Вплив підкладки та поверхні макропори на фотопровідність у двомірних структурах макропористого кремнію

• Veröffentlicht in: Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
• Datum: 2014
• 1. Verfasser: Онищенко, В.Ф.
• Format: Artikel
• Sprache: Ukrainisch
• Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2014
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/108928
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Вплив підкладки та поверхні макропори на фотопровідність у двомірних структурах макропористого кремнію / В.Ф. Онищенко // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2014. — Вип. 49. — С. 75-81. — Бібліогр.: 14 назв. — укр.

Розглянуто експериментальне та чисельне дослідження впливу монокристалічної кремнієвої підкладки та характеристик поверхні макропори на фотопровідність двовимірних структур макропористого кремнію. Показано, що вплив монокристалічної кремнієвої підкладки структури макропористого кремнію є незначним і залежить від довжини хвилі падаючого світла, об’ємної частки макропор, глибини макропор та товщини підкладки. Середня величина поверхневого потенціалу та заряду поверхневих станів визначають фотопровідність макропористого шару у двовимірній структурі макропористого кремнію The experimental and numerical investigations of the influence of single-crystal silicon substrate and characteristics of macropore surface on the photoconductivity of two-dimensional structures of macroporous silicon have been performed. It has shown that the influence of single-crystal silicon substrate of macroporous silicon structure is negligible and depends on the wavelength of the incident light, the macropore volume fraction, macropore depth and thickness of the substrate. The mean values of the surface potential and charge of surface states determine the photoconductivity of macroporous layer in two-dimensional structure of macroporous silicon.