Электронные уровни конфигураций дивакансий в кремнии
Исследованы высокоомные образцы p-Si (p₀₀ = 1,63·10¹¹ см⁻³) и n-Si (n₀ = 1,19·10¹⁴ см⁻³), выращенные методом бестигельной зонной плавки, после облучения быстрыми нейтронами реактора при 320 К и изотермического или изохронного отжига. Определены энергетические уровни дивакансии в трех зарядовых состо...
Saved in:
| Published in: | Вопросы атомной науки и техники |
|---|---|
| Date: | 2012 |
| Main Author: | |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2012
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/109030 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Электронные уровни конфигураций дивакансий в кремнии / А.П. Долголенко // Вопросы атомной науки и техники. — 2012. — № 5. — С. 13-20. — Бібліогр.: 20 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-109030 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Долголенко, А.П. 2016-11-18T21:18:35Z 2016-11-18T21:18:35Z 2012 Электронные уровни конфигураций дивакансий в кремнии / А.П. Долголенко // Вопросы атомной науки и техники. — 2012. — № 5. — С. 13-20. — Бібліогр.: 20 назв. — рос. 1562-6016 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/109030 621.315.592.3:546.28:539.12.04 Исследованы высокоомные образцы p-Si (p₀₀ = 1,63·10¹¹ см⁻³) и n-Si (n₀ = 1,19·10¹⁴ см⁻³), выращенные методом бестигельной зонной плавки, после облучения быстрыми нейтронами реактора при 320 К и изотермического или изохронного отжига. Определены энергетические уровни дивакансии в трех зарядовых состояниях в зависимости от конфигурации. Приведены новые значения энергетических уровней дивакансии и А-центра при их модификации фоновыми примесями. Обосновывается рост концентрации дырок в валентной зоне кремния в результате образования акцепторного уровня, принадлежащего гексавакансии. Досліджені високоомні зразки p-Si (p₀₀ = 1,63·10¹¹ см⁻³) і n-Si (n₀ = 1,19·10¹⁴ см⁻³), які вирощені методом безтигельної зонної плавки після опромінення швидкими нейтронами реактора при 320 К до і після ізотермічного та ізохронного відпалу. Визначено енергетичні рівні дивакансії в трьох зарядових станах в залежності від конфігурації. Приведено значення енергетичних рівнів дивакансії та А-центра після їхньої модифікації фоновими домішками. Обґрунтовується зростання концентрації дірок у валентній зоні кремнію за рахунок утворення дрібного акцепторного рівня, що належить гексавакансії. High-resistance samples p-Si (p₀₀ = 1,63·10¹¹ сm⁻³) and n-Si (n₀ = 1,19·10¹⁴ сm⁻³), grown by the floating zone melting after irradiation with fast neutron reactor at 320 K after isothermal and isochronal annealing were studied. The energy levels of a divacancy in three charge states, depending on its configuration are determined. The values of the energy levels of divacancies and A-center after their modification background impurities are resulted. It is motivated the increase in the concentration of holes in the valence band of silicon by the formation of shallow acceptor levels belonging to hexavakansii. ru Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України Вопросы атомной науки и техники Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах Электронные уровни конфигураций дивакансий в кремнии Електронні рівні конфігурацій дивакансій в кремнії Electronic configurations of the levels of divacancies in silicon Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Электронные уровни конфигураций дивакансий в кремнии |
| spellingShingle |
Электронные уровни конфигураций дивакансий в кремнии Долголенко, А.П. Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах |
| title_short |
Электронные уровни конфигураций дивакансий в кремнии |
| title_full |
Электронные уровни конфигураций дивакансий в кремнии |
| title_fullStr |
Электронные уровни конфигураций дивакансий в кремнии |
| title_full_unstemmed |
Электронные уровни конфигураций дивакансий в кремнии |
| title_sort |
электронные уровни конфигураций дивакансий в кремнии |
| author |
Долголенко, А.П. |
| author_facet |
Долголенко, А.П. |
| topic |
Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах |
| topic_facet |
Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах |
| publishDate |
2012 |
| language |
Russian |
| container_title |
Вопросы атомной науки и техники |
| publisher |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Електронні рівні конфігурацій дивакансій в кремнії Electronic configurations of the levels of divacancies in silicon |
| description |
Исследованы высокоомные образцы p-Si (p₀₀ = 1,63·10¹¹ см⁻³) и n-Si (n₀ = 1,19·10¹⁴ см⁻³), выращенные методом бестигельной зонной плавки, после облучения быстрыми нейтронами реактора при 320 К и изотермического или изохронного отжига. Определены энергетические уровни дивакансии в трех зарядовых состояниях в зависимости от конфигурации. Приведены новые значения энергетических уровней дивакансии и А-центра при их модификации фоновыми примесями. Обосновывается рост концентрации дырок в валентной зоне кремния в результате образования акцепторного уровня, принадлежащего гексавакансии.
Досліджені високоомні зразки p-Si (p₀₀ = 1,63·10¹¹ см⁻³) і n-Si (n₀ = 1,19·10¹⁴ см⁻³), які вирощені методом безтигельної зонної плавки після опромінення швидкими нейтронами реактора при 320 К до і після ізотермічного та ізохронного відпалу. Визначено енергетичні рівні дивакансії в трьох зарядових станах в залежності від конфігурації. Приведено значення енергетичних рівнів дивакансії та А-центра після їхньої модифікації фоновими домішками. Обґрунтовується зростання концентрації дірок у валентній зоні кремнію за рахунок утворення дрібного акцепторного рівня, що належить гексавакансії.
High-resistance samples p-Si (p₀₀ = 1,63·10¹¹ сm⁻³) and n-Si (n₀ = 1,19·10¹⁴ сm⁻³), grown by the floating zone melting after irradiation with fast neutron reactor at 320 K after isothermal and isochronal annealing were studied. The energy levels of a divacancy in three charge states, depending on its configuration are determined. The values of the energy levels of divacancies and A-center after their modification background impurities are resulted. It is motivated the increase in the concentration of holes in the valence band of silicon by the formation of shallow acceptor levels belonging to hexavakansii.
|
| issn |
1562-6016 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/109030 |
| citation_txt |
Электронные уровни конфигураций дивакансий в кремнии / А.П. Долголенко // Вопросы атомной науки и техники. — 2012. — № 5. — С. 13-20. — Бібліогр.: 20 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT dolgolenkoap élektronnyeurovnikonfiguraciidivakansiivkremnii AT dolgolenkoap elektronnírívníkonfíguracíidivakansíivkremníí AT dolgolenkoap electronicconfigurationsofthelevelsofdivacanciesinsilicon |
| first_indexed |
2025-12-07T18:10:00Z |
| last_indexed |
2025-12-07T18:10:00Z |
| _version_ |
1850874003688783872 |