperature dependence of barrier height, and are partially applicable in the case of linear dependence of barrier height on temperature. In other cases, the results given by the above methods are controversial.
ru
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
Методы определения высоты барьера шоттки из вольт-амперных характеристик (обзор)
Methods for deter-mination of schottky barrier height from IV curves (review)
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Методы определения высоты барьера шоттки из вольт-амперных характеристик (обзор)
spellingShingle Методы определения высоты барьера шоттки из вольт-амперных характеристик (обзор)
Кудрик, Я.Я.
Шинкаренко, В.В.
Слепокуров, В.С.
Бигун, Р.И.
Кудрик, Р.Я.
title_short Методы определения высоты барьера шоттки из вольт-амперных характеристик (обзор)
title_full Методы определения высоты барьера шоттки из вольт-амперных характеристик (обзор)
title_fullStr Методы определения высоты барьера шоттки из вольт-амперных характеристик (обзор)
title_full_unstemmed Методы определения высоты барьера шоттки из вольт-амперных характеристик (обзор)
title_sort методы определения высоты барьера шоттки из вольт-амперных характеристик (обзор)
author Кудрик, Я.Я.
Шинкаренко, В.В.
Слепокуров, В.С.
Бигун, Р.И.
Кудрик, Р.Я.
author_facet Кудрик, Я.Я.
Шинкаренко, В.В.
Слепокуров, В.С.
Бигун, Р.И.
Кудрик, Р.Я.
publishDate 2014
language Russian
container_title Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
format Article
title_alt Methods for deter-mination of schottky barrier height from IV curves (review)
description Приведен обзор методов определения высоты барьера Шоттки из результатов измерений вольт-амперных характеристик (ВАХ) применительно к широкозонным полупроводникам. Проведена апробация этих методов на примере диодов Шоттки Au–TiB₂–n-SiC 6H. Показано повышение точности для методов, учитывающих влияние последовательного сопротивления при расчете фактора идеальности и высоты барьера, на примере методов Чонга и прямой аппроксимации. Установлено, что основную погрешность в рассчитанные параметры в исследуемом диоде вносит несоответствие реальной ВАХ ее модели: температурная зависимость высоты барьера, зависимость фактора идеальности от напряжения. Показана необходимость определения механизма токопереноса для корректного расчета высоты барьера Шоттки. Обнаружено, что метод энергии активации и метод Сато применимы только при отсутствии температурной зависимости высоты барьера и частично применимы при линейной зависимости высоты барьера от температуры, в иных случаях их результаты будут спорны. The methods for determination of Schottky barrier height in wide-gap semiconductors from the results of measurements of IV curves are reviewed and tested by the example of Au-TiB₂-n-SiC 6H Schottky barrier diodes. The methods that take into account the effect of series resistance when calculating ideality factor and barrier height (such as the direct approximation and Cheung's methods) demonstrate improved accuracy. It is shown that the main inaccuracies in calculated parameters of the diodes under investigation are related to non-compliance of the real IV curve with its model: dependence of barrier height on temperature and ideality factor on voltage. A correct calculation of the Schottky barrier height requires determination of current flow mechanism. It is found that both the activation energy and Sato methods are applicable only in the absence of temperature dependence of barrier height, and are partially applicable in the case of linear dependence of barrier height on temperature. In other cases, the results given by the above methods are controversial.
issn 0233-7577
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/108920
citation_txt Методы определения высоты барьера шоттки из вольт-амперных характеристик (обзор) / Я.Я. Кудрик, В.В. Шинкаренко, В.С. Слепокуров, Р.И. Бигун, Р.Я. Кудрик // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2014. — Вип. 49. — С. 21-30. — Бібліогр.: 25 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT kudrikââ metodyopredeleniâvysotybarʹerašottkiizvolʹtampernyhharakteristikobzor
AT šinkarenkovv metodyopredeleniâvysotybarʹerašottkiizvolʹtampernyhharakteristikobzor
AT slepokurovvs metodyopredeleniâvysotybarʹerašottkiizvolʹtampernyhharakteristikobzor
AT bigunri metodyopredeleniâvysotybarʹerašottkiizvolʹtampernyhharakteristikobzor
AT kudrikrâ metodyopredeleniâvysotybarʹerašottkiizvolʹtampernyhharakteristikobzor
AT kudrikââ methodsfordeterminationofschottkybarrierheightfromivcurvesreview
AT šinkarenkovv methodsfordeterminationofschottkybarrierheightfromivcurvesreview
AT slepokurovvs methodsfordeterminationofschottkybarrierheightfromivcurvesreview
AT bigunri methodsfordeterminationofschottkybarrierheightfromivcurvesreview
AT kudrikrâ methodsfordeterminationofschottkybarrierheightfromivcurvesreview
first_indexed 2025-12-07T15:33:13Z
last_indexed 2025-12-07T15:33:13Z
_version_ 1850864140393906176

Ähnliche Einträge