Выбор напряжений обратных смещений для кремниевых ФЭУ S10931-050P и S10931-100P
Представлены результаты исследования зависимости максимально возможных и однофотоэлектронных сигналов кремниевых фотоэлектронных умножителей с размерами ячеек 50×50 и 100×100 мкм производства «Hamamatsu Photonics K.K.» от напряжений обратного смещения. Показано, что ФЭУ с меньшими ячейками имеет бол...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Вопросы атомной науки и техники |
|---|---|
| Datum: | 2012 |
| Hauptverfasser: | , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2012
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/108940 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Выбор напряжений обратных смещений для кремниевых ФЭУ S10931-050P и S10931-100P / А.В. Дудник, Е.В. Курбатов, Э. Валтонен // Вопросы атомной науки и техники. — 2012. — № 4. — С. 210-215. — Бібліогр.: 13 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-108940 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Дудник, А.В. Курбатов, Е.В. Валтонен, Э. 2016-11-18T15:27:40Z 2016-11-18T15:27:40Z 2012 Выбор напряжений обратных смещений для кремниевых ФЭУ S10931-050P и S10931-100P / А.В. Дудник, Е.В. Курбатов, Э. Валтонен // Вопросы атомной науки и техники. — 2012. — № 4. — С. 210-215. — Бібліогр.: 13 назв. — рос. 1562-6016 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/108940 539.1.074:621.383.523 Представлены результаты исследования зависимости максимально возможных и однофотоэлектронных сигналов кремниевых фотоэлектронных умножителей с размерами ячеек 50×50 и 100×100 мкм производства «Hamamatsu Photonics K.K.» от напряжений обратного смещения. Показано, что ФЭУ с меньшими ячейками имеет более широкий диапазон амплитуд выходных аналоговых сигналов, в то время как эффективность регистрации фотонов ФЭУ с большими размерами ячеек имеет более быстрый рост с увеличением напряжений обратных смещений за счет лучшей геометрической эффективности. Показана принципиальная возможность использования кремниевого ФЭУ размерами активной площади (3×3) мм² со сцинтилляционными детекторами на основе ортосиликата гадолиния, активированного церием, для спектрометрии гамма-излучения от естественных и искусственных радионуклидов. The results of investigation of maximal and single photo-electron signals of Hamamatsu Photonics K.K. silicon photomultipliers (PM) with pixel sizes 50×50 and 100×100 μm as a function of bias voltage are presented. It is shown that the PM with smaller pixels has a wider range of analog signal output amplitudes, while the photon detection efficiency of the PM with large pixel sizes increases more rapidly with increasing bias voltages due to better geometric efficiency. The principal possibility of using silicon photomultipliers with an active area of (3×3) mm² with scintillation detectors based on cerium-doped gadolinium silicate crystals for gamma-ray spectrometry from natural and artificial radio nuclides is demonstrated. Представлені результати дослідження залежності максимально можливих і однофотоелектронних сигналів кремнієвих фотоелектронних помножувачів з розмірами комірок 50×50 і 100×100 мкм виробництва «Hamamatsu Photonics K.K.» від напруг зворотного зміщення. Показано, що ФЕП з меншими комірками має більш широкий діапазон амплітуд вихідних аналогових сигналів, проте ефективність реєстрації фотонів ФЕП з більшими розмірами комірок зростає швидше зі збільшенням напруги зворотних зміщень за рахунок кращої геометричної ефективності. Показана принципова можливість використання кремнієвого ФЕП розмірами активної площі (3×3) мм² зі сцинтиляційними детекторами на основі ортосилікату гадолінія, активованого церієм, для спектрометрії гамма-випромінювання від природних і штучних радіонуклідів. ru Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України Вопросы атомной науки и техники Применение ускоренных пучков: детекторы и детектирование ядерных излучений Выбор напряжений обратных смещений для кремниевых ФЭУ S10931-050P и S10931-100P Choice of bias voltages for silicon photomultipliers S10931-050P and S10931-100P Вибір напруг зворотних зміщень для кремніевих ФЕП S10931-050P і S10931-100P Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Выбор напряжений обратных смещений для кремниевых ФЭУ S10931-050P и S10931-100P |
| spellingShingle |
Выбор напряжений обратных смещений для кремниевых ФЭУ S10931-050P и S10931-100P Дудник, А.В. Курбатов, Е.В. Валтонен, Э. Применение ускоренных пучков: детекторы и детектирование ядерных излучений |
| title_short |
Выбор напряжений обратных смещений для кремниевых ФЭУ S10931-050P и S10931-100P |
