Фотоэлектрические преобразователи ультрафиолетового излучения с варизонными слоями на основе твердых растворов CdxZn1–xS
Получены и исследованы поверхностно-барьерные фотопреобразователи на основе твердых растворов Cd₀.₄Zn₀.₆S. Сенсоры, в отличие от известных УФ сенсоров на основе ZnS, чувствительны во всей УФ области спектра, что позволяет с применением стеклянных фильтров получать на их основе селективный полупровод...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
|---|---|
| Datum: | 2014 |
| Hauptverfasser: | , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2014
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/108927 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Фотоэлектрические преобразователи ультрафиолетового излучения с варизонными слоями на основе твердых растворов CdxZn1–xS / Ю.Н. Бобренко, С.Ю. Павелец, Т.В. Семикина, Г.И. Шереметова, Н.В. Ярошенко // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2014. — Вип. 49. — С. 69-74. — Бібліогр.: 16 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-108927 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Бобренко, Ю.Н. Павелец, С.Ю. Семикина, Т.В. Шереметова, Г.И. Ярошенко, Н.В. 2016-11-17T17:57:44Z 2016-11-17T17:57:44Z 2014 Фотоэлектрические преобразователи ультрафиолетового излучения с варизонными слоями на основе твердых растворов CdxZn1–xS / Ю.Н. Бобренко, С.Ю. Павелец, Т.В. Семикина, Г.И. Шереметова, Н.В. Ярошенко // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2014. — Вип. 49. — С. 69-74. — Бібліогр.: 16 назв. — рос. 0233-7577 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/108927 621.315.592; 621.384.2 Получены и исследованы поверхностно-барьерные фотопреобразователи на основе твердых растворов Cd₀.₄Zn₀.₆S. Сенсоры, в отличие от известных УФ сенсоров на основе ZnS, чувствительны во всей УФ области спектра, что позволяет с применением стеклянных фильтров получать на их основе селективный полупроводниковый сенсор УФ-А диапазона. Проблема получения низкоомной поликристаллической пленки Cd₀.₄Zn₀.₆S и создания к ней омического контакта решается путем создания на текстурированной подложке CdS многослойной гетероструктуры с промежуточными варизонными слоями. Для уменьшения рекомбинационных потерь фотоносителей на границе раздела реализован оригинальный вариант встраивания тонкого варизонного слоя CdxZn1-xSe в ОПЗ поверхностно-барьерной структуры. Surface-barrier photoconverters based on Cd₀.₄Zn₀.₆S solid solutions have been prepared and studied. These sensors, contrary to the known ZnS-based UV sensors, are sensitive over the whole UV spectral range. It makes it possible to obtain selective semiconductor sensor for UV-A range based on glass filters. The problem of preparation of low-resistance polycrystalline Cd₀.₄Zn₀.₆S film with ohmic contact has been solved by formation of a multilayer heterostructure with graded-gap interlayers on a textured CdS substrate. To reduce recombination losses of charge photocarriers at the interface, the original version of incorporation of a thin graded-gap CdxZn1–xSe layer into space-charge region of the surface-barrier structure has been applied. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Оптоэлектроника и полупроводниковая техника Фотоэлектрические преобразователи ультрафиолетового излучения с варизонными слоями на основе твердых растворов CdxZn1–xS Photoelectric converters of UV radiation with graded-gap layers based on CdxZn1–xS solid solutions Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Фотоэлектрические преобразователи ультрафиолетового излучения с варизонными слоями на основе твердых растворов CdxZn1–xS |
| spellingShingle |
Фотоэлектрические преобразователи ультрафиолетового излучения с варизонными слоями на основе твердых растворов CdxZn1–xS Бобренко, Ю.Н. Павелец, С.Ю. Семикина, Т.В. Шереметова, Г.И. Ярошенко, Н.В. |
| title_short |
Фотоэлектрические преобразователи ультрафиолетового излучения с варизонными слоями на основе твердых растворов CdxZn1–xS |
| title_full |
Фотоэлектрические преобразователи ультрафиолетового излучения с варизонными слоями на основе твердых растворов CdxZn1–xS |
