Методы определения высоты барьера шоттки из вольт-амперных характеристик (обзор)
Приведен обзор методов определения высоты барьера Шоттки из результатов измерений вольт-амперных характеристик (ВАХ) применительно к широкозонным полупроводникам. Проведена апробация этих методов на примере диодов Шоттки Au–TiB₂–n-SiC 6H. Показано повышение точности для методов, учитывающих влияние...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
|---|---|
| Дата: | 2014 |
| Автори: | , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2014
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/108920 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Методы определения высоты барьера шоттки из вольт-амперных характеристик (обзор) / Я.Я. Кудрик, В.В. Шинкаренко, В.С. Слепокуров, Р.И. Бигун, Р.Я. Кудрик // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2014. — Вип. 49. — С. 21-30. — Бібліогр.: 25 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862671228986195968 |
|---|---|
| author | Кудрик, Я.Я. Шинкаренко, В.В. Слепокуров, В.С. Бигун, Р.И. Кудрик, Р.Я. |
| author_facet | Кудрик, Я.Я. Шинкаренко, В.В. Слепокуров, В.С. Бигун, Р.И. Кудрик, Р.Я. |
| citation_txt | Методы определения высоты барьера шоттки из вольт-амперных характеристик (обзор) / Я.Я. Кудрик, В.В. Шинкаренко, В.С. Слепокуров, Р.И. Бигун, Р.Я. Кудрик // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2014. — Вип. 49. — С. 21-30. — Бібліогр.: 25 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
| description | Приведен обзор методов определения высоты барьера Шоттки из результатов измерений вольт-амперных характеристик (ВАХ) применительно к широкозонным полупроводникам. Проведена апробация этих методов на примере диодов Шоттки Au–TiB₂–n-SiC 6H. Показано повышение точности для методов, учитывающих влияние последовательного сопротивления при расчете фактора идеальности и высоты барьера, на примере методов Чонга и прямой аппроксимации. Установлено, что основную погрешность в рассчитанные параметры в исследуемом диоде вносит несоответствие реальной ВАХ ее модели: температурная зависимость высоты барьера, зависимость фактора идеальности от напряжения. Показана необходимость определения механизма токопереноса для корректного расчета высоты барьера Шоттки. Обнаружено, что метод энергии активации и метод Сато применимы только при отсутствии температурной зависимости высоты барьера и частично применимы при линейной зависимости высоты барьера от температуры, в иных случаях их результаты будут спорны.
The methods for determination of Schottky barrier height in wide-gap semiconductors from the results of measurements of IV curves are reviewed and tested by the example of Au-TiB₂-n-SiC 6H Schottky barrier diodes. The methods that take into account the effect of series resistance when calculating ideality factor and barrier height (such as the direct approximation and Cheung's methods) demonstrate improved accuracy. It is shown that the main inaccuracies in calculated parameters of the diodes under investigation are related to non-compliance of the real IV curve with its model: dependence of barrier height on temperature and ideality factor on voltage. A correct calculation of the Schottky barrier height requires determination of current flow mechanism. It is found that both the activation energy and Sato methods are applicable only in the absence of temperature dependence of barrier height, and are partially applicable in the case of linear dependence of barrier height on temperature. In other cases, the results given by the above methods are controversial.
