Баранський, П., & Гайдар, Г. (2014). Вплив термовідпалів при 450 і 650 °С на тензоопір і параметр анізотропії рухливості монокристалів кремнію. Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.
Chicago Style (17th ed.) CitationБаранський, П.І, and Г.П Гайдар. "Вплив термовідпалів при 450 і 650 °С на тензоопір і параметр анізотропії рухливості монокристалів кремнію." Оптоэлектроника и полупроводниковая техника 2014.
MLA (8th ed.) CitationБаранський, П.І, and Г.П Гайдар. "Вплив термовідпалів при 450 і 650 °С на тензоопір і параметр анізотропії рухливості монокристалів кремнію." Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2014.
Warning: These citations may not always be 100% accurate.