Фотостимульовані реверсивні перетворення у плівках Ge-Se як основа резистивного процесу

• Date: 2014
• Main Authors: Бабійчук, І.В., Данько, В.А., Індутний, І.З., Луканюк, М.В., Минько, В.І., Шепелявий, П.Є.
• Format: Article
• Language: Ukrainian
• Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2014
• Series: Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/108922
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Фотостимульовані реверсивні перетворення у плівках Ge-Se як основа резистивного процесу / І.В. Бабійчук, В.А. Данько, І.З. Індутний, М.В. Луканюк, В.І. Минько, П.Є. Шепелявий // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2014. — Вип. 49. — С. 36-41. — Бібліогр.: 12 назв. — укр.

Досліджено закономірності резистивного процесу на відпалених шарах стекол розрізу Ge-Se та вивчено можливості створення за його допомогою складних рельєфно-фазових структур чи літографічних масок. Показано, що даний резистивний процес безпосередньо пов’язаний із реверсивними фотоструктурними змінами, які спостерігаються в даних стеклах, що, в свою чергу, дозволяє стирати повторним відпалом інформацію, записану фотоекспонуванням цих плівок, а також повторювати цикли відпал-експонування без значних змін характеристик отримуваних структур.