Методика и экспериментальные данные облучения конструкционных материалов ионами гелия на линейном ускорителе
Представлено описание установки и методика облучения конструкционных материалов ионами гелия с энергией до 4 МэВ. Для облучения материалов разработана, изготовлена и запущена новая ускоряющая структура ПОС-4 встречно-штыревого IH-типа, в которой используется метод переменно-фазовой фокусировки с шаг...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Вопросы атомной науки и техники |
|---|---|
| Дата: | 2012 |
| Автори: | , , , , , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2012
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/109019 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Методика и экспериментальные данные облучения конструкционных материалов ионами гелия на линейном ускорителе / Р.А. Анохин, В.Н. Воеводин, С.Н. Дубнюк, А.М. Егоров, Б.В. Зайцев, А.Ф. Кобец, О.П. Леденёв, К.В. Павлий, В.В. Ружицкий, Г.Д. Толстолуцкая // Вопросы атомной науки и техники. — 2012. — № 5. — С. 123-130. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1860068895771066368 |
|---|---|
| author | Анохин, Р.А. Воеводин, В.Н. Дубнюк, С.Н. Егоров, А.М. Зайцев, Б.В. Кобец, А.Ф. Леденёв, О.П. Павлий, К.В. Ружицкий, В.В. Толстолуцкая, Г.Д. |
| author_facet | Анохин, Р.А. Воеводин, В.Н. Дубнюк, С.Н. Егоров, А.М. Зайцев, Б.В. Кобец, А.Ф. Леденёв, О.П. Павлий, К.В. Ружицкий, В.В. Толстолуцкая, Г.Д. |
| citation_txt | Методика и экспериментальные данные облучения конструкционных материалов ионами гелия на линейном ускорителе / Р.А. Анохин, В.Н. Воеводин, С.Н. Дубнюк, А.М. Егоров, Б.В. Зайцев, А.Ф. Кобец, О.П. Леденёв, К.В. Павлий, В.В. Ружицкий, Г.Д. Толстолуцкая // Вопросы атомной науки и техники. — 2012. — № 5. — С. 123-130. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Вопросы атомной науки и техники |
| description | Представлено описание установки и методика облучения конструкционных материалов ионами гелия с энергией до 4 МэВ. Для облучения материалов разработана, изготовлена и запущена новая ускоряющая структура ПОС-4 встречно-штыревого IH-типа, в которой используется метод переменно-фазовой фокусировки с шаговым изменением синхронной фазы вдоль фокусирующих периодов. Создан и исследован инжектор однократно заряженных ионов гелия, энергия которых на выходе ускорительной трубки равна 120 кэВ, с последующей инжекцией пучка в ускорительную секцию ПОС-4. Для облучения образцов изготовлена камера, в процессе облучения измеряются температура образца, ток пучка и доза. Установка и методика облучения апробированы при исследовании термодесорбции гелия и электрофизических свойств облученных образцов.
Представлено опис установки і методика опромінення конструкційних матеріалів іонами гелію з енергією до 4 МеВ. Для опромінення матеріалів розроблена, виготовлена і запущена нова прискорювальна структура ПОС-4 зустрічно-штирьового IH типу, в якій використовується метод перемінно-фазового фокусування з кроковою зміною синхронної фази уздовж фокусуючих періодів. Створен та досліджен інжектор одноразово заряджених іонів гелію, енергія іонів на виході прискорювальної трубки дорівнює 120 кеВ, з подальшою інжекцією пучка в прискорювальну секцію ПОС-4. Для опромінення зразків виготовлена камера, в процесі опромінення вимірюються температура зразка, струм пучка і доза. Установка і методика опромінення апробовані при дослідженні термодесорбції гелію і електрофізичних властивостей опромінених зразків.
Presented description of the plant and methods of construction materials irradiation by helium ions with energies up to 4 MeV. For irradiation of materials developed, manufactured and launched a new accelerating interdigital H type structure POS-4, in which to focus the beam uses the alternating phase focus with stepper synchronous phase change along the focusing period. Created and studied injector singly charged helium ions, ion energy at the output of the accelerating tube is 120 keV, with subsequent injection of the beam in the accelerating section of POS-4. To irradiate the sample the camera was made, in the process of irradiation measured sample temperature, beam current and dose. Setting and methodology of irradiation tested in the investigation of thermodesorption of helium and electrical properties of the irradiated samples.
|
| first_indexed | 2025-12-07T17:08:54Z |
| format | Article |
| fulltext |
ISSN 1562-6016. ВАНТ. 2012. №5(81) 123
Раздел пятый
ДИАГНОСТИКА И МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЙ
УДК 620.187: 539.12.04
МЕТОДИКА И ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ ДАННЫЕ ОБЛУЧЕНИЯ
КОНСТРУКЦИОННЫХ МАТЕРИАЛОВ ИОНАМИ ГЕЛИЯ
НА ЛИНЕЙНОМ УСКОРИТЕЛЕ
Р.А. Анохин, В.Н. Воеводин, С.Н. Дубнюк, А.М. Егоров, Б.В. Зайцев, А.Ф. Кобец,
О.П. Леденёв, К.В. Павлий, В.В. Ружицкий, Г.Д. Толстолуцкая
Национальный научный центр «Харьковский физико-технический институт»,
Харьков, Украина
E-mail: kvint@kipt.kharkov.ua
Представлено описание установки и методика облучения конструкционных материалов ионами гелия с
энергией до 4 МэВ. Для облучения материалов разработана, изготовлена и запущена новая ускоряющая
структура ПОС-4 встречно-штыревого IH-типа, в которой используется метод переменно-фазовой фокуси-
ровки с шаговым изменением синхронной фазы вдоль фокусирующих периодов. Создан и исследован ин-
жектор однократно заряженных ионов гелия, энергия которых на выходе ускорительной трубки равна 120
кэВ, с последующей инжекцией пучка в ускорительную секцию ПОС-4. Для облучения образцов изготовле-
на камера, в процессе облучения измеряются температура образца, ток пучка и доза. Установка и методика
облучения апробированы при исследовании термодесорбции гелия и электрофизических свойств облучен-
ных образцов.
