Зображення обкладинки

Вплив термовідпалів при 450 і 650 °С на тензоопір і параметр анізотропії рухливості монокристалів кремнію

При 77,4 К на зразках n-Si (P), орієнтованих уздовж кристалографічного напрямку [100], досліджено зміни питомого опору ρx/ρ₀ в залежності від одновісного механічного стиску, що змінювався у межах 0 ≤ Х ≤ 0,8 ГПа. Зразки перед вимірюваннями тензоопору відпалювалися перший раз при 450 °С, а другий раз...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
Дата:	2014
Автори:	Баранський, П.І., Гайдар, Г.П.
Формат:	Стаття
Мова:	Українська
Опубліковано:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2014
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/108923
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Вплив термовідпалів при 450 і 650 °С на тензоопір і параметр анізотропії рухливості монокристалів кремнію / П.І. Баранський, Г.П. Гайдар // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2014. — Вип. 49. — С. 42-47. — Бібліогр.: 10 назв. — укр.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Вплив високотемпературного відпалу на параметри анізотропії рухливості і анізотропії термо-ЕРС захоплення електронів фононами в n–Si
за авторством: Баранський, П.І., та інші
Опубліковано: (2014)

Вплив ізовалентної домішки Ge і термовідпалів на електрофізичні властивості кристалів кремнію
за авторством: Гайдар, Г.П., та інші
Опубліковано: (2016)

Зміна електрофізичних властивостей сильно легованих монокристалів n-Ge 〈As〉 під впливом термовідпалів
за авторством: Гайдар, Г.П.
Опубліковано: (2018)

Фізичні фактори, що зумовлюють анізотропію термоерс і анізотропію рухливості в багатодолинних напівпровідниках
за авторством: Баранський, П.І., та інші
Опубліковано: (2013)

Визначення параметра анізотропії термоерс захоплення в багатодолинних напівпровідниках
за авторством: Баранський, П.І., та інші
Опубліковано: (2012)

Про особливості анізотропії термоелектричних ефектів у напівпровідниках, пов’язаної зі специфікою прояву багатьох долин
за авторством: Баранський, П.І., та інші
Опубліковано: (2012)

Зіставлення електрофізичних властивостей кристалів кремнію, легованих домішкою фосфору крізь розплав і методом ядерної трансмутації
за авторством: Баранський, П.І., та інші
Опубліковано: (2015)

Залежність параметра анізотропії термо-ЕРС захоплення від концентрації домішок у кристалах n-Ge та n-Si
за авторством: Гайдар, Г.П., та інші
Опубліковано: (2017)

Концентраційна залежність тензоопору монокристалів n–Si
за авторством: Баранський, П.І., та інші
Опубліковано: (2013)

Тензоопір аморфних феромагнетиків
за авторством: Семенько, М.П., та інші
Опубліковано: (2009)

Радіаційна і термічна стійкість тонких шарів, гетеросистем і наноструктур, створюваних на основі елементарних напівпровідників і напівпровідникових сполук
за авторством: Баранський, П.І., та інші
Опубліковано: (2010)

Магнітотензо- і тензомагнітоопір n-Ge
за авторством: Баранський, П.І., та інші
Опубліковано: (2016)

Стан і перспективи наноструктурних термоелектричних матеріалів
за авторством: Баранський, П.І., та інші
Опубліковано: (2009)

Influence of thermoannealings at 450 and 650 oC on the tensoresistance and anisotropy parameter in mobility of silicon single crystals
за авторством: P. I. Baranskyi, та інші
Опубліковано: (2014)

Експериментальний доказ незмінності форми ізоенергетичних еліпсоїдів n–Ge в умовах сильної одновісної пружної деформації
за авторством: Гайдар, Г.П., та інші
Опубліковано: (2015)

Ізотропність розсіяння на флуктуаціях легуючої домішки в сильно легованому n-кремнії
за авторством: Баранський, П.І., та інші
Опубліковано: (2010)