| title_full |
Выбор напряжений обратных смещений для кремниевых ФЭУ S10931-050P и S10931-100P |
| title_fullStr |
Выбор напряжений обратных смещений для кремниевых ФЭУ S10931-050P и S10931-100P |
| title_full_unstemmed |
Выбор напряжений обратных смещений для кремниевых ФЭУ S10931-050P и S10931-100P |
| title_sort |
выбор напряжений обратных смещений для кремниевых фэу s10931-050p и s10931-100p |
| author |
Дудник, А.В. Курбатов, Е.В. Валтонен, Э. |
| author_facet |
Дудник, А.В. Курбатов, Е.В. Валтонен, Э. |
| topic |
Применение ускоренных пучков: детекторы и детектирование ядерных излучений |
| topic_facet |
Применение ускоренных пучков: детекторы и детектирование ядерных излучений |
| publishDate |
2012 |
| language |
Russian |
| container_title |
Вопросы атомной науки и техники |
| publisher |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Choice of bias voltages for silicon photomultipliers S10931-050P and S10931-100P Вибір напруг зворотних зміщень для кремніевих ФЕП S10931-050P і S10931-100P |
| description |
Представлены результаты исследования зависимости максимально возможных и однофотоэлектронных сигналов кремниевых фотоэлектронных умножителей с размерами ячеек 50×50 и 100×100 мкм производства «Hamamatsu Photonics K.K.» от напряжений обратного смещения. Показано, что ФЭУ с меньшими ячейками имеет более широкий диапазон амплитуд выходных аналоговых сигналов, в то время как эффективность регистрации фотонов ФЭУ с большими размерами ячеек имеет более быстрый рост с увеличением напряжений обратных смещений за счет лучшей геометрической эффективности. Показана принципиальная возможность использования кремниевого ФЭУ размерами активной площади (3×3) мм² со сцинтилляционными детекторами на основе ортосиликата гадолиния, активированного церием, для спектрометрии гамма-излучения от естественных и искусственных радионуклидов.
The results of investigation of maximal and single photo-electron signals of Hamamatsu Photonics K.K. silicon photomultipliers (PM) with pixel sizes 50×50 and 100×100 μm as a function of bias voltage are presented. It is shown that the PM with smaller pixels has a wider range of analog signal output amplitudes, while the photon detection efficiency of the PM with large pixel sizes increases more rapidly with increasing bias voltages due to better geometric efficiency. The principal possibility of using silicon photomultipliers with an active area of (3×3) mm² with scintillation detectors based on cerium-doped gadolinium silicate crystals for gamma-ray spectrometry from natural and artificial radio nuclides is demonstrated.
Представлені результати дослідження залежності максимально можливих і однофотоелектронних сигналів кремнієвих фотоелектронних помножувачів з розмірами комірок 50×50 і 100×100 мкм виробництва «Hamamatsu Photonics K.K.» від напруг зворотного зміщення. Показано, що ФЕП з меншими комірками має більш широкий діапазон амплітуд вихідних аналогових сигналів, проте ефективність реєстрації фотонів ФЕП з більшими розмірами комірок зростає швидше зі збільшенням напруги зворотних зміщень за рахунок кращої геометричної ефективності. Показана принципова можливість використання кремнієвого ФЕП розмірами активної площі (3×3) мм² зі сцинтиляційними детекторами на основі ортосилікату гадолінія, активованого церієм, для спектрометрії гамма-випромінювання від природних і штучних радіонуклідів.
|
| issn |
1562-6016 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/108940 |
| citation_txt |
Выбор напряжений обратных смещений для кремниевых ФЭУ S10931-050P и S10931-100P / А.В. Дудник, Е.В. Курбатов, Э. Валтонен // Вопросы атомной науки и техники. — 2012. — № 4. — С. 210-215. — Бібліогр.: 13 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT dudnikav vybornaprâženiiobratnyhsmeŝeniidlâkremnievyhféus10931050pis10931100p AT kurbatovev vybornaprâženiiobratnyhsmeŝeniidlâkremnievyhféus10931050pis10931100p AT valtonené vybornaprâženiiobratnyhsmeŝeniidlâkremnievyhféus10931050pis10931100p AT dudnikav choiceofbiasvoltagesforsiliconphotomultiplierss10931050pands10931100p AT kurbatovev choiceofbiasvoltagesforsiliconphotomultiplierss10931050pands10931100p AT valtonené choiceofbiasvoltagesforsiliconphotomultiplierss10931050pands10931100p AT dudnikav vibírnaprugzvorotnihzmíŝenʹdlâkremníevihfeps10931050pís10931100p AT kurbatovev vibírnaprugzvorotnihzmíŝenʹdlâkremníevihfeps10931050pís10931100p AT valtonené vibírnaprugzvorotnihzmíŝenʹdlâkremníevihfeps10931050pís10931100p |
| first_indexed |
2025-12-07T19:52:40Z |
| last_indexed |
2025-12-07T19:52:40Z |
| _version_ |
1850880463659335680 |