1. ВВЕДЕНИЕ
В настоящее время порядка 50 % электроэнер-
гии, вырабатываемой в Украине, приходится на до-
лю атомной энергетики. В ближайшее время значи-
тельная часть ядерных реакторов должна быть вы-
ведена из эксплуатации в связи с выработкой их
ресурса. Данная тенденция справедлива и для мно-
гих других стран. В связи с этим предусматривается
к середине века строительство реакторов нового
поколения: на быстрых нейтронах и термоядерных.
В конструкционных материалах активной зоны ре-
акторов на быстрых нейтронах и особенно первой
стенки термоядерных реакторов, наряду с высокой
степенью радиационных повреждений структуры,
будет происходить накопление значительного коли-
чества гелия, который образуется в результате раз-
личных ядерных реакций, а также может быть вне-
дрен непосредственно из плазмы в термоядерных
реакторах (ТЯР).
Гелий оказывает существенное влияние на ра-
диационную повреждаемость материалов и часто
может быть причиной значительного ухудшения
свойств и сокращения срока службы конструкцион-
ных элементов реакторов. В связи с этим изучению
поведения гелия в различных материалах уделяли
большое внимание. Выявлен ряд особенностей и
закономерностей [1-5] по влиянию гелия на радиа-
ционное распухание, высокотемпературное и низко-
температурное радиационное упрочнение и охруп-
чивание, радиационно-ускоренную ползучесть, эро-
зию поверхности материалов первой стенки ТЯР и
др. Для прогнозирования работоспособности конст-
рукционных материалов в условиях накопления
значительных концентраций газов кроме знаний о
влиянии газов на развитие радиационной повреж-
даемости требуются сведения о поведении самих
газов в зависимости от различных внутренних и
внешних факторов. Такими факторами могут быть
глубина залегания гелия, его концентрационно-
пространственное распределение, содержание при-
месей и легирующих элементов в металлах и спла-
вах различных кристаллических систем, послера-
диационная обработка. К настоящему времени экс-
периментальных данных по поведению гелия в ма-
териалах в зависимости от этих факторов получено
недостаточно.
При исследовании поведения гелия в материалах
особое внимание уделяют его влиянию на механи-
ческие свойства. Общеизвестно, что наличие не-
скольких десятков ppm гелия в аустенитных сталях
вызывает значительное охрупчивание, сопровож-
даемое изменением в характере разрушения: от
транскристаллитного к межкристаллитному рас-
трескиванию. Для механических испытаний образ-
цов с заданной концентрацией гелия необходимы
облучательные устройства, обеспечивающие вне-
дрение гелия на глубину от несколько десятков до
сотен микрометров, а также имеющие размер пучка
без сканирования до нескольких сантиметров.
Целью данной работы являлась разработка мето-
дики облучения конструкционных материалов ио-
нами гелия с энергиями от 0,12 до 4 МэВ и апроба-
ция этой методики при исследовании термодесорб-
ции гелия и электрофизических свойств облученных
образцов.
2. МЕТОДИКИ ЭКСПЕРИМЕНТА
Для изучения процессов, связанных с импланта-
цией гелия, в ННЦ ХФТИ осуществлен запуск ли-
нейного ускорителя ионов гелия с энергией 4 МэВ, в
дальнейшем планируется увеличение энергии до
34 МэВ [6].
124 ISSN 1562-6016. ВАНТ. 2012. №5(81)
2.1. УСКОРИТЕЛЬНАЯ СЕКЦИЯ ПОС-4
И ИНЖЕКТОР ИОНОВ ГЕЛИЯ
Ускорительная секция ПОС-4 предназначена для
ускорения ионов Не+ до энергии 4 МэВ (входная
энергия – 30 кэВ/нукл.), кроме того, ее можно ис-
пользовать для ускорения протонов. В ускоряющей
структуре ПОС-4 встречно-штыревого типа для фо-
кусировки пучка используется метод переменно-
фазовой фокусировки с шаговым изменением син-
хронной фазы вдоль фокусирующих периодов [7].
Эффективность этого метода зависит от конфигура-
ции фокусирующего периода. Выбор синхронных
фаз обеспечил захват пучка ионов высокой интен-
сивности в фазовом угле 120°, а также радиальную и
фазовую устойчивости сгустков ионов вдоль уско-
ряющей структуры. Для того чтобы обеспечить мак-
симальный захват частиц (1200) в режим устойчиво-
го радиального и продольного движения, ускоряю-
щее поле в начальной части структуры было сдела-
но нарастающим. Схема ПОС-4 и амплитудное зна-
чение ВЧ-поля в зависимости от номера ускоряю-
щей ячейки показаны на рис. 1.
а
б
Рис. 1. Схема ПОС-4 (а) и амплитудное значение
ВЧ-поля в зависимости от номера
ускоряющей ячейки (б)
В результате проведенных вычислений и экспе-
риментальных работ, выполненных при настройке и
запуске ускорительной секции ПОС-4, получено
заданное распределение электрического поля в
структуре на рабочей частоте 47,2 МГц. Основные
параметры ПОС-4 представлены в табл. 1.
Для облучения конструкционных материалов
ионами гелия с энергией 120 кэВ и для инжекции
пучка в ускорительную секцию ПОС-4 был разрабо-
тан, изготовлен и протестирован инжектор одно-
кратно заряженных ионов гелия. Инжектор состоит
из источника ионов, системы вытягивания и фоку-
сировки пучка, а также ускорительной трубки. Для
формирования пучка с заданными параметрами был
выбран источник типа дуоплазмотрон, с осцилли-
рующими в анодной области электронами [8].
Таблица 1
Основные параметры ПОС-4
Рабочая частота, МГц 47,2
Входной импульсный ток, мА 30
Выходной импульсный ток, мА 1… 0,3
Выходной нормализованный rms
эмиттанс в плоскости Х, см·мрад 0,0584
Выходной нормализованный rms
эмиттанс в плоскости Y, см·мрад 0,0568
Выходной нормализованный 99 %
эмиттанс в плоскости Х, см·мрад 0,7809
Выходной нормализованный 99%
эмиттанс в плоскости Y, см·мрад 0,7723
Такой выбор был сделан в связи с тем, что рабо-
чим газом является гелий, имеющий аномальную
кривую Пашена. В источнике поджигается несамо-
стоятельный дуговой разряд для получения плазмы,
проникающей из анодной области в зазор между
плазменной частью источника и вытягивающим
электродом, где формируется при подаче вытяги-
вающего потенциала двойной слой, служащий ис-
точником ионов.