ХАРАКТЕРИСТИКИ РУХЛИВОСТІ СПЕРМИ ЧОРНОМОРСЬКОЇ КАМБАЛИ КАЛКАНА ПРИРОДНИХ ПОПУЛЯЦІЙ
за авторством: Баяндіна, Ю. С.
Опубліковано: (2023)

Особливості магнітоопору монокристалів InSe І GaSe
за авторством: Pokladok, N. T., та інші
Опубліковано: (2013)

Розрахунок параметрів анізотропії для скупчень галактик
за авторством: Kutlimuratov, S.Sh., та інші
Опубліковано: (2024)

Графічний параметр української рими
за авторством: Мовчун, Л.
Опубліковано: (2020)

Епітаксійне вирощування нанооб'єктів і умови прояву ефекту самоорганізації
за авторством: Гайдар, Г.П.
Опубліковано: (2010)

Фундаментальна наука і суспільний поступ
за авторством: Мачулін, В.Ф., та інші
Опубліковано: (2007)

Вплив анізотропії матеріалу на розподіл напружень біля параболічного вирізу
за авторством: Саврук, М.П., та інші
Опубліковано: (2015)

Термостійкість великих монокристалів алмазу
за авторством: Шевчук, С.М., та інші
Опубліковано: (2003)

Звітує НТК "Інститут монокристалів"
Опубліковано: (2002)

Пружна симетрія і параметри азимутальної анізотропії сейсмічних хвиль осадової товщі за даними методу вертикального сейсмічного профілювання
за авторством: Продайвода, Г.Т., та інші
Опубліковано: (2014)

Модуль упругости – важный параметр экструдируемого защитного покрытия
за авторством: Шкарапута, Л.Н., та інші
Опубліковано: (2006)

Співвідношення максимального часу фонації глухих і дзвінких приголосних як спосіб діагностики порушень рухливості елементів гортані в ранньому післяопераційному періоді
за авторством: Паламарчук, В.О.
Опубліковано: (2012)

Структура и параметр решетки тонких пленок C₆₀
за авторством: Пугачев, А.Т., та інші
Опубліковано: (1999)

Функціоналізація і наноструктурування поверхневих шарів поруватого кремнію
за авторством: Зубко, Є.І.
Опубліковано: (2013)

Морально-етичний параметр концепту «щедрість» у британській, німецькій, українській і російській лінгвокультурах
за авторством: Мізін, К.І., та інші
Опубліковано: (2014)

Інваріантний параметр ефективності вихрострумових давачів дефектоскопії
за авторством: Учанін, В.М.
Опубліковано: (2012)

Исследование взаимодействия цитохрома Р-450 с фосфолипидами методом флюоресцентной спектроскопии
за авторством: Горбенко, Г.П., та інші
Опубліковано: (1991)

Spectral and flurescent characteristics of laser dyes for 650-800 nm range
за авторством: Maslov, V.V.
Опубліковано: (2006)

Вплив адсорбції кисню і води на термоелектричну роботу виходу монокристалів GeS
за авторством: Savchenko, N. D., та інші
Опубліковано: (2011)

Термоелектричні властивості монокристалів сполук Tl₄SnS₄(Se₄) і Tl₂SnS₃(Se₃)
за авторством: Малаховська, Т.О., та інші
Опубліковано: (2009)

Оптимізація керування вирощуванням сцинтиляційних монокристалів
за авторством: Suzdal, V. S., та інші
Опубліковано: (2013)

Про можливі моделі теплового руху молекул і вплив температури на релаксацію оптичної анізотропії в бромбензолі
за авторством: Otajonov, Sh., та інші
Опубліковано: (2022)

Вплив механічних напружень на сигнал вихрострумового перетворювача магнітної анізотропії
за авторством: Учанін, В.М., та інші
Опубліковано: (2018)

Модельно-незалежні оцінювачі для статистичної анізотропії космічного мікрохвильового фону
за авторством: Shtanov, Yu.V., та інші
Опубліковано: (2022)