Buchumschlag

Фотостимульовані реверсивні перетворення у плівках Ge-Se як основа резистивного процесу

Досліджено закономірності резистивного процесу на відпалених шарах стекол розрізу Ge-Se та вивчено можливості створення за його допомогою складних рельєфно-фазових структур чи літографічних масок. Показано, що даний резистивний процес безпосередньо пов’язаний із реверсивними фотоструктурними змінами...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
Datum:2014
Hauptverfasser: Бабійчук, І.В., Данько, В.А., Індутний, І.З., Луканюк, М.В., Минько, В.І., Шепелявий, П.Є.
Format: Artikel
Sprache:Ukrainisch
Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2014
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/108922
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Фотостимульовані реверсивні перетворення у плівках Ge-Se як основа резистивного процесу / І.В. Бабійчук, В.А. Данько, І.З. Індутний, М.В. Луканюк, В.І. Минько, П.Є. Шепелявий // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2014. — Вип. 49. — С. 36-41. — Бібліогр.: 12 назв. — укр.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Ähnliche Einträge

Ähnliche Einträge