Инжектор позволяет получить пучок однократно
заряженных ионов гелия с токами в несколько де-
сятков миллиампер. Основные параметры инжекто-
ра приведены в табл. 2.
Таблица 2
Основные параметры инжектора
Рабочий газ гелий
Ток дуги, А 2…4
Ток пучка на выходе, мА до 20
Энергия частиц на выходе, кэВ 120
Диаметр пучка на выходе, мм ~ 8
Давление рабочего газа в анодной
области источника, мм рт.ст. 5·10-3
Частота посылок, Гц 2…10
Длительность импульса модулятора
дуги, мкс 500
Магнитное поле в источнике, Э 300…700
На рис. 2 представлена осциллограмма тока пуч-
ка ускоренных ионов из ПОС-4. Ток дуги равен 4 А,
ток инжекции – 1,2 мА, ток ускоренного пучка
~ 300 мкА. Из рисунка видно, что ускоренный ток
пучка имеет квазипрямоугольную форму, отклоне-
ние пикового значения тока составляет не более
5 %.
Рис. 2. Осциллограмма тока пучка ионов гелия
из ПОС-4 с энергией 4 МэВ
ISSN 1562-6016. ВАНТ. 2012. №5(81) 125
2.2. МИШЕННЫЙ УЗЕЛ
И УСЛОВИЯ ОБЛУЧЕНИЯ
Для облучения образцов из конструкционных
материалов была изготовлена камера с мишенным
узлом. Схема мишенного узла приведена на рис. 3.
Температура образца при облучении измерялась
хромель-алюмелевой термопарой, прикрепленной к
образцу с противоположной стороны по отношению
к падающему пучку (см. рис. 3). Сигнал с термопа-
ры усиливался дифференциальным усилителем.
Градуировка проводилась с учетом длины (~ 30 м)
измерительных проводов.
Контроль тока пучка на входе и выходе ускори-
теля производится пролетными индукционными
датчиками. В ходе работы измеряются токи инжек-
тируемого пучка ионов гелия с энергией 120 кэВ и
ускоренного пучка с энергией 4 МэВ. Ток пучка
ионов гелия измерялся пролетным датчиком, уста-
новленным перед образцом на расстоянии ~ 30 см.
Перед каждым облучением проводили градуировку
датчика с помощью цилиндра Фарадея. Средний
диаметр падающего на образец пучка ионов состав-
лял ~ 36…37 мм, а площадь облучаемого образца –
около 10 см2. На ускорителе были проведены облу-
чения 10 образцов. Материалы и параметры облуче-
ния представлены в табл. 3.
Рис. 3. Схема мишенного узла:
1 – образец; 2 – нагреватель; 3 – токовводы;
4 – фланец
Таблица 3
Материалы и параметры облучения
Номер
образца Образец
Толщина
образца,
мкм
Энергия
ионов Не+, МэВ
Средняя температура
облучения, °C
Полная доза
облучения
1 Х18Н10Т 200 72 7,5·1015
2 Сталь-3 100 78 1,5·1016
3 Zr+2.5%Nb 250 70 2,3·1016
4 Zr 300
4
58 5·1016
5 2,42 5·1016
6 (4+0,12) 5·1016+5·1016
7 0,12 5·1016
8
Zr+1%Nb 250
0,12
40-80
5·1017
9 Nb 16
10 Nb+1%Zr 22 4 40 5·1016
2.3. МЕТОДИКА ИЗМЕРЕНИЯ
В ходе облучения проводились измерения тем-
пературы образца, тока пучка и дозы облучения.
Для этого использовался аналого-цифровой преоб-
разователь ZET 210 «Sigma USB», подключенный к
персональному компьютеру. Создан программно-
аппаратный комплекс, позволяющий проводить не-
обходимые измерения с последующим сохранением
данных в цифровом виде. Схемы устройств для из-
мерений температуры облучения, тока пучка и дозы
приведены на рис. 4.
Температура образца измеряется при помощи
хромель-алюмелевой термопары с частотой 1 Гц,
что позволяет наиболее точно определять ее изме-
нение в процессе облучения. Термопара подключена
на вход АЦП, который передает оцифрованное зна-
чение термоЭДС на вольтметр постоянного напря-
жения. После вольтметра измеренное значение вы-
водится на экран в виде графика (при помощи ком-
понента XYZ-плоттер), а также на цифровой инди-
катор (текущее на данный момент) и через преобра-
зователь сохраняется в виде файла на жестком диске
компьютера для последующей работы с ним.
Рис. 4. Схема измерения температуры образца,
тока пучка и дозы облучения: 1 – входной канал;
2 – вольтметр; 3 – кнопка включения;
4 – интегратор (используется только
при измерении дозы облучения); 5 – конвертер;
6 – сложение строк; 7 – запись в файл; 8 – ЖКИ;
9 – массив; 10 – XYZ-плоттер
Измерение интенсивности пучка (тока) происхо-
дит по следующей схеме. После оцифровки в АЦП
цифровое значение подается на вольтметр перемен-
ного напряжения, который настроен на измерение
126 ISSN 1562-6016. ВАНТ. 2012. №5(81)
пикового значения напряжения. Это значение выво-
дится на экран в виде графика (при помощи компо-
нента XYZ-плоттер) и на цифровой индикатор (те-
кущее на данный момент). Измеренные данные со-
храняются в виде файла на жестком диске компью-
тера. Измерения проводятся с частотой 10 Гц, что
позволяет наиболее точно определить пиковое зна-
чение тока пучка.
Измерение дозы облучения образца проводится
по схеме, аналогичной схеме измерения пикового
значения тока, только после вольтметра установлен
интегратор. Это позволяет регистрировать дозу об-
лучения непосредственно при проведении экспери-
ментальных работ на ускорителе.
На рис. 5 приведен внешний вид измерителя тока
пучка на экране компьютера, такой же вид имеют
температурный и дозовый приборы.
