Вплив термовідпалів при 450 і 650 °С на тензоопір і параметр анізотропії рухливості монокристалів кремнію
При 77,4 К на зразках n-Si (P), орієнтованих уздовж кристалографічного напрямку [100], досліджено зміни питомого опору ρx/ρ₀ в залежності від одновісного механічного стиску, що змінювався у межах 0 ≤ Х ≤ 0,8 ГПа. Зразки перед вимірюваннями тензоопору відпалювалися перший раз при 450 °С, а другий раз...
Saved in:
| Published in: | Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
|---|---|
| Date: | 2014 |
| Main Authors: | , |
| Format: | Article |
| Language: | Ukrainian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2014
|
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/108923 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Вплив термовідпалів при 450 і 650 °С на тензоопір і параметр анізотропії рухливості монокристалів кремнію / П.І. Баранський, Г.П. Гайдар // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2014. — Вип. 49. — С. 42-47. — Бібліогр.: 10 назв. — укр. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-108923 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Баранський, П.І. Гайдар, Г.П. 2016-11-17T17:47:24Z 2016-11-17T17:47:24Z 2014 Вплив термовідпалів при 450 і 650 °С на тензоопір і параметр анізотропії рухливості монокристалів кремнію / П.І. Баранський, Г.П. Гайдар // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2014. — Вип. 49. — С. 42-47. — Бібліогр.: 10 назв. — укр. 0233-7577 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/108923 621.315.592 При 77,4 К на зразках n-Si (P), орієнтованих уздовж кристалографічного напрямку [100], досліджено зміни питомого опору ρx/ρ₀ в залежності від одновісного механічного стиску, що змінювався у межах 0 ≤ Х ≤ 0,8 ГПа. Зразки перед вимірюваннями тензоопору відпалювалися перший раз при 450 °С, а другий раз – при 650 °С протягом різних проміжків часу (в інтервалі 0 ≤ t ≤ 45 год). Досліджено також зміни рухливості носіїв заряду μ та параметра анізотропії рухливості K=μ/μ у монокристалах n-Si(P) у залежності від часу їх термовідпалу (в межах 0 ≤ t ≤ 10 год) при двох фіксованих значеннях температури відпалу (450 і 650 °С). At 77.4 K, the resistivity changes ρx/ρ₀ depending on the uniaxial mechanical compression, which varied within the range 0 ≤ Х ≤ 0,8 GPа, were investigated on the samples of n-Si(P) oriented along the crystallographic direction [100]. Before measurements of tensoresistance, the samples were annealed at first time at 450 °С, and a second time – at 650 °С for various periods of time (within the range 0 ≤ t ≤ 45 h). The changes of the charge carrier mobility μ and the parameter of mobility anisotropy K=μ/μ in n-Si (P) single crystals depending on the time of thermoannealing (within the range 0 ≤ t ≤ 10 h) at two fixed values of the annealing temperature (450 and 650 °С) were also studied. uk Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Оптоэлектроника и полупроводниковая техника Вплив термовідпалів при 450 і 650 °С на тензоопір і параметр анізотропії рухливості монокристалів кремнію Influence of thermoannealings at 450 and 650 °C on the tensoresistance and anisotropy parameter in mobility of silicon single crystals Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Вплив термовідпалів при 450 і 650 °С на тензоопір і параметр анізотропії рухливості монокристалів кремнію |
| spellingShingle |
Вплив термовідпалів при 450 і 650 °С на тензоопір і параметр анізотропії рухливості монокристалів кремнію Баранський, П.І. Гайдар, Г.П. |
| title_short |
Вплив термовідпалів при 450 і 650 °С на тензоопір і параметр анізотропії рухливості монокристалів кремнію |
| title_full |
Вплив термовідпалів при 450 і 650 °С на тензоопір і параметр анізотропії рухливості монокристалів кремнію |
| title_fullStr |
Вплив термовідпалів при 450 і 650 °С на тензоопір і параметр анізотропії рухливості монокристалів кремнію |
| title_full_unstemmed |
Вплив термовідпалів при 450 і 650 °С на тензоопір і параметр анізотропії рухливості монокристалів кремнію |
| title_sort |
вплив термовідпалів при 450 і 650 °с на тензоопір і параметр анізотропії рухливості монокристалів кремнію |
| author |
Баранський, П.І. Гайдар, Г.П. |
| author_facet |
Баранський, П.І. Гайдар, Г.П. |
| publishDate |
2014 |
| language |
Ukrainian |
| container_title |
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Influence of thermoannealings at 450 and 650 °C on the tensoresistance and anisotropy parameter in mobility of silicon single crystals |
| description |
При 77,4 К на зразках n-Si (P), орієнтованих уздовж кристалографічного напрямку [100], досліджено зміни питомого опору ρx/ρ₀ в залежності від одновісного механічного стиску, що змінювався у межах 0 ≤ Х ≤ 0,8 ГПа. Зразки перед вимірюваннями тензоопору відпалювалися перший раз при 450 °С, а другий раз – при 650 °С протягом різних проміжків часу (в інтервалі 0 ≤ t ≤ 45 год). Досліджено також зміни рухливості носіїв заряду μ та параметра анізотропії рухливості K=μ/μ у монокристалах n-Si(P) у залежності від часу їх термовідпалу (в межах 0 ≤ t ≤ 10 год) при двох фіксованих значеннях температури відпалу (450 і 650 °С).
At 77.4 K, the resistivity changes ρx/ρ₀ depending on the uniaxial mechanical compression, which varied within the range 0 ≤ Х ≤ 0,8 GPа, were investigated on the samples of n-Si(P) oriented along the crystallographic direction [100]. Before measurements of tensoresistance, the samples were annealed at first time at 450 °С, and a second time – at 650 °С for various periods of time (within the range 0 ≤ t ≤ 45 h). The changes of the charge carrier mobility μ and the parameter of mobility anisotropy K=μ/μ in n-Si (P) single crystals depending on the time of thermoannealing (within the range 0 ≤ t ≤ 10 h) at two fixed values of the annealing temperature (450 and 650 °С) were also studied.
|
| issn |
0233-7577 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/108923 |
| citation_txt |
Вплив термовідпалів при 450 і 650 °С на тензоопір і параметр анізотропії рухливості монокристалів кремнію / П.І. Баранський, Г.П. Гайдар // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2014. — Вип. 49. — С. 42-47. — Бібліогр.: 10 назв. — укр. |
| work_keys_str_mv |
AT baransʹkiipí vplivtermovídpalívpri450í650snatenzoopíríparametranízotropííruhlivostímonokristalívkremníû AT gaidargp vplivtermovídpalívpri450í650snatenzoopíríparametranízotropííruhlivostímonokristalívkremníû AT baransʹkiipí influenceofthermoannealingsat450and650conthetensoresistanceandanisotropyparameterinmobilityofsiliconsinglecrystals AT gaidargp influenceofthermoannealingsat450and650conthetensoresistanceandanisotropyparameterinmobilityofsiliconsinglecrystals |
| first_indexed |
2025-12-07T16:55:59Z |
| last_indexed |
2025-12-07T16:55:59Z |
| _version_ |
1850869346777169920 |