| title_fullStr |
Фотоэлектрические преобразователи ультрафиолетового излучения с варизонными слоями на основе твердых растворов CdxZn1–xS |
| title_full_unstemmed |
Фотоэлектрические преобразователи ультрафиолетового излучения с варизонными слоями на основе твердых растворов CdxZn1–xS |
| title_sort |
фотоэлектрические преобразователи ультрафиолетового излучения с варизонными слоями на основе твердых растворов cdxzn1–xs |
| author |
Бобренко, Ю.Н. Павелец, С.Ю. Семикина, Т.В. Шереметова, Г.И. Ярошенко, Н.В. |
| author_facet |
Бобренко, Ю.Н. Павелец, С.Ю. Семикина, Т.В. Шереметова, Г.И. Ярошенко, Н.В. |
| publishDate |
2014 |
| language |
Russian |
| container_title |
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Photoelectric converters of UV radiation with graded-gap layers based on CdxZn1–xS solid solutions |
| description |
Получены и исследованы поверхностно-барьерные фотопреобразователи на основе твердых растворов Cd₀.₄Zn₀.₆S. Сенсоры, в отличие от известных УФ сенсоров на основе ZnS, чувствительны во всей УФ области спектра, что позволяет с применением стеклянных фильтров получать на их основе селективный полупроводниковый сенсор УФ-А диапазона. Проблема получения низкоомной поликристаллической пленки Cd₀.₄Zn₀.₆S и создания к ней омического контакта решается путем создания на текстурированной подложке CdS многослойной гетероструктуры с промежуточными варизонными слоями. Для уменьшения рекомбинационных потерь фотоносителей на границе раздела реализован оригинальный вариант встраивания тонкого варизонного слоя CdxZn1-xSe в ОПЗ поверхностно-барьерной структуры.
Surface-barrier photoconverters based on Cd₀.₄Zn₀.₆S solid solutions have been prepared and studied. These sensors, contrary to the known ZnS-based UV sensors, are sensitive over the whole UV spectral range. It makes it possible to obtain selective semiconductor sensor for UV-A range based on glass filters. The problem of preparation of low-resistance polycrystalline Cd₀.₄Zn₀.₆S film with ohmic contact has been solved by formation of a multilayer heterostructure with graded-gap interlayers on a textured CdS substrate. To reduce recombination losses of charge photocarriers at the interface, the original version of incorporation of a thin graded-gap CdxZn1–xSe layer into space-charge region of the surface-barrier structure has been applied.
|
| issn |
0233-7577 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/108927 |
| citation_txt |
Фотоэлектрические преобразователи ультрафиолетового излучения с варизонными слоями на основе твердых растворов CdxZn1–xS / Ю.Н. Бобренко, С.Ю. Павелец, Т.В. Семикина, Г.И. Шереметова, Н.В. Ярошенко // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2014. — Вип. 49. — С. 69-74. — Бібліогр.: 16 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT bobrenkoûn fotoélektričeskiepreobrazovateliulʹtrafioletovogoizlučeniâsvarizonnymisloâminaosnovetverdyhrastvorovcdxzn1xs AT pavelecsû fotoélektričeskiepreobrazovateliulʹtrafioletovogoizlučeniâsvarizonnymisloâminaosnovetverdyhrastvorovcdxzn1xs AT semikinatv fotoélektričeskiepreobrazovateliulʹtrafioletovogoizlučeniâsvarizonnymisloâminaosnovetverdyhrastvorovcdxzn1xs AT šeremetovagi fotoélektričeskiepreobrazovateliulʹtrafioletovogoizlučeniâsvarizonnymisloâminaosnovetverdyhrastvorovcdxzn1xs AT ârošenkonv fotoélektričeskiepreobrazovateliulʹtrafioletovogoizlučeniâsvarizonnymisloâminaosnovetverdyhrastvorovcdxzn1xs AT bobrenkoûn photoelectricconvertersofuvradiationwithgradedgaplayersbasedoncdxzn1xssolidsolutions AT pavelecsû photoelectricconvertersofuvradiationwithgradedgaplayersbasedoncdxzn1xssolidsolutions AT semikinatv photoelectricconvertersofuvradiationwithgradedgaplayersbasedoncdxzn1xssolidsolutions AT šeremetovagi photoelectricconvertersofuvradiationwithgradedgaplayersbasedoncdxzn1xssolidsolutions AT ârošenkonv photoelectricconvertersofuvradiationwithgradedgaplayersbasedoncdxzn1xssolidsolutions |
| first_indexed |
2025-12-07T18:40:42Z |
| last_indexed |
2025-12-07T18:40:42Z |
| _version_ |
1850875935794921472 |