Рис. 5. Внешний вид прибора для измерения
тока пучка
2.4. МЕТОДИЧЕСКИЕ ЭКСПЕРИМЕНТЫ
В процессе облучения отрабатывались режимы
работы ускорителя и системы регистрации парамет-
ров. Исследовано влияние выключения и включения
ВЧ-питания ускоряющей структуры на изменение
температуры образца. Из графика (рис. 6) следует,
что чувствительность находится в пределах 0,5 °С.
Температура на образце стабилизируется после
60…90 мин работы ускорителя.
0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50
69
70
71
72
73
74
75
76
t, мин
T,
0 C
Вкл
Выкл
Рис. 6. Зависимость температуры
образца Х18Н10Т от времени облучения
Измерения тока пучка (рис. 7) показали, что ток
ускоренных ионов до 4 МэВ в 4-6 раз меньше ин-
жектируемого. Стабильность тока пучка после вы-
хода ускорителя на оптимальный режим составляет
± 5 % и определяется стабильностью питающих сис-
тем.
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
ТОК УСКОРЕННОГО ПУЧКА
I,
мк
А
t, мин
ФОЛЬГА
ТОК ИНЖЕКЦИИ
ТОК УСКОРЕННОГО ПУЧКА
Рис. 7. Зависимость пикового тока пучка
от времени облучения
Доза облучения регистрируется с помощью про-
летного датчика тока и программного интегратора,
зависимость дозы облучения образца от времени
показана на рис. 8. Проведенные расчеты подтвер-
дили правильность регистрации дозы.
0 100 200 300 400 500 600
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
N
, ч
ас
ти
ц
∗1
015
t, мин
Рис. 8. Зависимость дозы облучения образца
циркония от времени
Большое внимание в ходе проведения методиче-
ских экспериментов было уделено вопросу опреде-
ления энергии ионов гелия, падающих на образец.
Для проверки энергии ионов перед пролетным дат-
чиком была установлена алюминиевая фольга тол-
щиной 10 мкм. Измерения тока пучка без фольги и с
фольгой показали практически одинаковые значе-
ния (см. рис. 7). Поскольку только ионы гелия с
энергией 4 МэВ, имеющие пробег >16 мкм, могут
беспрепятственно преодолеть алюминиевый заслон,
можно утверждать, что ионы гелия, именно, с энер-
гией 4 МэВ попадают на образец.
На рис. 9 показаны зависимости температуры
образца (верхняя кривая) и тока пучка (нижняя кри-
вая) от времени при выключении и включении ВЧ-
питания ускорителя. Энергия инжекции в этом слу-
чае составляет 120 кэВ, а энергия ускоренных ионов
гелия – 4 МэВ. Инжектируемый ток в 4 раза больше,
чем ток ускоренных ионов, а температура образца
при инжектируемом токе меньше, чем при ускорен-
ном. Таким образом, рост температуры образца обу-
словлен только высокоэнергетической (4 МэВ) ком-
понентой пучка. Данный вывод полностью совпада-
ет с проведенными расчетами и зависимостями, по-
казанными на рис. 7, 9.
ISSN 1562-6016. ВАНТ. 2012. №5(81) 127
Рис. 9. Зависимость температуры образца
и тока пучка от времени при инжектируемом
и ускоренном токе пучка
Из проведенных методических экспериментов
следует: для стабилизации и увеличения тока пучка
ионов необходимо осуществлять регистрацию ВЧ-
поля ускоряющей структуры для его корректировки
при облучении образцов, а также измерять распре-
деление выходного тока пучка с целью обеспечения
его равномерности по площади образца; для созда-
ния более высокого вакуума необходимо осуществ-
лять дополнительно вакуумную откачку в месте
расположения образца.
3. РЕЗУЛЬТАТЫ
Для облучаемых образцов с помощью програм-
мы SRIM были проведены расчеты распределений
залегания гелия по толщине. На рис. 10 приведены
эти зависимости для Zr+1%Nb. Полные дозы при
энергиях ионов гелия 120 кэВ и 4 МэВ одинаковы
( 165 10⋅ ионов). На образцах №1-8 (см. табл. 3) были
проведены измерения термодесорбции гелия.
Электрофизические свойства были измерены на
образцах Nb и Nb+1%Zr (см. табл. 3). Ионы гелия с
энергией 4 МэВ проникают в эти металлы на глуби-
ну соответственно 7,2 и 7,4 мкм, на которую и при-
ходится основной пик распределения внедренных
атомов гелия.
0.0 0.5 1.0 8.5 9.0 9.5 10.0 10.5 11.0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
Ф = 5•1015 см -2
Е = 4 МэВК
он
це
нт
ра
ци
я,
о
тн
. е
д.
L , мкм
Ф = 5•1015 см -2
Е = 120 кэВ
Рис. 10. Расчетный профиль распределения ионов
гелия, имплантированных в Zr+1%Nb, с энергией
120 кэВ (левый график) и 4 МэВ (правый график),
доза – 5·1015 1/см2
3.1. ТЕРМОДЕСОРБЦИЯ ГЕЛИЯ
Поведение гелия в исследуемых материалах по-
сле облучения их ионами гелия с энергией
0,12…4 МэВ изучали при помощи методики термо-
стимулированной десорбции (ТД). Суть методики
состоит в измерении парциального давления гелия,
выделяющегося из исследуемого образца, в процес-
се постимплантационного линейного повышения
его температуры. В экспериментах использовалась
методика термодесорбции в динамическом режиме,
при котором давление газа в камере пропорцио-
нально скорости его десорбции из металла. Образцы
исследовались в температурном интервале
0…1500 °С, скорость их нагрева составляла
5…8 °С/с.
Исследования ТД выполнены на установке
«Ант» [10] с безмасляной системой откачки, обес-
печивающей давление остаточных газов в камере
мишени на уровне (2…3)·10-5 Па. Анализ состава
газовой среды в экспериментальной камере уста-
новки осуществлялся монопольным масс-
спектрометром.
На рис. 11-13 приведены спектры термодесорб-
ции гелия из стали Х18Н10Т и сплава Zr+1%Nb при
различных параметрах облучения образцов.
0 200 400 600 800 1000 1200
1.2
1.3
1.4
1.5
1.6
1.7
1.8
1.9
Х18Н10Т
Ф = 7.5•1014 см-2
Е = 4 МэВ
С
ко
ро
ст
ь
ди
сс
ор
бц
ии
, о
тн
. е
д.
