Кинетика перераспределения ионно-имплантированного дейтерия в Zr В процессе постимплантационных отжигов

• Published in: Вопросы атомной науки и техники
• Date: 2012
• Main Authors: Ружицкий, В.В., Толстолуцкая, Г.Д., Копанец, И.Е., Никитин, А.В., Карпов, С.А.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2012
• Subjects: Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/109086
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Кинетика перераспределения ионно-имплантированного дейтерия в Zr В процессе постимплантационных отжигов / В.В. Ружицкий, Г.Д. Толстолуцкая, И.Е. Копанец, А.В. Никитин, С.А. Карпов // Вопросы атомной науки и техники. — 2012. — № 5. — С. 30-35. — Бібліогр.: 13 назв. — рос.

Приведены результаты исследования кинетики процессов, происходящих в системе «цирконий-водород» в интервале температур от начала ухода атомов газа из профиля внедрения до начала выхода атомов из кристаллической решетки металла. Результаты получены при помощи методик ионной имплантации, термодесорбционной спектрометрии и ядерно-физических методов. Изучены процессы газовыделения, эволюция профилей распределения ионно-имплантированного до доз 0,2...2·10²¹ D₂⁺· м⁻² дейтерия и его перераспределение в объеме поликристаллического циркония при постимплантационных отжигах в интервале температур Ткомн...1300 °С. Подано результати дослідження кінетики процесів, що відбуваються в системі «цирконій-водень» в інтервалі температур від початку виходу атомів газу з профілю впровадження до початку виходу атомів з кристалічної гратки металу. Результати отримано за допомогою методик іонної імплантації, термодесорбційної спектрометрії та ядерно-фізичних методів. Вивчено процеси газовиділення, еволюція профілів розподілу іонно-імплантованого до доз 0,2...2·10²¹ D₂⁺· м⁻² дейтерію та його перерозподіл в об’ємі полікристалічного цирконію при постімплантаційних відпалах в інтервалі температур Ткімн...1300 °С. The results of research of processes kinetics that occur in the system «zirconium-hydrogen» in the temperature range from gas atoms escape from the implantation profile to the start of atoms release from the crystalline lattice of metal are presented. Results are obtained by the methods of ion implantation, thermodesorbtion spectrometry (TD), nuclear-physical methods. The processes of gas release, evolution of depth profiles of ion-implanted to the doses 0,2...2·10²¹ D₂⁺· м⁻² deuterium and his redistribution in the volume of polycrystalline zirconium at the postimplantation annealing in the temperature range Тroom...1300 °С are studied.