Фотостимульовані реверсивні перетворення у плівках Ge-Se як основа резистивного процесу

Досліджено закономірності резистивного процесу на відпалених шарах стекол розрізу Ge-Se та вивчено можливості створення за його допомогою складних рельєфно-фазових структур чи літографічних масок. Показано, що даний резистивний процес безпосередньо пов’язаний із реверсивними фотоструктурними змінами...

Full description

Saved in:

Bibliographic Details
Date:	2014
Main Authors:	Бабійчук, І.В., Данько, В.А., Індутний, І.З., Луканюк, М.В., Минько, В.І., Шепелявий, П.Є.
Format:	Article
Language:	Ukrainian
Published:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2014
Series:	Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
Online Access:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/108922
Tags:	Add Tag No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:	Фотостимульовані реверсивні перетворення у плівках Ge-Se як основа резистивного процесу / І.В. Бабійчук, В.А. Данько, І.З. Індутний, М.В. Луканюк, В.І. Минько, П.Є. Шепелявий // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2014. — Вип. 49. — С. 36-41. — Бібліогр.: 12 назв. — укр.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

id	nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-108922
record_format	dspace
spelling	nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-1089222025-02-23T17:56:37Z Фотостимульовані реверсивні перетворення у плівках Ge-Se як основа резистивного процесу Photostimulated reversible changes in the Ge-Se films as a base of resistive process Бабійчук, І.В. Данько, В.А. Індутний, І.З. Луканюк, М.В. Минько, В.І. Шепелявий, П.Є. Досліджено закономірності резистивного процесу на відпалених шарах стекол розрізу Ge-Se та вивчено можливості створення за його допомогою складних рельєфно-фазових структур чи літографічних масок. Показано, що даний резистивний процес безпосередньо пов’язаний із реверсивними фотоструктурними змінами, які спостерігаються в даних стеклах, що, в свою чергу, дозволяє стирати повторним відпалом інформацію, записану фотоекспонуванням цих плівок, а також повторювати цикли відпал-експонування без значних змін характеристик отримуваних структур. The characteristics of resistive process have been investigated using the annealed Ge-Se layers, and possibilities of producing the complicated relief-phase structures or lithographic masks by using this process have been studied. It has been shown that this resistive process is directly related to the reversible photostructural changes in these glasses. It allows to use the repeat annealing to delete information written through the illumination of these films as well as to repeat annealing-illumination cycles without significant changes in the characteristics of the obtained structures. 2014 Article Фотостимульовані реверсивні перетворення у плівках Ge-Se як основа резистивного процесу / І.В. Бабійчук, В.А. Данько, І.З. Індутний, М.В. Луканюк, В.І. Минько, П.Є. Шепелявий // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2014. — Вип. 49. — С. 36-41. — Бібліогр.: 12 назв. — укр. 0233-7577 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/108922 535.421; 621.793/794 uk Оптоэлектроника и полупроводниковая техника application/pdf Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
institution	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection	DSpace DC
language	Ukrainian
description	Досліджено закономірності резистивного процесу на відпалених шарах стекол розрізу Ge-Se та вивчено можливості створення за його допомогою складних рельєфно-фазових структур чи літографічних масок. Показано, що даний резистивний процес безпосередньо пов’язаний із реверсивними фотоструктурними змінами, які спостерігаються в даних стеклах, що, в свою чергу, дозволяє стирати повторним відпалом інформацію, записану фотоекспонуванням цих плівок, а також повторювати цикли відпал-експонування без значних змін характеристик отримуваних структур.
format	Article
author	Бабійчук, І.В. Данько, В.А. Індутний, І.З. Луканюк, М.В. Минько, В.І. Шепелявий, П.Є.
spellingShingle	Бабійчук, І.В. Данько, В.А. Індутний, І.З. Луканюк, М.В. Минько, В.І. Шепелявий, П.Є. Фотостимульовані реверсивні перетворення у плівках Ge-Se як основа резистивного процесу Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
author_facet	Бабійчук, І.В. Данько, В.А. Індутний, І.З. Луканюк, М.В. Минько, В.І. Шепелявий, П.Є.
author_sort	Бабійчук, І.В.