Т, 0С
Рис. 11. Спектр термодесорбции гелия из образца
стали Х18Н10Т, облученного ионами He+ с энергией
4 МэВ. Скорость нагрева образцов – 5,5 °С/с
Для сплава Zr+1%Nb при указанных дозах им-
плантации и независимо от энергии облучения тем-
пературный интервал отсутствия десорбции имеет
несколько меньшую величину. Заметное газовыде-
ление начинается при Т ≈ 500 °С и продолжается до
Т ≈ 1500 °С. В этой области температур спектр ТД
характеризуется суперпозицией нескольких пиков
десорбции. Сложность структуры спектра возраста-
ет при увеличении дозы облучения (см. рис. 12, 13).
Максимальное газовыделение наблюдается в пике с
температурой максимума вблизи Т ≈ 1280 0С. При-
чем, необходимо отметить, что эта стадия десорб-
ции наблюдается как в спектрах образцов, облучен-
ных до дозы Ф = 5·1015 см-2, так и образцов, облу-
ченных до дозы в 10 раз большей.
На рис. 13 показан спектр ТД из образцов из
сплава Zr+1%Nb, облученных ионами гелия с энер-
гией 2,42 МэВ до дозы Ф = 5·1015 см-2, а также
спектр образцов, последовательно облученных ио-
нами гелия с энергией 0,12 и 4 МэВ до одной и той
же дозы Ф = 5·1015 см-2. От спектров, показанных на
рис. 12, первый спектр отличается возросшей долей
атомов газа, выделяющегося в наиболее высокотем-
пературном пике.
128 ISSN 1562-6016. ВАНТ. 2012. №5(81)
0 250 500 750 1000 1250
5.0
5.5
6.0
6.5
7.0
7.5
С
ко
ро
ст
ь
де
со
рб
ци
и,
о
тн
. е
д.
Т, 0С
Zr+1%Nb
E = 12 кэВ
Ф = 5•1015 см-2
0 200 400 600 800 1000 1200 1400
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6 Zr+1%Nb,
Ф = 5•1015 см-2
E=120 keV
С
ко
ро
ст
ь
де
со
рб
ци
и,
о
тн
.е
д.
Т, 0С
0 200 400 600 800 1000 1200 1400
0
6
5
4
3
2
1
He+Zr1%Nb,
Ф = 5•1016 см-2
E=120 keV
Т, 0С
0
С
ко
ро
ст
ь
де
со
рб
ци
и,
о
тн
.е
д.
Рис. 12. Спектры термодесорбции гелия из сплава
Zr+1%Nb, облученного ионами He+ с энергией
12 и 120 кэВ. Скорость нагрева образцов:
5 °С/с – 12 кэВ, 7,8 °С/с – 120 кэВ,
дозы приведены на графиках
Изучение газовыделения гелия из образцов по-
сле их последовательного облучения показало, что
структура спектров в этом случае менее сложная по
сравнению со спектрами, полученными при облуче-
нии этого сплава ионами Не+ с энергией 120 кэВ и
2,42 МэВ. Заметная десорбция начинается с
Т ≈ 600 0С, в спектре преобладает пик газовыделе-
ния с максимумом при Т ≈ 1200 °С.
При облучении образцов из сплава Zr+1%Nb по-
следовательно ионами гелия с энергией 0,12 и
4 МэВ до одной и той же дозы Ф = 5·1015 см-2 спектр
термодесорбции изменяется незначительно. Как
видно из рис. 13, структура спектра в этом случае
менее сложная по сравнению со спектрами, полу-
ченными при облучении этого сплава ионами Не+ с
энергией 120 кэВ и 2,42 МэВ. Для прояснения влия-
ния глубины залегания имплантированных частиц и
созданных ими радиационных повреждений мате-
риала на механизмы выхода гелия, а соответствен-
но, структуры спектра ТД из объёма образцов необ-
ходимы дополнительные эксперименты.
0 200 400 600 800 1000 1200 1400
2.4
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
Zr+1%Nb
E = 2,42 МэВ
Ф = 5•1015 см-2
С
ко
ро
ст
ь
де
со
рб
ци
и,
о
тн
. е
д.
Т, 0С
а
0 200 400 600 800 1000 1200 1400
1.9
2.0
2.1
2.2
2.3
2.4
2.5
2.6
2.7
2.8
2.9
Zr+1%Nb
E = 12 кэВ
Ф = 5•1015 см-2
С
ко
ро
ст
ь
де
со
рб
ци
и,
о
тн
. е
д.
Т, 0С
Zr+1%Nb
Ф = (5•1015+5•1015) см-2
Е = (4 + 0,12) МеВ
б
Рис. 13. Спектр термодесорбции гелия из образца
сплава Zr+1%Nb, облученного ионами He+ с энергией:
а – 2,42 МэВ; б – 4 МэВ+120 кэВ (верхняя кривая)
и 120 кэВ (нижняя кривая).
Скорость нагрева образцов: 5,6 °С/с – 2,42 МэВ;
8 °С/с – 4 +0,12 МэВ; 5 °С/с – 12 кэВ
Наблюдаемое отсутствие (или крайне малая ин-
тенсивность) выхода гелия из стали и сплава цирко-
ния и ниобия при температурах ниже
Т ≈ 500…650 °С свидетельствует о том, что содер-
жание атомов гелия в материалах при нагреве в этой
области температур не изменяется. В этом интерва-
ле, очевидно, идут сложные диффузионные процес-
сы трансформации как гелиевой подсистемы, так и
дефектной структуры кристаллической решетки,
которые приводят к многостадийным процессам
выхода гелия из имплантированного объёма при
более высоких температурах.
Наличие в спектрах ТД нескольких пиков указы-
вает на существование нескольких дискретных ста-
дий выделения гелия, отличающихся термодинами-
ческими характеристиками и механизмами выхода
гелия из металла. При облучении атомы гелия взаи-
модействуют с дефектами кристаллической решет-
ки, являющимися ловушками для гелия. При этом
происходит: захват гелия одиночными вакансиями,
дивакансиями, а также скоплениями вакансий (яв-
ляющимися сильными ловушками для атомов Не);
захват гелия дислокациями и границами зерен,
межфазными границами; образование гелиевых и
гелий-вакансионных кластеров [3].
