Электронные уровни конфигураций дивакансий в кремнии
Исследованы высокоомные образцы p-Si (p₀₀ = 1,63·10¹¹ см⁻³) и n-Si (n₀ = 1,19·10¹⁴ см⁻³), выращенные методом бестигельной зонной плавки, после облучения быстрыми нейтронами реактора при 320 К и изотермического или изохронного отжига. Определены энергетические уровни дивакансии в трех зарядовых состо...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Вопросы атомной науки и техники |
|---|---|
| Datum: | 2012 |
| 1. Verfasser: | |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2012
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/109030 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Электронные уровни конфигураций дивакансий в кремнии / А.П. Долголенко // Вопросы атомной науки и техники. — 2012. — № 5. — С. 13-20. — Бібліогр.: 20 назв. — рос. |