title	Фотостимульовані реверсивні перетворення у плівках Ge-Se як основа резистивного процесу
title_short	Фотостимульовані реверсивні перетворення у плівках Ge-Se як основа резистивного процесу
title_full	Фотостимульовані реверсивні перетворення у плівках Ge-Se як основа резистивного процесу
title_fullStr	Фотостимульовані реверсивні перетворення у плівках Ge-Se як основа резистивного процесу
title_full_unstemmed	Фотостимульовані реверсивні перетворення у плівках Ge-Se як основа резистивного процесу
title_sort	фотостимульовані реверсивні перетворення у плівках ge-se як основа резистивного процесу
publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
publishDate	2014
url	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/108922
citation_txt	Фотостимульовані реверсивні перетворення у плівках Ge-Se як основа резистивного процесу / І.В. Бабійчук, В.А. Данько, І.З. Індутний, М.В. Луканюк, В.І. Минько, П.Є. Шепелявий // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2014. — Вип. 49. — С. 36-41. — Бібліогр.: 12 назв. — укр.
series	Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
work_keys_str_mv	AT babíjčukív fotostimulʹovaníreversivníperetvorennâuplívkahgeseâkosnovarezistivnogoprocesu AT danʹkova fotostimulʹovaníreversivníperetvorennâuplívkahgeseâkosnovarezistivnogoprocesu AT índutnijíz fotostimulʹovaníreversivníperetvorennâuplívkahgeseâkosnovarezistivnogoprocesu AT lukanûkmv fotostimulʹovaníreversivníperetvorennâuplívkahgeseâkosnovarezistivnogoprocesu AT minʹkoví fotostimulʹovaníreversivníperetvorennâuplívkahgeseâkosnovarezistivnogoprocesu AT šepelâvijpê fotostimulʹovaníreversivníperetvorennâuplívkahgeseâkosnovarezistivnogoprocesu AT babíjčukív photostimulatedreversiblechangesinthegesefilmsasabaseofresistiveprocess AT danʹkova photostimulatedreversiblechangesinthegesefilmsasabaseofresistiveprocess AT índutnijíz photostimulatedreversiblechangesinthegesefilmsasabaseofresistiveprocess AT lukanûkmv photostimulatedreversiblechangesinthegesefilmsasabaseofresistiveprocess AT minʹkoví photostimulatedreversiblechangesinthegesefilmsasabaseofresistiveprocess AT šepelâvijpê photostimulatedreversiblechangesinthegesefilmsasabaseofresistiveprocess
first_indexed	2025-11-24T04:11:52Z
last_indexed	2025-11-24T04:11:52Z
_version_	1849643512121786368
fulltext	 І. В. Бабійчук, В.А. Данько, І.З. Індутний, М.В. Луканюк, В.І. Минько, П.Є. Шепелявий, 2014 ISSN 0233-7577. Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2014, вып. 49 36 УДК 535.421; 621.793/794 І.В. Бабійчук, В.А. Данько, І.З. Індутний, М.В. Луканюк, В.І. Минько, П.Є. Шепелявий ФОТОСТИМУЛЬОВАНІ РЕВЕРСИВНІ ПЕРЕТВОРЕННЯ У ПЛІВКАХ Ge-Se ЯК ОСНОВА РЕЗИСТИВНОГО ПРОЦЕСУ Досліджено закономірності резистивного процесу на відпалених шарах стекол розрізу Ge-Se та вивчено можливості створення за його допомогою складних рельєфно-фазових структур чи літографічних масок. Показано, що даний резистивний процес безпосередньо пов’язаний із реверсивними фотоструктурними змінами, які спостерігаються в даних стеклах, що, в свою чергу, дозволяє стирати повторним відпалом інформацію, записану фотоекспонуванням цих плівок, а також повторювати цикли відпал-експонування без значних змін характеристик отримуваних структур. Ключові слова: фотостимульовані реверсивні зміни, фоторезист, рельєфно-фазові структури. 1. ВСТУП Фотостимульовані процеси у халькогенідних склоподібних напівпровідниках (ХСН) до цього часу залишаються цікавим об’єктом як з точки зору їх практичного застосування, так і з наукової точки зору [1]. Як відомо, дані процеси в цих матеріалах мають як реверсивну, так і нереверсивну компоненти, які відрізняються не лише своїми проявами, а й фізичною природою. Практичне застосування ХСН як фоторезисту базується саме на нереверсивній компоненті, яка спостерігається у свіжоосаджених за допомогою термічного випаровування у вакуумі шарах ХСН на основі миш’яку і яка пов’язана, в першу чергу, із «заліковуванням» пор та пустот, що виникають при термічному осадженні [2, 3]. Свіжоосаджені плівки на основі германію є менш чутливими, і для їх використання як резисту