Химическое травление поверхности кристаллов ZnSe растворами H₂O₂–HBr–уксусная кислота - Станецкая, А.С.; Томашик, В.Н.; Стратийчук, И.Б.; Томашик, З.Ф.; Галкин, С.Н. (Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2014)
Разработаны бромвыделяющие травители H₂O₂–HBr–уксусная кислота для формирования полированной поверхности кристаллов нелегированного и легированного ZnSe. Изучены зависимости скорости растворения кристаллов от состава травителей, их перемешивания и температуры. Построены диаграммы “состав раствора – скорость травления” и установлены концентрационные границы полирующих растворов. Оптимизированы составы полирующих смесей для травления ZnSe методами химико-динамического и химико-механического полирования. Исследовано состояние поверхности кристаллов селенида цинка методами электронной микроскопии после механической и химической обработки. The chemical interaction of undoped and doped ZnSe crystals surface with bromine emerging solutions of H₂O₂ – HBr – acetic acid has been investigated. The dependence of dissolution rate on the etchants compositions, its stirring, temperature, and doping of the crystals have been studied. The phase diagrams of “etchants compositions – etching rate” have been constructed. The concentration regions of polishing solutions and the surface state after chemical etching have been defined. The polishing etchants compositions for chemical treatment of the test materials have been optimized. The surface state of zinc selenide crystals after mechanical and chemical treatment has been investigated using electron microscopy.