Buchumschlag

Вплив термовідпалів при 450 і 650 °С на тензоопір і параметр анізотропії рухливості монокристалів кремнію

При 77,4 К на зразках n-Si (P), орієнтованих уздовж кристалографічного напрямку [100], досліджено зміни питомого опору ρx/ρ₀ в залежності від одновісного механічного стиску, що змінювався у межах 0 ≤ Х ≤ 0,8 ГПа. Зразки перед вимірюваннями тензоопору відпалювалися перший раз при 450 °С, а другий раз...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
Datum:2014
Hauptverfasser: Баранський, П.І., Гайдар, Г.П.
Format: Artikel
Sprache:Ukrainisch
Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2014
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/108923
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Вплив термовідпалів при 450 і 650 °С на тензоопір і параметр анізотропії рухливості монокристалів кремнію / П.І. Баранський, Г.П. Гайдар // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2014. — Вип. 49. — С. 42-47. — Бібліогр.: 10 назв. — укр.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Ähnliche Einträge

Ähnliche Einträge