Фотостимульовані реверсивні перетворення у плівках Ge-Se як основа резистивного процесу
Досліджено закономірності резистивного процесу на відпалених шарах стекол розрізу Ge-Se та вивчено можливості створення за його допомогою складних рельєфно-фазових структур чи літографічних масок. Показано, що даний резистивний процес безпосередньо пов’язаний із реверсивними фотоструктурними змінами...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
|---|---|
| Дата: | 2014 |
| Автори: | , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Ukrainian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2014
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/108922 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Фотостимульовані реверсивні перетворення у плівках Ge-Se як основа резистивного процесу / І.В. Бабійчук, В.А. Данько, І.З. Індутний, М.В. Луканюк, В.І. Минько, П.Є. Шепелявий // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2014. — Вип. 49. — С. 36-41. — Бібліогр.: 12 назв. — укр. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-108922 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Бабійчук, І.В. Данько, В.А. Індутний, І.З. Луканюк, М.В. Минько, В.І. Шепелявий, П.Є. 2016-11-17T17:45:46Z 2016-11-17T17:45:46Z 2014 Фотостимульовані реверсивні перетворення у плівках Ge-Se як основа резистивного процесу / І.В. Бабійчук, В.А. Данько, І.З. Індутний, М.В. Луканюк, В.І. Минько, П.Є. Шепелявий // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2014. — Вип. 49. — С. 36-41. — Бібліогр.: 12 назв. — укр. 0233-7577 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/108922 535.421; 621.793/794 Досліджено закономірності резистивного процесу на відпалених шарах стекол розрізу Ge-Se та вивчено можливості створення за його допомогою складних рельєфно-фазових структур чи літографічних масок. Показано, що даний резистивний процес безпосередньо пов’язаний із реверсивними фотоструктурними змінами, які спостерігаються в даних стеклах, що, в свою чергу, дозволяє стирати повторним відпалом інформацію, записану фотоекспонуванням цих плівок, а також повторювати цикли відпал-експонування без значних змін характеристик отримуваних структур. The characteristics of resistive process have been investigated using the annealed Ge-Se layers, and possibilities of producing the complicated relief-phase structures or lithographic masks by using this process have been studied. It has been shown that this resistive process is directly related to the reversible photostructural changes in these glasses. It allows to use the repeat annealing to delete information written through the illumination of these films as well as to repeat annealing-illumination cycles without significant changes in the characteristics of the obtained structures. uk Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Оптоэлектроника и полупроводниковая техника Фотостимульовані реверсивні перетворення у плівках Ge-Se як основа резистивного процесу Photostimulated reversible changes in the Ge-Se films as a base of resistive process Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Фотостимульовані реверсивні перетворення у плівках Ge-Se як основа резистивного процесу |
| spellingShingle |
Фотостимульовані реверсивні перетворення у плівках Ge-Se як основа резистивного процесу Бабійчук, І.В. Данько, В.А. Індутний, І.З. Луканюк, М.В. Минько, В.І. Шепелявий, П.Є. |
| title_short |
Фотостимульовані реверсивні перетворення у плівках Ge-Se як основа резистивного процесу |
| title_full |
Фотостимульовані реверсивні перетворення у плівках Ge-Se як основа резистивного процесу |
| title_fullStr |
Фотостимульовані реверсивні перетворення у плівках Ge-Se як основа резистивного процесу |
| title_full_unstemmed |
Фотостимульовані реверсивні перетворення у плівках Ge-Se як основа резистивного процесу |
| title_sort |
фотостимульовані реверсивні перетворення у плівках ge-se як основа резистивного процесу |
| author |
Бабійчук, І.В. Данько, В.А. Індутний, І.З. Луканюк, М.В. Минько, В.І. Шепелявий, П.Є. |
| author_facet |
Бабійчук, І.В. Данько, В.А. Індутний, І.З. Луканюк, М.В. Минько, В.І. Шепелявий, П.Є. |
| publishDate |
2014 |
| language |
Ukrainian |
| container_title |
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Photostimulated reversible changes in the Ge-Se films as a base of resistive process |
| description |
Досліджено закономірності резистивного процесу на відпалених шарах стекол розрізу Ge-Se та вивчено можливості створення за його допомогою складних рельєфно-фазових структур чи літографічних масок. Показано, що даний резистивний процес безпосередньо пов’язаний із реверсивними фотоструктурними змінами, які спостерігаються в даних стеклах, що, в свою чергу, дозволяє стирати повторним відпалом інформацію, записану фотоекспонуванням цих плівок, а також повторювати цикли відпал-експонування без значних змін характеристик отримуваних структур.
The characteristics of resistive process have been investigated using the annealed Ge-Se layers, and possibilities of producing the complicated relief-phase structures or lithographic masks by using this process have been studied. It has been shown that this resistive process is directly related to the reversible photostructural changes in these glasses. It allows to use the repeat annealing to delete information written through the illumination of these films as well as to repeat annealing-illumination cycles without significant changes in the characteristics of the obtained structures.
|
| issn |
0233-7577 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/108922 |
| fulltext |
|
| citation_txt |
Фотостимульовані реверсивні перетворення у плівках Ge-Se як основа резистивного процесу / І.В. Бабійчук, В.А. Данько, І.З. Індутний, М.В. Луканюк, В.І. Минько, П.Є. Шепелявий // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2014. — Вип. 49. — С. 36-41. — Бібліогр.: 12 назв. — укр. |
| work_keys_str_mv |
AT babíičukív fotostimulʹovaníreversivníperetvorennâuplívkahgeseâkosnovarezistivnogoprocesu AT danʹkova fotostimulʹovaníreversivníperetvorennâuplívkahgeseâkosnovarezistivnogoprocesu AT índutniiíz fotostimulʹovaníreversivníperetvorennâuplívkahgeseâkosnovarezistivnogoprocesu AT lukanûkmv fotostimulʹovaníreversivníperetvorennâuplívkahgeseâkosnovarezistivnogoprocesu AT minʹkoví fotostimulʹovaníreversivníperetvorennâuplívkahgeseâkosnovarezistivnogoprocesu AT šepelâviipê fotostimulʹovaníreversivníperetvorennâuplívkahgeseâkosnovarezistivnogoprocesu AT babíičukív photostimulatedreversiblechangesinthegesefilmsasabaseofresistiveprocess AT danʹkova photostimulatedreversiblechangesinthegesefilmsasabaseofresistiveprocess AT índutniiíz photostimulatedreversiblechangesinthegesefilmsasabaseofresistiveprocess AT lukanûkmv photostimulatedreversiblechangesinthegesefilmsasabaseofresistiveprocess AT minʹkoví photostimulatedreversiblechangesinthegesefilmsasabaseofresistiveprocess AT šepelâviipê photostimulatedreversiblechangesinthegesefilmsasabaseofresistiveprocess |
| first_indexed |
2025-11-24T04:11:52Z |
| last_indexed |
2025-11-24T04:11:52Z |
| _version_ |
1850842062802386944 |