необхідне нанесення додаткового шару срібла, що значно ускладнює технологічний процес [4]. У плівках ХСН, які відпалені при температурах близьких до Tg (температура розм’якшення даного халькогеніду), нереверсивні зміни відсутні, натомість спостерігаються перехідні фотостимульовані структурні зміни, які існують тільки під час опромінення світлом з довжиною хвилі, що відповідає міжзонному поглинанню даного матеріалу, і швидко релаксують після вимкнення світла, та малі реверсивні зміни, що можуть бути ліквідовані відпалом при Tg. Реверсивні перетворення характеризуються зміною деяких фізичних властивостей скла, зокрема, зсувом краю власного поглинання зазвичай у довгохвильову область спектра. Наші дослідження показали, що як реверсивні, так і перехідні структурні зміни супроводжуються також зміною розчинності плівок у селективному протравлювачі, який, на відміну від нереверсивного процесу, розчинює експоновані ділянки, тобто діє як позитивний протравлювач [5]. При цьому досить висока селективність спостерігається і у відпалених плівках на основі халькогенідів германію, які мають переваги перед сполуками миш'яку з екологічної точки зору. У нашій роботі представлено результати досліджень фоторезистивного процесу на основі реверсивних перетворень у відпалених плівках складів Ge-Se та продемонстровано можливість використання селективного травлення для вивчення реверсивних фотостимульованих змін у даних матеріалах. 37 2. ЕКСПЕРИМЕНТ Зразки для досліджень виготовляли методом термічного осадження у вакуумі 2×10 –3 Па адгезивного шару Cr товщиною 30 нм та халькогенідного шару GeSe3 чи GeSe2 товщиною 200 нм на скляні підкладки. Під час осадження товщину та швидкість контролювали каліброваним кварцовим вимірювачем товщини (КИТ-1), а потім вимірювали за допомогою мікроінтерферометра МИИ-4. Після чого свіжоосаджені плівки відпалювали при температурі близькій до Tg. Вимірювання швидкості травлення експонованих та контрольних (осаджених на калібровані кварцові резонатори) плівок ХСН проводили за допомогою високочутливого методу кварцового осцилятора [6] з використанням селективних травильних розчинів на основі амінів. Експонування зразків здійснювали лазерним випромінюванням (ЛГН-503, λ = 476,5 нм). Зміну товщини плівок у процесі травлення контролювали за зміною резонансної частоти кварцового осцилятора. Для аналізу складу та структури плівок ХСН та впливу на них технологічних обробок використовували спектроскопію комбінаційного розсіювання світла (КРС). Спектри КРС реєстрували при кімнатній температурі на спектрометрі ДФС-24. Для збудження спектрів розсіювання використовувалось випромінювання твердотільного лазера Nd:YAG з довжиною хвилі 532 нм у 90° геометрії. Потужність лазерного випромінювання вибирали мінімально можливою для реєстрації сигналу від зразків з метою мінімізації впливу лазерного випромінювання на нагрівання зразків і відповідно модифікацію спектра КРС. Морфологія отриманих структур досліджувалась за допомогою атомно-силового мікроскопа Dimension 3000 Scanning Probe Microscope фірми Digital Instruments. Дослідження дифракційних властивостей проводили шляхом вимірювання спектральної η(λ) залежності дифракційної ефективності зразків, які попередньо покривали відбиваючим шаром Al товщиною 50 нм. Значення дифракційної ефективності визначали як відношення інтенсивності дифрагованого до інтенсивності падаючого променів. Спектральні вимірювання проводили для першого порядку дифракції в інтервалі 400–800 нм для двох напрямків поляризації падаючого світла при значенні кута між падаючим та дифрагованим пучками ~8°. 