Фотостимульовані реверсивні перетворення у плівках Ge-Se як основа резистивного процесу

• Опубліковано в: : Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
• Дата: 2014
• Автори: Бабійчук, І.В., Данько, В.А., Індутний, І.З., Луканюк, М.В., Минько, В.І., Шепелявий, П.Є.
• Формат: Стаття
• Мова: Ukrainian
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2014
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/108922
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Фотостимульовані реверсивні перетворення у плівках Ge-Se як основа резистивного процесу / І.В. Бабійчук, В.А. Данько, І.З. Індутний, М.В. Луканюк, В.І. Минько, П.Є. Шепелявий // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2014. — Вип. 49. — С. 36-41. — Бібліогр.: 12 назв. — укр.

Досліджено закономірності резистивного процесу на відпалених шарах стекол розрізу Ge-Se та вивчено можливості створення за його допомогою складних рельєфно-фазових структур чи літографічних масок. Показано, що даний резистивний процес безпосередньо пов’язаний із реверсивними фотоструктурними змінами, які спостерігаються в даних стеклах, що, в свою чергу, дозволяє стирати повторним відпалом інформацію, записану фотоекспонуванням цих плівок, а також повторювати цикли відпал-експонування без значних змін характеристик отримуваних структур. The characteristics of resistive process have been investigated using the annealed Ge-Se layers, and possibilities of producing the complicated relief-phase structures or lithographic masks by using this process have been studied. It has been shown that this resistive process is directly related to the reversible photostructural changes in these glasses. It allows to use the repeat annealing to delete information written through the illumination of these films as well as to repeat annealing-illumination cycles without significant changes in the characteristics of the obtained structures.