Вплив термовідпалів при 450 і 650 °С на тензоопір і параметр анізотропії рухливості монокристалів кремнію - Баранський, П.І.; Гайдар, Г.П. (Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2014)
При 77,4 К на зразках n-Si (P), орієнтованих уздовж кристалографічного напрямку [100], досліджено зміни питомого опору ρx/ρ₀ в залежності від одновісного механічного стиску, що змінювався у межах 0 ≤ Х ≤ 0,8 ГПа. Зразки перед вимірюваннями тензоопору відпалювалися перший раз при 450 °С, а другий раз – при 650 °С протягом різних проміжків часу (в інтервалі 0 ≤ t ≤ 45 год). Досліджено також зміни рухливості носіїв заряду μ та параметра анізотропії рухливості K=μ/μ у монокристалах n-Si(P) у залежності від часу їх термовідпалу (в межах 0 ≤ t ≤ 10 год) при двох фіксованих значеннях температури відпалу (450 і 650 °С). At 77.4 K, the resistivity changes ρx/ρ₀ depending on the uniaxial mechanical compression, which varied within the range 0 ≤ Х ≤ 0,8 GPа, were investigated on the samples of n-Si(P) oriented along the crystallographic direction [100]. Before measurements of tensoresistance, the samples were annealed at first time at 450 °С, and a second time – at 650 °С for various periods of time (within the range 0 ≤ t ≤ 45 h). The changes of the charge carrier mobility μ and the parameter of mobility anisotropy K=μ/μ in n-Si (P) single crystals depending on the time of thermoannealing (within the range 0 ≤ t ≤ 10 h) at two fixed values of the annealing temperature (450 and 650 °С) were also studied.