ISSN 1562-6016. ВАНТ. 2012. №5(81) 129
На рис. 13,б пунктирной линией показан спектр
ТД гелия из сплава Zr+1%Nb, имплантированного в
виде непрерывного пучка ионов с энергией 12 кэВ
до дозы Ф = 5·1015см-2. Из сравнения спектров вид-
но, что, несмотря на значительные расхождения в
глубине залегания внедренных атомов газа, выход
гелия в высокотемпературной области происходит в
пиках с близкими температурами. Это позволяет
сделать заключение о том, что в их основе лежит
один и тот же механизм. В спектре образцов, им-
плантированных ионами с низкой энергией, наблю-
дается низкотемпературная стадия десорбции гелия.
Вероятно, она связана с выходом гелия из гелий-
вакансионных комплексов, образовавшихся в при-
поверхностной области образца, концентрация ко-
торых значительно выше по сравнению с высоко-
энергетичным облучением.
Экспериментальный факт близости спектров ТД
гелия из сплава циркония и ниобия в высокотемпе-
ратурной области при различных способах насыще-
ния образцов ионами, по-видимому, имеет важное
значение при рассмотрении вопроса об адекватно-
сти (соответствии) методики импульсной импланта-
ции материалов и методики их непрерывного облу-
чения (см., например, [11]).
Определение природы ТД гелия из исследован-
ных конструкционных материалов при условиях
облучения, изложенных в настоящем сообщении,
связи стадий выхода атомов инертного газа с мигра-
цией отдельных атомов, их комплексов с радиаци-
онными дефектами структуры или газовых микро-
пузырьков к поверхности требует дальнейших ис-
следований.
3.2. ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА
Было проведено облучение ионами Не+ с энерги-
ей 4 МэВ, флюенсом 5⋅1015 ионов/см2, при темпера-
туре 40 °С образцов, изготовленных из тонких фольг
чистого Nb и сплава Nb+1% ат. Zr (см. табл. 3, №9,
10). Толщина образцов равнялись 16 и 22 мкм соот-
ветственно. Образцы подвергались облучению од-
новременно в ходе одного сеанса и их флюенсы бы-
ли одинаковы.
Было измерено усредненное удельное электро-
сопротивление ρ образцов до и после облучения при
комнатной и азотной (-196 °С) температурах с при-
менением четырехзондовой измерительной схемы
на базе потенциометров Р363-1.
После облучения в Nb-образце электросопротив-
ление при комнатной температуре стало на 4,18 %
большим, чем до облучения, тогда как в образце из
Nb+1%Zr влияние облучения сказалось на порядок
меньше.
При азотной температуре, в связи с уменьшени-
ем рассеяния электронов на фононах, вклад вне-
дренных ионов гелия в сопротивление оказался не-
сколько большим и составил 5,47 %. Слабое влия-
ние внедренных атомов гелия на сопротивление об-
разца сплава Nb+1%Zr следует из того, что в нем
растворено достаточно большое количесто
(∼ 1 ат.%) примеси Zr, атомы которого в этом случае
выступают в качестве основных рассеивающих цен-
тров, так как имеют существенно большие размеры
по сравнению с малыми атомами гелия. Учитывая
неоднородность распределения внедренного гелия
по толщине образца, указанные значения сопротив-
ления в образцах характеризуют лишь усредненный
результат, тогда как в области основного накопле-
ния гелия в глубине образцов изменения электросо-
противления, видимо, могут иметь существенно
большее значение. Для продолжения исследований
электрофизических свойств предполагается разра-
ботка методики внедрения гелия равномерно по
толщине образца.
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
Для исследования конструкционных материалов
разработана методика облучения на линейном уско-
рителе ионов гелия с энергией до 4 МэВ. На облу-
ченных металлах получены предварительные ре-
зультаты по термодесорбции гелия и изменению
электрофизических свойств в широком интервале
температур.
БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК
1. В.Н. Воеводин, И.М. Неклюдов. Современ-
ный статус материалов ядерной энергетики – мик-
роструктурная эволюция и радиационная стойкость
// Труды XVIII ICPRT. Алушта, Крым, 8-13.09.2008.
с. 4-5.
2. В.В. Ружицкий, Г.Д. Толстолуцкая, И.Е. Ко-
панец, Б.С. Сунгуров. Влияние радиационных по-
вреждений на термодесорбцию гелия из ферритно-
мартенситной стали ЭП-450 // ВАНТ. Серия ФРП и
РМ. 2012, №2, с. 16-21.
3. И.М. Неклюдов, Г.Д. Толстолуцкая. Гелий и
водород в конструкционных материалах // ВАНТ.
Серия ФРП и РМ. 2003, №3, с. 3-14.
4. А.И. Ранюк, В.Ф. Рыбалко. Гелий в решетке
металлов: Обзор. М.: «ЦНИИатоминформ», 1986,
с. 64.
5. И.М. Неклюдов, В.Ф. Рыбалко, Г.Д. Толсто-
луцкая. Эволюция профилей распределения гелия и
водорода в материалах в процессе облучения и от-
жига: Обзор. М.: «ЦНИИатоминформ», 1985, c. 41.
6. В.А. Бомко, А.М. Егоров, Б.В. Зайцев,
А.Ф. Кобец, К.В. Павлий. Развитие комплекса
ЛУМЗИ для ядерно-физических исследований //
ВАНТ. Серия «Ядерно-физические исследования».
2008, №3(49), с. 100-104
7. В.А. Бомко, А.Ф. Кобец, С.С. Тишкин и др.
Вариант переменно-фазовой фокусировки с шаго-
вым изменением синхронной фазы // ВАНТ. Серия
«Ядерно-физические исследования». 2004, №2,
c. 153-155.
8. А.Т. Форрестер. Интенсивные ионные пучки.
М.: «Мир», 1992, с. 353.
9. H. Iwakiri, K. Yasunaga, K. Morishita, N. Yo-
shida. Microstructure evolution in tungsten during low-
energy helium ion irradiation // J. of Nucl. Mater. 2000,
v. 283-287, p. 1134-1138.
