Neutron irradiation influence on the silicon voltage limiter parameters
The influence of neutron irradiation on breakdown voltage (Ubd) and limitation voltage (Ulim) is investigated in silicon voltage limiter. The coefficient Kρ is basic radiation parameter, forming dependences Ubd = f (F) and Ulim = f (F), which determines the dependence of basic charge carriers concen...
Збережено в:
| Дата: | 2012 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2012
|
| Назва видання: | Вопросы атомной науки и техники |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/109026 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Neutron irradiation influence on the silicon voltage limiter parameters / A.Z. Rakhmatov, M.Yu. Tashmetov, L.S. Sandler // Вопросы атомной науки и техники. — 2012. — № 5. — С. 81-87. — Бібліогр.: 17 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Резюме: | The influence of neutron irradiation on breakdown voltage (Ubd) and limitation voltage (Ulim) is investigated in silicon voltage limiter. The coefficient Kρ is basic radiation parameter, forming dependences Ubd = f (F) and Ulim = f (F), which determines the dependence of basic charge carriers concentration in silicon from neutron fluencies. The mechanisms, which form the Ulim value after neutron irradiation are determined. On basis of obtained results analysis is proposed the model, which makes it possible to forecast changes in the breakdown voltage and limitation voltage, which occur as a result the neutron irradiation of voltage limiter. |
|---|