3. РЕЗУЛЬТАТИ ТА ОБГОВОРЕННЯ Усі нижчеописані дослідження було проведено на плівках ХСН двох складів: GeSe3 та GeSe2. На рис. 1 та 2 наведено cпектри комбінаційного розсіювання світла плівок GeSe3 та GeSe2, де криві 1 відповідають спектру КРС свіжонапилених плівок, 2 – тих жe плівок, відпалених при температурах близьких до Tg для відповідних стекол (для GeSe3 температура відпалу становила 180 °С, для GeSe2 – 250 °С) протягом 1 години. КРС спектри свіжоосаджених плівок (криві 1 на обох рисунках) вказують на те, що їх структура є сильно невпорядкованою і коливні моди, які характерні для стекол відповідного складу, в них є слабко вираженими, тобто можна говорити, що ми маємо плівки певного складу з великою (переважаючою) кількістю розірваних зв’язків (плівки є незаполімеризовані). Відпал при температурах біля Тg наближає властивості даної плівки до властивостей скла відповідного складу, що явно демонструється кривими 2, де чітко проявляються моди в околі 200 та 217 см –1 (моди, що відповідають Сorner-Sharning та Edge-Sharning коливанням) і які є основними в КРС спектрах стекол Ge-Se [7]. Крім того, різниця в складах чітко проявляється у співвідношенні інтенсивностей Corner-Sharning моди та моди в околі 260 см –1 , які характерні для коливань Se-Se 38 150 200 250 300 350 0 500 1000 1500 198 Ін т ен с и в н іс т ь ( в ід н .о д .) Раманівський зсув (см -1 ) 198 262 264 1 2 150 200 250 300 350 0 500 1000 1500 2000 2500 200 Ін т ен си в н іс т ь ( в ід н . о д .) Раманівський зсув (см -1 ) 200 272 313 1 2 Рис. 1. Спектри комбінаційного розсіювання світла плівок GeSe3: 1 – свіжоосаджена плівка, 2 – відпалена плівка. Рис. 2. Спектри комбінаційного розсіювання світла плівок GeSe2: 1 – свіжоосаджена плівка, 2 – відпалена плівка. в ланцюгах селену (chain mode) [8]. (Можна відзначити, що певна полімеризація свіжоосадженої плівки також досягається і її експонуванням світлом з області власного поглинання даного скла, на чому і базується резистивний процес на необоротних змінах). Автори роботи [7] досліджували вплив зміни концентраційного складу стекол розрізу Ge-Se на спектри КРС, і визначили, що величина вказаного співвідношення зростає із збільшенням вмісту Ge у склі. Таку ж саму тенденцію ми спостерігаємо і в нашому випадку, де при переході від GeSe3 до GeSe2 співвідношення між інтенсивностями цих піків змінюється у бік збільшення (від ~2 до ~6). Можна також відмітити, що якщо порівнювати ці величини з відповідними з роботи [7], то бачимо, що вони є характерними для складів стекол з меншим вмістом Gе, ніж для тих, які ми використовували для напилення. Це вказує на те, що в процесі термічного осадження спостерігається збільшення вмісту Se у плівках у порівнянні з вихідним матеріалом, що пояснюється вищою «летючістю» Se. На рис. 3 наведено кінетичні залежності травлення шарів у селективному протравлювачі на основі амінів, початкова товщина (d0) яких становила 300 нм (d – товщина відповідного шару, що залишилась після травлення, t – час травлення). Усі зразки до експонування було відпалено при температурі близькій до Tg для кожного складу протягом 1 год. Криві 1 та 2 на рис. 3 відповідають шарам GeSe2, неекспонованим та експонованим випромінюванням аргонового лазера (енергетична густина 25 мВт/см 2 , час експонування 45 хв), криві 3 та 4 – таким же чином обробленим шарам GeSe3 відповідно. Як можна бачити з рисунка, вибраний безводний протравлювач характеризується достатньо високою селективністю для відпалених шарів обох складів. Для даного протравлювача 0 1 2 3 4 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 d /d 0 t, хв 1 2 3 4 Рис. 3. Кінетика розчинення відпалених шарів GeSe2 (1 і 2) та GeSe3 (3 і 4) у селективному протравлювачі на основі амінів: 1, 3 – неекспоновані шари, 2, 4 – експоновані випромінюванням аргонового лазера шари. 39 більшою селективністю за даних умов експонування характеризується GeSe3 (відношення значень кривих 3 та 4) у порівнянні з GeSe2 (відношення значень кривих 1 та 2). Величина селективності досягала 5 для GeSe3, а для GeSe2 – 3. Механізм селективного розчинення плівок ХСН вивчався багатьма авторами [8-10]. Для безводних протравлювачів на основі амінів найбільш детальні дослідження виконані в роботі [8]. Автори вважають, що розрив полімерної сітки плівки халькогенідів у розчині протравлювача відбувається по гомополярних (дефектних) зв’язках, де спочатку реагують гомополярні зв’язки халькогену. Селективність розчинення, тобто різниця швидкостей розчинення експонованих та неекспонованих ділянок плівки, визначається фотостимульованими змінами структури плівки ХСН. Механізм