Отрицательная фотопроводимость и поверхностно-барьерный фотодиодный эффект – два взаимосвязанных поверхностных фотоэффекта в макропористом кремнии
Обнаружено одновременное проявление двух поверхностных фотоэффектов в макропористом кремнии (МПК): отрицательной фотопроводимости (ФП) и поверхностно-барьерного фотодиодного (ПБФД) эффекта. Отрицательная ФП МПК проявлялась в том, что при освещении образца МПК его проводимость уменьшалась до значения...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
|---|---|
| Дата: | 2014 |
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2014
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/108930 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Отрицательная фотопроводимость и поверхностно-барьерный фотодиодный эффект – два взаимосвязанных поверхностных фотоэффекта в макропористом кремнии / Н.И. Карась // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2014. — Вип. 49. — С. 88-92. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-108930 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Карась, Н.И. 2016-11-17T18:02:02Z 2016-11-17T18:02:02Z 2014 Отрицательная фотопроводимость и поверхностно-барьерный фотодиодный эффект – два взаимосвязанных поверхностных фотоэффекта в макропористом кремнии / Н.И. Карась // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2014. — Вип. 49. — С. 88-92. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. 0233-7577 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/108930 621.315.592 Обнаружено одновременное проявление двух поверхностных фотоэффектов в макропористом кремнии (МПК): отрицательной фотопроводимости (ФП) и поверхностно-барьерного фотодиодного (ПБФД) эффекта. Отрицательная ФП МПК проявлялась в том, что при освещении образца МПК его проводимость уменьшалась до значения меньшего, чем темновое. ПБФД эффект проявлял себя тем, что кривые люкс-амперных характеристик – зависимости ФП от интенсивности освещения – не совпадали при прямом и обратном направлениях тока, и с увеличением интенсивности освещения это расхождение увеличивалось. Полученные экспериментальные результаты объясняются образованием на поверхности полупроводника (МПК) инверсионного изгиба зон из-за прилипания на так называемых “медленных” поверхностных уровнях основных носителей заряда, что вызывает отрицательную ФП. С другой стороны, инверсионный р-слой, образующийся при этом, с объемом кремния n-типа создают индуцированный p-n-переход с весьма малой глубиной залегания (0,05 – 0,1 мкм), т.е. поверхностно-барьерный фотодиод. The simultaneous display of two surface photoeffects in macroporous silicon – negative photoconductivity and surface-barrier photodiode effect – have been observed. Negative photoconductivity is manifested itself in the fact that when illuminating the sample of macroporous silicon, its conductivity decreased to a value smaller than the dark one. Surface-barrier photodiode effect manifested itself in the fact that the curves of lux-ampere characteristics – dependence of photoconductivity on the intensity of illumination – did not coincide in the case of the forward and reverse current and with the light intensity increase this difference is rised. The experimental results are explained by formation of the inversion band bending on the surface of semiconductor (macroporous silicon) due to capture of the majority carriers at the so-called slow surface levels, which causes negative photoconductivity. On the other hand, this formed inversion p-layer together with n-type silicon bulk create an induced p-n junction with the very small depth (0.05 – 0.1 μm), i.e. surface-barrier photodiode. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Оптоэлектроника и полупроводниковая техника Отрицательная фотопроводимость и поверхностно-барьерный фотодиодный эффект – два взаимосвязанных поверхностных фотоэффекта в макропористом кремнии Negative photoconductivity and surface-barrier photodiode effect – two interrelated sur-face photoeffects in macroporous silicon Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Отрицательная фотопроводимость и поверхностно-барьерный фотодиодный эффект – два взаимосвязанных поверхностных фотоэффекта в макропористом кремнии |
| spellingShingle |
