Вплив термовідпалів при 450 і 650 °С на тензоопір і параметр анізотропії рухливості монокристалів кремнію
При 77,4 К на зразках n-Si (P), орієнтованих уздовж кристалографічного напрямку [100], досліджено зміни питомого опору ρx/ρ₀ в залежності від одновісного механічного стиску, що змінювався у межах 0 ≤ Х ≤ 0,8 ГПа. Зразки перед вимірюваннями тензоопору відпалювалися перший раз при 450 °С, а другий раз...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
|---|---|
| Дата: | 2014 |
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Українська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2014
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/108923 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Вплив термовідпалів при 450 і 650 °С на тензоопір і параметр анізотропії рухливості монокристалів кремнію / П.І. Баранський, Г.П. Гайдар // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2014. — Вип. 49. — С. 42-47. — Бібліогр.: 10 назв. — укр. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862705868162727936 |
|---|---|
| author | Баранський, П.І. Гайдар, Г.П. |
| author_facet | Баранський, П.І. Гайдар, Г.П. |
| citation_txt | Вплив термовідпалів при 450 і 650 °С на тензоопір і параметр анізотропії рухливості монокристалів кремнію / П.І. Баранський, Г.П. Гайдар // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2014. — Вип. 49. — С. 42-47. — Бібліогр.: 10 назв. — укр. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
| description | При 77,4 К на зразках n-Si (P), орієнтованих уздовж кристалографічного напрямку [100], досліджено зміни питомого опору ρx/ρ₀ в залежності від одновісного механічного стиску, що змінювався у межах 0 ≤ Х ≤ 0,8 ГПа. Зразки перед вимірюваннями тензоопору відпалювалися перший раз при 450 °С, а другий раз – при 650 °С протягом різних проміжків часу (в інтервалі 0 ≤ t ≤ 45 год). Досліджено також зміни рухливості носіїв заряду μ та параметра анізотропії рухливості K=μ/μ у монокристалах n-Si(P) у залежності від часу їх термовідпалу (в межах 0 ≤ t ≤ 10 год) при двох фіксованих значеннях температури відпалу (450 і 650 °С).
At 77.4 K, the resistivity changes ρx/ρ₀ depending on the uniaxial mechanical compression, which varied within the range 0 ≤ Х ≤ 0,8 GPа, were investigated on the samples of n-Si(P) oriented along the crystallographic direction [100]. Before measurements of tensoresistance, the samples were annealed at first time at 450 °С, and a second time – at 650 °С for various periods of time (within the range 0 ≤ t ≤ 45 h). The changes of the charge carrier mobility μ and the parameter of mobility anisotropy K=μ/μ in n-Si (P) single crystals depending on the time of thermoannealing (within the range 0 ≤ t ≤ 10 h) at two fixed values of the annealing temperature (450 and 650 °С) were also studied.
|
| first_indexed | 2025-12-07T16:55:59Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-108923 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 0233-7577 |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2025-12-07T16:55:59Z |
| publishDate | 2014 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Баранський, П.І. Гайдар, Г.П. 2016-11-17T17:47:24Z 2016-11-17T17:47:24Z 2014 Вплив термовідпалів при 450 і 650 °С на тензоопір і параметр анізотропії рухливості монокристалів кремнію / П.І. Баранський, Г.П. Гайдар // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2014. — Вип. 49. — С. 42-47. — Бібліогр.: 10 назв. — укр. 0233-7577 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/108923 621.315.592 При 77,4 К на зразках n-Si (P), орієнтованих уздовж кристалографічного напрямку [100], досліджено зміни питомого опору ρx/ρ₀ в залежності від одновісного механічного стиску, що змінювався у межах 0 ≤ Х ≤ 0,8 ГПа. Зразки перед вимірюваннями тензоопору відпалювалися перший раз при 450 °С, а другий раз – при 650 °С протягом різних проміжків часу (в інтервалі 0 ≤ t ≤ 45 год). Досліджено також зміни рухливості носіїв заряду μ та параметра анізотропії рухливості K=μ/μ у монокристалах n-Si(P) у залежності від часу їх термовідпалу (в межах 0 ≤ t ≤ 10 год) при двох фіксованих значеннях температури відпалу (450 і 650 °С). At 77.4 K, the resistivity changes ρx/ρ₀ depending on the uniaxial mechanical compression, which varied within the range 0 ≤ Х ≤ 0,8 GPа, were investigated on the samples of n-Si(P) oriented along the crystallographic direction [100]. Before measurements of tensoresistance, the samples were annealed at first time at 450 °С, and a second time – at 650 °С for various periods of time (within the range 0 ≤ t ≤ 45 h). The changes of the charge carrier mobility μ and the parameter of mobility anisotropy K=μ/μ in n-Si (P) single crystals depending on the time of thermoannealing (within the range 0 ≤ t ≤ 10 h) at two fixed values of the annealing temperature (450 and 650 °С) were also studied. uk Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Оптоэлектроника и полупроводниковая техника Вплив термовідпалів при 450 і 650 °С на тензоопір і параметр анізотропії рухливості монокристалів кремнію Influence of thermoannealings at 450 and 650 °C on the tensoresistance and anisotropy parameter in mobility of silicon single crystals Article published earlier |
| spellingShingle | Вплив термовідпалів при 450 і 650 °С на тензоопір і параметр анізотропії рухливості монокристалів кремнію Баранський, П.І. Гайдар, Г.П. |
| title | Вплив термовідпалів при 450 і 650 °С на тензоопір і параметр анізотропії рухливості монокристалів кремнію |
| title_alt | Influence of thermoannealings at 450 and 650 °C on the tensoresistance and anisotropy parameter in mobility of silicon single crystals |
| title_full | Вплив термовідпалів при 450 і 650 °С на тензоопір і параметр анізотропії рухливості монокристалів кремнію |
| title_fullStr | Вплив термовідпалів при 450 і 650 °С на тензоопір і параметр анізотропії рухливості монокристалів кремнію |
| title_full_unstemmed | Вплив термовідпалів при 450 і 650 °С на тензоопір і параметр анізотропії рухливості монокристалів кремнію |
| title_short | Вплив термовідпалів при 450 і 650 °С на тензоопір і параметр анізотропії рухливості монокристалів кремнію |
| title_sort | вплив термовідпалів при 450 і 650 °с на тензоопір і параметр анізотропії рухливості монокристалів кремнію |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/108923 |
| work_keys_str_mv | AT baransʹkiipí vplivtermovídpalívpri450í650snatenzoopíríparametranízotropííruhlivostímonokristalívkremníû AT gaidargp vplivtermovídpalívpri450í650snatenzoopíríparametranízotropííruhlivostímonokristalívkremníû AT baransʹkiipí influenceofthermoannealingsat450and650conthetensoresistanceandanisotropyparameterinmobilityofsiliconsinglecrystals AT gaidargp influenceofthermoannealingsat450and650conthetensoresistanceandanisotropyparameterinmobilityofsiliconsinglecrystals |