Wakefield excitation in plasma by ramped sequence of ramped electron bunches

• Veröffentlicht in: Вопросы атомной науки и техники
• Datum: 2012
• Hauptverfasser: Maslov, V.I., Onishchenko, I.N., Yarovaya, I.P.
• Format: Artikel
• Sprache: Englisch
• Veröffentlicht: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2012
• Schlagworte: Плазменная электроника
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/109219
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Wakefield excitation in plasma by ramped sequence of ramped electron bunches / V.I. Maslov, I.N. Onishchenko, I.P. Yarovaya // Вопросы атомной науки и техники. — 2012. — № 6. — С. 161-163. — Бібліогр.: 4 назв. — англ.

It has been shown that wakefield in the regions, occupied by bunches-drivers, does not depend on a longitudinal coordinate for certain lengths of bunches, distance between bunches and the charge is ramped by linear law. For increase of number of accelerated electrons long sequence of electron bunches-drivers, charge of which is distributed according to linear law along each bunch, providing large transformation ratio and homogeneous wakefield, which enable to completely decelerate bunches-drivers, has been constructed. Показано, что кильватерное поле в областях локализации сгустков-драйверов не зависит от продольной координаты при определенных длинах сгустков и промежутках между ними, если заряд профилирован по линейному закону. Для увеличения числа ускоренных электронов построена длинная последовательность электронных сгустков-драйверов, заряд у которых распределен по линейному закону вдоль каждого сгустка, обеспечивающая большой коэффициент трансформации и однородное кильватерное поле, которое позволяет полностью затормозить сгустки-драйверы. Показано, що кільватерне поле в межах локалізації згустків-драйверів не залежить від поздовжньої координати при відповідних довжинах згустів та проміжках між ними, якщо заряд профільован відповідно лінійному закону. Для збільшення числа прискорених електронів побудована довга послідовність електронних згустів-драйверів, заряд в яких розподілений по лінійному закону вздовж кожного згустку, яка забезпечує значний коефіцієнт трансформації та однорідне кільватерне поле, яке дозволяє повністю загальмувати згустки-драйвери.