|
| first_indexed | 2025-12-07T15:33:13Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-108920 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 0233-7577 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T15:33:13Z |
| publishDate | 2014 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Кудрик, Я.Я. Шинкаренко, В.В. Слепокуров, В.С. Бигун, Р.И. Кудрик, Р.Я. 2016-11-17T17:39:26Z 2016-11-17T17:39:26Z 2014 Методы определения высоты барьера шоттки из вольт-амперных характеристик (обзор) / Я.Я. Кудрик, В.В. Шинкаренко, В.С. Слепокуров, Р.И. Бигун, Р.Я. Кудрик // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2014. — Вип. 49. — С. 21-30. — Бібліогр.: 25 назв. — рос. 0233-7577 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/108920 621.382 Приведен обзор методов определения высоты барьера Шоттки из результатов измерений вольт-амперных характеристик (ВАХ) применительно к широкозонным полупроводникам. Проведена апробация этих методов на примере диодов Шоттки Au–TiB₂–n-SiC 6H. Показано повышение точности для методов, учитывающих влияние последовательного сопротивления при расчете фактора идеальности и высоты барьера, на примере методов Чонга и прямой аппроксимации. Установлено, что основную погрешность в рассчитанные параметры в исследуемом диоде вносит несоответствие реальной ВАХ ее модели: температурная зависимость высоты барьера, зависимость фактора идеальности от напряжения. Показана необходимость определения механизма токопереноса для корректного расчета высоты барьера Шоттки. Обнаружено, что метод энергии активации и метод Сато применимы только при отсутствии температурной зависимости высоты барьера и частично применимы при линейной зависимости высоты барьера от температуры, в иных случаях их результаты будут спорны. The methods for determination of Schottky barrier height in wide-gap semiconductors from the results of measurements of IV curves are reviewed and tested by the example of Au-TiB₂-n-SiC 6H Schottky barrier diodes. The methods that take into account the effect of series resistance when calculating ideality factor and barrier height (such as the direct approximation and Cheung's methods) demonstrate improved accuracy. It is shown that the main inaccuracies in calculated parameters of the diodes under investigation are related to non-compliance of the real IV curve with its model: dependence of barrier height on temperature and ideality factor on voltage. A correct calculation of the Schottky barrier height requires determination of current flow mechanism. It is found that both the activation energy and Sato methods are applicable only in the absence of temperature dependence of barrier height, and are partially applicable in the case of linear dependence of barrier height on temperature. In other cases, the results given by the above methods are controversial. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Оптоэлектроника и полупроводниковая техника Методы определения высоты барьера шоттки из вольт-амперных характеристик (обзор) Methods for deter-mination of schottky barrier height from IV curves (review) Article published earlier |
| spellingShingle | Методы определения высоты барьера шоттки из вольт-амперных характеристик (обзор) Кудрик, Я.Я. Шинкаренко, В.В. Слепокуров, В.С. Бигун, Р.И. Кудрик, Р.Я. |
| title | Методы определения высоты барьера шоттки из вольт-амперных характеристик (обзор) |
| title_alt | Methods for deter-mination of schottky barrier height from IV curves (review) |
| title_full | Методы определения высоты барьера шоттки из вольт-амперных характеристик (обзор) |
| title_fullStr | Методы определения высоты барьера шоттки из вольт-амперных характеристик (обзор) |
| title_full_unstemmed | Методы определения высоты барьера шоттки из вольт-амперных характеристик (обзор) |
| title_short | Методы определения высоты барьера шоттки из вольт-амперных характеристик (обзор) |
| title_sort | методы определения высоты барьера шоттки из вольт-амперных характеристик (обзор) |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/108920 |
| work_keys_str_mv | AT kudrikââ metodyopredeleniâvysotybarʹerašottkiizvolʹtampernyhharakteristikobzor AT šinkarenkovv metodyopredeleniâvysotybarʹerašottkiizvolʹtampernyhharakteristikobzor AT slepokurovvs metodyopredeleniâvysotybarʹerašottkiizvolʹtampernyhharakteristikobzor AT bigunri metodyopredeleniâvysotybarʹerašottkiizvolʹtampernyhharakteristikobzor AT kudrikrâ metodyopredeleniâvysotybarʹerašottkiizvolʹtampernyhharakteristikobzor AT kudrikââ methodsfordeterminationofschottkybarrierheightfromivcurvesreview AT šinkarenkovv methodsfordeterminationofschottkybarrierheightfromivcurvesreview AT slepokurovvs methodsfordeterminationofschottkybarrierheightfromivcurvesreview AT bigunri methodsfordeterminationofschottkybarrierheightfromivcurvesreview AT kudrikrâ methodsfordeterminationofschottkybarrierheightfromivcurvesreview |