10. И.М. Неклюдов, В.Н. Воеводин, В.В. Ружиц-
кий и др. Сочетание метода ядерных реакций, тер-
модесорбционной спектрометрии и двухпучкового
облучения при исследовании поведения гелия и во-
дорода в конструкционных материалах // Труды XIV
130 ISSN 1562-6016. ВАНТ. 2012. №5(81)
Международного совещания «Радиационная физика
твёрдого тела», г. Севастополь, 5-10 июля 2004 г.,
с. 592-596.
11. H. Trinkaus, H. Ullmaier. Condition for effects
of of radiation pulsion // Journal of nuclear materials.
2002, v. 307-311, p. 1705-1709.
Статья поступила в редакцию 22.08.2012 г.
МЕТОДИКА ТА ЕКСПЕРИМЕНТАЛЬНІ ДАНІ ОПРОМІНЕННЯ КОНСТРУКЦІЙНИХ
МАТЕРІАЛІВ ІОНАМИ ГЕЛІЮ НА ЛІНІЙНОМУ ПРИСКОРЮВАЧІ
Р.О. Анохін, В.М. Воєводін, С.М. Дубнюк, О.М. Єгоров, Б.В. Зайцев, А.П. Кобец, О.П. Лєдєньов,
К.В. Павлій, В.В. Ружицький, Г.Д. Толстолуцька
Представлено опис установки і методика опромінення конструкційних матеріалів іонами гелію з енергі-
єю до 4 МеВ. Для опромінення матеріалів розроблена, виготовлена і запущена нова прискорювальна струк-
тура ПОС-4 зустрічно-штирьового IH типу, в якій використовується метод перемінно-фазового фокусування
з кроковою зміною синхронної фази уздовж фокусуючих періодів. Створен та досліджен інжектор однора-
зово заряджених іонів гелію, енергія іонів на виході прискорювальної трубки дорівнює 120 кеВ, з подаль-
шою інжекцією пучка в прискорювальну секцію ПОС-4. Для опромінення зразків виготовлена камера, в
процесі опромінення вимірюються температура зразка, струм пучка і доза. Установка і методика опромінен-
ня апробовані при дослідженні термодесорбції гелію і електрофізичних властивостей опромінених зразків.
METHODS AND EXPERIMENTAL RESULTS CONSTRUCTION MATERIALS
IRRADIATION OF HELIUM IONS AT THE LINEAR ACCELERATOR
R.А. Anokhin, V.N. Voyevodin, S.N. Dubnyuk, A.M. Yegorov, B.V. Zajtsev, А.F. Kobets, О.P. Ledenev,
К.V. Pavlii, V.V. Ruzhytskiy, G.D. Tolstolutskaya
Presented description of the plant and methods of construction materials irradiation by helium ions with energies
up to 4 MeV. For irradiation of materials developed, manufactured and launched a new accelerating interdigital H
type structure POS-4, in which to focus the beam uses the alternating phase focus with stepper synchronous phase
change along the focusing period. Created and studied injector singly charged helium ions, ion energy at the output
of the accelerating tube is 120 keV, with subsequent injection of the beam in the accelerating section of POS-4. To
irradiate the sample the camera was made, in the process of irradiation measured sample temperature, beam current
and dose. Setting and methodology of irradiation tested in the investigation of thermodesorption of helium and elec-
trical properties of the irradiated samples.
|
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-109019 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1562-6016 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T17:08:54Z |
| publishDate | 2012 |
| publisher | Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Анохин, Р.А. Воеводин, В.Н. Дубнюк, С.Н. Егоров, А.М. Зайцев, Б.В. Кобец, А.Ф. Леденёв, О.П. Павлий, К.В. Ружицкий, В.В. Толстолуцкая, Г.Д. 2016-11-18T20:56:11Z 2016-11-18T20:56:11Z 2012 Методика и экспериментальные данные облучения конструкционных материалов ионами гелия на линейном ускорителе / Р.А. Анохин, В.Н. Воеводин, С.Н. Дубнюк, А.М. Егоров, Б.В. Зайцев, А.Ф. Кобец, О.П. Леденёв, К.В. Павлий, В.В. Ружицкий, Г.Д. Толстолуцкая // Вопросы атомной науки и техники. — 2012. — № 5. — С. 123-130. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. 1562-6016 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/109019 620.187: 539.12.04 Представлено описание установки и методика облучения конструкционных материалов ионами гелия с энергией до 4 МэВ. Для облучения материалов разработана, изготовлена и запущена новая ускоряющая структура ПОС-4 встречно-штыревого IH-типа, в которой используется метод переменно-фазовой фокусировки с шаговым изменением синхронной фазы вдоль фокусирующих периодов. Создан и исследован инжектор однократно заряженных ионов гелия, энергия которых на выходе ускорительной трубки равна 120 кэВ, с последующей инжекцией пучка в ускорительную секцию ПОС-4. Для облучения образцов изготовлена камера, в процессе облучения измеряются температура образца, ток пучка и доза. Установка и методика облучения апробированы при исследовании термодесорбции гелия и электрофизических свойств облученных образцов. Представлено опис установки і методика опромінення конструкційних матеріалів іонами гелію з енергією до 4 МеВ. Для опромінення матеріалів розроблена, виготовлена і запущена нова прискорювальна структура ПОС-4 зустрічно-штирьового IH типу, в якій використовується метод перемінно-фазового фокусування з кроковою зміною синхронної фази уздовж фокусуючих періодів. Створен та досліджен інжектор одноразово заряджених іонів гелію, енергія іонів на виході прискорювальної трубки дорівнює 120 кеВ, з подальшою інжекцією пучка в прискорювальну секцію ПОС-4. Для опромінення зразків виготовлена камера, в процесі опромінення вимірюються температура зразка, струм пучка і доза. Установка і методика опромінення апробовані при дослідженні термодесорбції гелію і електрофізичних властивостей опромінених зразків. Presented description of the plant and methods of construction materials irradiation by helium ions with energies up to 4 MeV. For irradiation of materials developed, manufactured and launched a new accelerating interdigital H type structure POS-4, in which to focus the beam uses the alternating phase focus with stepper synchronous phase change along the focusing period. Created and studied injector singly charged helium ions, ion energy at