Фотоэлектрические преобразователи ультрафиолетового излучения с варизонными слоями на основе твердых растворов CdxZn1–xS

• Опубліковано в: : Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
• Дата: 2014
• Автори: Бобренко, Ю.Н., Павелец, С.Ю., Семикина, Т.В., Шереметова, Г.И., Ярошенко, Н.В.
• Формат: Стаття
• Мова: Російська
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2014
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/108927
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Фотоэлектрические преобразователи ультрафиолетового излучения с варизонными слоями на основе твердых растворов CdxZn1–xS / Ю.Н. Бобренко, С.Ю. Павелец, Т.В. Семикина, Г.И. Шереметова, Н.В. Ярошенко // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2014. — Вип. 49. — С. 69-74. — Бібліогр.: 16 назв. — рос.

Получены и исследованы поверхностно-барьерные фотопреобразователи на основе твердых растворов Cd₀.₄Zn₀.₆S. Сенсоры, в отличие от известных УФ сенсоров на основе ZnS, чувствительны во всей УФ области спектра, что позволяет с применением стеклянных фильтров получать на их основе селективный полупроводниковый сенсор УФ-А диапазона. Проблема получения низкоомной поликристаллической пленки Cd₀.₄Zn₀.₆S и создания к ней омического контакта решается путем создания на текстурированной подложке CdS многослойной гетероструктуры с промежуточными варизонными слоями. Для уменьшения рекомбинационных потерь фотоносителей на границе раздела реализован оригинальный вариант встраивания тонкого варизонного слоя CdxZn1-xSe в ОПЗ поверхностно-барьерной структуры. Surface-barrier photoconverters based on Cd₀.₄Zn₀.₆S solid solutions have been prepared and studied. These sensors, contrary to the known ZnS-based UV sensors, are sensitive over the whole UV spectral range. It makes it possible to obtain selective semiconductor sensor for UV-A range based on glass filters. The problem of preparation of low-resistance polycrystalline Cd₀.₄Zn₀.₆S film with ohmic contact has been solved by formation of a multilayer heterostructure with graded-gap interlayers on a textured CdS substrate. To reduce recombination losses of charge photocarriers at the interface, the original version of incorporation of a thin graded-gap CdxZn1–xSe layer into space-charge region of the surface-barrier structure has been applied.