реверсивних фотостимульованих структурних перетворень детально вивчався для бінарних ХСН на основі миш’яку [11, 12]. За результатами EXAFS досліджень було запропоновано механізм [11], який полягав у фотостимульованій перебудові ковалентних зв’язків і формуванні гомополярних зв’язків, збільшення концентрації яких, згідно з [8], приведе до збільшення швидкості розчинення у протравлювачі на основі амінів. Фріцше [12] теж пов’язує реверсивні структурні зміни в ХСН (включаючи і стекла на основі германію) із стимульованою світлом генерацією пар змінної валентності та рекомбінаційно-стимульованим зміщенням атомів. Тому на основі наших результатів та аналізу літературних даних можна припустити, що селективне травлення досліджуваних халькогенідних фоторезистів пов’язане з безвипромінювальною рекомбінацією фотозбуджених носіїв через перехідні локалізовані екситони з наступною перебудовою ковалентних зв’язків та рекомбінаційно-стимульованим зміщенням атомів. Вищу селективність у GeSe3 можна пояснити, враховуючи той факт, що даний склад є стехіометричним для розрізу Ge-Se (так зване «самоорганізоване» скло) [7], тобто він характеризується мінімальною кількістю «неправильних» гомогенних зв’язків, а величина селективності визначається не стільки величиною привнесених змін, скільки їх співвідношенням із кількістю «неправильних» зв’язків, які існували до експонування плівки. Оскільки вищеописані експерименти показали, що кращу селективність має GeSe3, тому наступне дослідження реверсивності фоторезистивного процесу проводили на плівках саме цього складу. Для запису дифракційних структур експонування зразків з нанесеними та відпаленими халькогенідними плівками здійснювали періодичним світловим полем (інтерференційною картиною), створеним лазерним випромінюванням (ЛГН-503, λ = 476,5 нм) з енергетичною Рис. 4. АСМ-зображення рельєфної структури на плівці GeSe3. 40 густиною 25 мВт/см 2 протягом 30 хв. Після кожного етапу обробки один зразок відкладали, а решту піддавали повторному відпалу та експонуванню за тих же умов, повторюючи цикли відпал-експонування кілька разів. Відкладені після кожного технологічного процесу експоновані та відпалені зразки одночасно протравлювали у розчині на основі амінів при температурі 25 °С протягом 15 хв. Після травлення на всіх експонованих зразках були сформовані структури, АСМ-зображення та профіль однієї з яких наведено на рис. 4. Як бачимо з рисунка, отримана структура являє собою різновид голографіч-ної дифракційної гратки. Тому для порівняння ми досліджували дифракційну ефективність структур, сформованих на плівках GeSe3 в результаті кожного вищеописаного циклу (перед вимірюванням дифракційної ефективності гратки попередньо покривали відбиваючим шаром Al товщиною 50 нм). Спектральний розподіл дифракційної ефективності отриманих граток наведено на рис. 5 (перпендикулярне розташування електричного вектора світлової хвилі відносно штрихів гратки). Номер кривих на рисунках відповідає номеру циклу, в якому було сформовано відповідну дифракційну структуру. Як видно з рисунка, характеристики отриманих граток майже не відрізняються (такий же збіг спостерігається і для паралельного розташування електричного вектора світлової хвилі відносно штрихів гратки), що вказує на повну реверсивність фоторезистивного процесу. Це також може бути підтверджене тим, що на відпалених зразках жодних структур не було отримано (відпал повністю стирає записану інформацію), а швидкості їх травлення не залежали від кількості відпалів. 