Методы определения высоты барьера шоттки из вольт-амперных характеристик (обзор)

• Veröffentlicht in: Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
• Datum: 2014
• Hauptverfasser: Кудрик, Я.Я., Шинкаренко, В.В., Слепокуров, В.С., Бигун, Р.И., Кудрик, Р.Я.
• Format: Artikel
• Sprache: Russian
• Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2014
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/108920
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Методы определения высоты барьера шоттки из вольт-амперных характеристик (обзор) / Я.Я. Кудрик, В.В. Шинкаренко, В.С. Слепокуров, Р.И. Бигун, Р.Я. Кудрик // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2014. — Вип. 49. — С. 21-30. — Бібліогр.: 25 назв. — рос.

Приведен обзор методов определения высоты барьера Шоттки из результатов измерений вольт-амперных характеристик (ВАХ) применительно к широкозонным полупроводникам. Проведена апробация этих методов на примере диодов Шоттки Au–TiB₂–n-SiC 6H. Показано повышение точности для методов, учитывающих влияние...