Отрицательная фотопроводимость и поверхностно-барьерный фотодиодный эффект – два взаимосвязанных поверхностных фотоэффекта в макропористом кремнии Карась, Н.И. |
| title_short |
Отрицательная фотопроводимость и поверхностно-барьерный фотодиодный эффект – два взаимосвязанных поверхностных фотоэффекта в макропористом кремнии |
| title_full |
Отрицательная фотопроводимость и поверхностно-барьерный фотодиодный эффект – два взаимосвязанных поверхностных фотоэффекта в макропористом кремнии |
| title_fullStr |
Отрицательная фотопроводимость и поверхностно-барьерный фотодиодный эффект – два взаимосвязанных поверхностных фотоэффекта в макропористом кремнии |
| title_full_unstemmed |
Отрицательная фотопроводимость и поверхностно-барьерный фотодиодный эффект – два взаимосвязанных поверхностных фотоэффекта в макропористом кремнии |
| title_sort |
отрицательная фотопроводимость и поверхностно-барьерный фотодиодный эффект – два взаимосвязанных поверхностных фотоэффекта в макропористом кремнии |
| author |
Карась, Н.И. |
| author_facet |
Карась, Н.И. |
| publishDate |
2014 |
| language |
Russian |
| container_title |
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Negative photoconductivity and surface-barrier photodiode effect – two interrelated sur-face photoeffects in macroporous silicon |
| description |
Обнаружено одновременное проявление двух поверхностных фотоэффектов в макропористом кремнии (МПК): отрицательной фотопроводимости (ФП) и поверхностно-барьерного фотодиодного (ПБФД) эффекта. Отрицательная ФП МПК проявлялась в том, что при освещении образца МПК его проводимость уменьшалась до значения меньшего, чем темновое. ПБФД эффект проявлял себя тем, что кривые люкс-амперных характеристик – зависимости ФП от интенсивности освещения – не совпадали при прямом и обратном направлениях тока, и с увеличением интенсивности освещения это расхождение увеличивалось. Полученные экспериментальные результаты объясняются образованием на поверхности полупроводника (МПК) инверсионного изгиба зон из-за прилипания на так называемых “медленных” поверхностных уровнях основных носителей заряда, что вызывает отрицательную ФП. С другой стороны, инверсионный р-слой, образующийся при этом, с объемом кремния n-типа создают индуцированный p-n-переход с весьма малой глубиной залегания (0,05 – 0,1 мкм), т.е. поверхностно-барьерный фотодиод.
The simultaneous display of two surface photoeffects in macroporous silicon – negative photoconductivity and surface-barrier photodiode effect – have been observed. Negative photoconductivity is manifested itself in the fact that when illuminating the sample of macroporous silicon, its conductivity decreased to a value smaller than the dark one. Surface-barrier photodiode effect manifested itself in the fact that the curves of lux-ampere characteristics – dependence of photoconductivity on the intensity of illumination – did not coincide in the case of the forward and reverse current and with the light intensity increase this difference is rised. The experimental results are explained by formation of the inversion band bending on the surface of semiconductor (macroporous silicon) due to capture of the majority carriers at the so-called slow surface levels, which causes negative photoconductivity. On the other hand, this formed inversion p-layer together with n-type silicon bulk create an induced p-n junction with the very small depth (0.05 – 0.1 μm), i.e. surface-barrier photodiode.
|
| issn |
0233-7577 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/108930 |
| citation_txt |
Отрицательная фотопроводимость и поверхностно-барьерный фотодиодный эффект – два взаимосвязанных поверхностных фотоэффекта в макропористом кремнии / Н.И. Карась // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2014. — Вип. 49. — С. 88-92. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT karasʹni otricatelʹnaâfotoprovodimostʹipoverhnostnobarʹernyifotodiodnyiéffektdvavzaimosvâzannyhpoverhnostnyhfotoéffektavmakroporistomkremnii AT karasʹni negativephotoconductivityandsurfacebarrierphotodiodeeffecttwointerrelatedsurfacephotoeffectsinmacroporoussilicon |
| first_indexed |
2025-12-07T18:00:12Z |
| last_indexed |
2025-12-07T18:00:12Z |
| _version_ |
1850873387809767424 |