4. ВИСНОВКИ Представлені результати дають можливість зробити такі висновки:  резистивний процес на відпалених шарах стекол розрізу Ge-Se безпосередньо пов’язаний із реверсивними фотоструктурними змінами,  інформацію, записану фотоекспонуванням цих плівок, можна стирати за допомогою повторного відпалу при температурах близьких до Тg,  цикли відпал-експонування можна повторювати без значних змін характеристик отримуваних структур,  за допомогою резистивного процесу на основі реверсивних фотоструктурних змін можна отримувати складні рельєфно-фазові структури чи літографічні маски. Окрім того, проведені дослідження вказують на те, що селективне травлення може бути ще одним методом (можливо, навіть більш чутливим у порівнянні, наприклад, з тією ж спектроскопією комбінаційного розсіювання світла), який використовується для дослідження фотореверсивних процесів у ХСН. 500 600 700 800 2 4 6 8 10 12 14 16  , % , нм 1 2 3 4 Рис. 5. Спектральний розподіл дифракційної ефективності граток (перпендикулярне розташування електричного вектора світлової хвилі відносно штрихів гратки), сформованих на плівках GeSe3: номер кривих відповідає номеру циклу, в якому було сформовано відповідну дифракційну структуру. 41 I.V. Babiychuk, V.A. Dan’ko, I.Z. Indutnyi, M.V. Lukaniuk, V.I. Myn’ko, P.E. Shepeliavyi PHOTOSTIMULATED REVERSIBLE CHANGES IN THE Ge-Se FILMS AS A BASE OF RESISTIVE PROCESS The characteristics of resistive process have been investigated using the annealed Ge-Se layers, and possibilities of producing the complicated relief-phase structures or lithographic masks by using this process have been studied. It has been shown that this resistive process is directly related to the reversible photostructural changes in these glasses. It allows to use the repeat annealing to delete information written through the illumination of these films as well as to repeat annealing-illumination cycles without significant changes in the characteristics of the obtained structures. Keywords: photostimulated reversible changes, photoresist, relief-phase structures. 1. Tanaka K., Kawakami N., and Odajima A. Photoinduced elastic changes in amorphous As2S3 films // Jpn. J. Appl. Phys. – 1981. – pt. 1. – 20(12), С. L874-L876. 2. Saito K., Utsugi Y., and Yoshikawa A., X-ray lithography with Ag-Se/Ge-Se inorganic resist using synchrotron radiation // J. Appl. Phys. – 1988. – 63(2). – С. 565-567. 3. Wong S.H., Thiel M., Brodersen P., Fenske D., Ozin G.A., Wegener M., and von Freymann G., Highly selective wet etch for high-resolution three-dimensional nanostructures in arsenic sulfide all-inorganic photoresist // Chem. Mater. – 2007. – 19(17). – С. 4213-4221. 4. Индутный И.З., Костышин М.Т., Касярум О.П., Минько В.И., Михайловская Е.В., Романенко П.Ф. Фотостимулированные взаимодействия в структурах металл-полупроводник. – Киев: Наукова думка. – 1992. 5. Данько В.А., Индутный И.З., Минько В.И., Шепелявый П.Е., Березнева О.В., Литвин О.С. Эффект фототравления в тонких слоях халькогенидных стеклообразных полупроводников // Физика и техника полупроводников. – 2012. – 46, №4. – С. 520-524. 6. Штеккельмахер В. Методы контролируемого нанесения тонких пленок, в кн.: Тонкопленочная микро- электроника / под ред. Л. Холленда. – М.: Мир. – 1968. 7. Siddhesh Bhosle, Kapila Gunasekera, Punit Boolchand, Matthieu Micoulaut, Melt homogenization and self- organization in chalcogenides-Part II // Intern. J. Appl. Glass Sci. – 2012. – 3(3). – P. 205-220. 8. Зенкин С.А., Мамедов С.Б., Михайлов М.Д., Туркина Е.Ю., Юсупов И.Ю. Механизм взаимодействия монолитных стекол и аморфных пленок системы As–S с растворами аминов // Физика и химия стекла. – 1997. – т. 23, вып. 1. – C. 560-568. 9. Chern G.C. Lauks I. and McGhie A.R., Spin coated amorphous chalcogenide films: Thermal properties // J. Appl. Phys. – 1983. – 54(8). – P. 4596-4601. 10. Orava J., Wagner T., Krbal M. Kohoutek T., Vlcek M., Klapetek P., and Frumar M., Selective dissolution of Agx(As0.33S0.67-ySey)100-x chalcogenide thin films // J. Non-Cryst. Sol. – 2008. – 354(2-9). – P. 533-539. 11. Kolobov A.V., Tanaka K. Nanoscale mechanism of photo-induced metastability and reversible photodarkening in chalcogenide vitreous semiconductors // Физика и техника полупроводников. – 1998. – том 32, № 8. – С. 899-904. 12. H. Fritzsche, Photo-induced fluidity of chalcogenide glasses // Solid State Communs. – 1996. – 99, No 3. – P. 153-155. Інститут фізики напівпровідників Отримано 16.06.2014 ім. В.Є. Лашкарьова НАН України, проспект Науки, 41, 03028 Київ E-mail: danko-va@ukr.net

Фотостимульовані реверсивні перетворення у плівках Ge-Se як основа резистивного процесу

Institution

Similar Items