the output of the accelerating tube is 120 keV, with subsequent injection of the beam in the accelerating section of POS-4. To irradiate the sample the camera was made, in the process of irradiation measured sample temperature, beam current and dose. Setting and methodology of irradiation tested in the investigation of thermodesorption of helium and electrical properties of the irradiated samples. ru Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України Вопросы атомной науки и техники Диагностика и методы исследований Методика и экспериментальные данные облучения конструкционных материалов ионами гелия на линейном ускорителе Методика та експериментальні дані опромінення конструкційних матеріалів іонами гелію на лінійному прискорювачі Methods and experimental results construction materials irradiation of helium ions at the linear accelerator Article published earlier |
| spellingShingle | Методика и экспериментальные данные облучения конструкционных материалов ионами гелия на линейном ускорителе Анохин, Р.А. Воеводин, В.Н. Дубнюк, С.Н. Егоров, А.М. Зайцев, Б.В. Кобец, А.Ф. Леденёв, О.П. Павлий, К.В. Ружицкий, В.В. Толстолуцкая, Г.Д. Диагностика и методы исследований |
| title | Методика и экспериментальные данные облучения конструкционных материалов ионами гелия на линейном ускорителе |
| title_alt | Методика та експериментальні дані опромінення конструкційних матеріалів іонами гелію на лінійному прискорювачі Methods and experimental results construction materials irradiation of helium ions at the linear accelerator |
| title_full | Методика и экспериментальные данные облучения конструкционных материалов ионами гелия на линейном ускорителе |
| title_fullStr | Методика и экспериментальные данные облучения конструкционных материалов ионами гелия на линейном ускорителе |
| title_full_unstemmed | Методика и экспериментальные данные облучения конструкционных материалов ионами гелия на линейном ускорителе |
| title_short | Методика и экспериментальные данные облучения конструкционных материалов ионами гелия на линейном ускорителе |
| title_sort | методика и экспериментальные данные облучения конструкционных материалов ионами гелия на линейном ускорителе |
| topic | Диагностика и методы исследований |
| topic_facet | Диагностика и методы исследований |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/109019 |
| work_keys_str_mv | AT anohinra metodikaiéksperimentalʹnyedannyeoblučeniâkonstrukcionnyhmaterialovionamigeliânalineinomuskoritele AT voevodinvn metodikaiéksperimentalʹnyedannyeoblučeniâkonstrukcionnyhmaterialovionamigeliânalineinomuskoritele AT dubnûksn metodikaiéksperimentalʹnyedannyeoblučeniâkonstrukcionnyhmaterialovionamigeliânalineinomuskoritele AT egorovam metodikaiéksperimentalʹnyedannyeoblučeniâkonstrukcionnyhmaterialovionamigeliânalineinomuskoritele AT zaicevbv metodikaiéksperimentalʹnyedannyeoblučeniâkonstrukcionnyhmaterialovionamigeliânalineinomuskoritele AT kobecaf metodikaiéksperimentalʹnyedannyeoblučeniâkonstrukcionnyhmaterialovionamigeliânalineinomuskoritele AT ledenevop metodikaiéksperimentalʹnyedannyeoblučeniâkonstrukcionnyhmaterialovionamigeliânalineinomuskoritele AT pavliikv metodikaiéksperimentalʹnyedannyeoblučeniâkonstrukcionnyhmaterialovionamigeliânalineinomuskoritele AT ružickiivv metodikaiéksperimentalʹnyedannyeoblučeniâkonstrukcionnyhmaterialovionamigeliânalineinomuskoritele AT tolstoluckaâgd metodikaiéksperimentalʹnyedannyeoblučeniâkonstrukcionnyhmaterialovionamigeliânalineinomuskoritele AT anohinra metodikataeksperimentalʹnídaníopromínennâkonstrukcíinihmateríalívíonamigelíûnalíníinomupriskorûvačí AT voevodinvn metodikataeksperimentalʹnídaníopromínennâkonstrukcíinihmateríalívíonamigelíûnalíníinomupriskorûvačí AT dubnûksn metodikataeksperimentalʹnídaníopromínennâkonstrukcíinihmateríalívíonamigelíûnalíníinomupriskorûvačí AT egorovam metodikataeksperimentalʹnídaníopromínennâkonstrukcíinihmateríalívíonamigelíûnalíníinomupriskorûvačí AT zaicevbv metodikataeksperimentalʹnídaníopromínennâkonstrukcíinihmateríalívíonamigelíûnalíníinomupriskorûvačí AT kobecaf metodikataeksperimentalʹnídaníopromínennâkonstrukcíinihmateríalívíonamigelíûnalíníinomupriskorûvačí AT ledenevop metodikataeksperimentalʹnídaníopromínennâkonstrukcíinihmateríalívíonamigelíûnalíníinomupriskorûvačí AT pavliikv metodikataeksperimentalʹnídaníopromínennâkonstrukcíinihmateríalívíonamigelíûnalíníinomupriskorûvačí AT ružickiivv metodikataeksperimentalʹnídaníopromínennâkonstrukcíinihmateríalívíonamigelíûnalíníinomupriskorûvačí AT tolstoluckaâgd metodikataeksperimentalʹnídaníopromínennâkonstrukcíinihmateríalívíonamigelíûnalíníinomupriskorûvačí AT anohinra methodsandexperimentalresultsconstructionmaterialsirradiationofheliumionsatthelinearaccelerator AT voevodinvn methodsandexperimentalresultsconstructionmaterialsirradiationofheliumionsatthelinearaccelerator AT dubnûksn methodsandexperimentalresultsconstructionmaterialsirradiationofheliumionsatthelinearaccelerator AT egorovam methodsandexperimentalresultsconstructionmaterialsirradiationofheliumionsatthelinearaccelerator AT zaicevbv methodsandexperimentalresultsconstructionmaterialsirradiationofheliumionsatthelinearaccelerator AT kobecaf methodsandexperimentalresultsconstructionmaterialsirradiationofheliumionsatthelinearaccelerator AT ledenevop methodsandexperimentalresultsconstructionmaterialsirradiationofheliumionsatthelinearaccelerator AT pavliikv methodsandexperimentalresultsconstructionmaterialsirradiationofheliumionsatthelinearaccelerator AT ružickiivv methodsandexperimentalresultsconstructionmaterialsirradiationofheliumionsatthelinearaccelerator AT tolstoluckaâgd methodsandexperimentalresultsconstructionmaterialsirradiationofheliumionsatthelinearaccelerator |