Пучково-плазменный разряд в слабом магнитном поле как источник плазмы для плазмохимического реактора

Представлен обзор свойств пучково-плазменного разряда, позволяющих использовать его в качестве плазменного реактора для низкоэнергетического травления поверхности полупроводниковых материалов. Проведены эксперименты по изучению функции распределения ионов на периферии пучково-плазменного разряда и н...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Вопросы атомной науки и техники
Дата:2008
Автори: Шустин, Е.Г., Исаев, Н.В., Темирязева, М.П., Тараканов, В.П., Федоров, Ю.В.
Формат: Стаття
Мова:Російська
Опубліковано: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2008
Теми:
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/110571
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Пучково-плазменный разряд в слабом магнитном поле как источник плазмы для плазмохимического реактора / Е.Г. Шустин, Н.В. Исаев, М.П. Темирязева, В.П. Тараканов, Ю.В. Федоров // Вопросы атомной науки и техники. — 2008. — № 4. — С. 169-173. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
_version_ 1862699821851213824
author Шустин, Е.Г.
Исаев, Н.В.
Темирязева, М.П.
Тараканов, В.П.
Федоров, Ю.В.
author_facet Шустин, Е.Г.
Исаев, Н.В.
Темирязева, М.П.
Тараканов, В.П.
Федоров, Ю.В.
citation_txt Пучково-плазменный разряд в слабом магнитном поле как источник плазмы для плазмохимического реактора / Е.Г. Шустин, Н.В. Исаев, М.П. Темирязева, В.П. Тараканов, Ю.В. Федоров // Вопросы атомной науки и техники. — 2008. — № 4. — С. 169-173. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.
collection DSpace DC
container_title Вопросы атомной науки и техники
description Представлен обзор свойств пучково-плазменного разряда, позволяющих использовать его в качестве плазменного реактора для низкоэнергетического травления поверхности полупроводниковых материалов. Проведены эксперименты по изучению функции распределения ионов на периферии пучково-плазменного разряда и на поверхности образца, подвергаемого травлению. На основе компьютерных и физических экспериментов разработаны способы и технические средства управления энергией и плотностью ионного потока. Определены основные технологические характеристики режимов травления гетероструктур на основе арсенида галлия. Обсуждаются проблемы построения теории пучково-плазменного разряда в замкнутой системе. Представлено огляд властивостей пучково-плазмового розряду, що дозволяють використовувати його в якості плазмового реактора для низькоенергетичного травлення поверхні напівпровідникових матеріалів. Проведено експерименти по вивченню функції розподілу іонів на периферії пучково-плазмового розряду і на поверхні зразка, що піддається травленню На основі комп'ютерних і фізичних експериментів розроблені способи і технічні засоби керування енергією і щільністю іонного потоку. Визначено основні технологічні характеристики режимів травлення гетероструктур на основі арсеніду галію. Обговорюються проблеми побудови теорії пучково-плазмового розряду в замкнутій системі. The review of properties of beam plasma discharge (BPD) permitting to use it as plasma processing reactor for low energy etching of a surface of semiconducting materials is submitted. The experiments on learning a distribution function of ions on periphery of BPD and on a surface of a sample subjected to etching have been carried out. On the basis of computer and physical experiments the means of control of energy and density of an ion flow have been designed. The main technical characteristics of modes of etching of heterostructures on the basis of gallium arsenide are determined. The problems of construction of the theory of BPD in a bounded system are considered.
first_indexed 2025-12-07T16:36:45Z
format Article
fulltext
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-110571
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
issn 1562-6016
language Russian
last_indexed 2025-12-07T16:36:45Z
publishDate 2008
publisher Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
record_format dspace
spelling Шустин, Е.Г.
Исаев, Н.В.
Темирязева, М.П.
Тараканов, В.П.
Федоров, Ю.В.
2017-01-04T19:50:23Z
2017-01-04T19:50:23Z
2008
Пучково-плазменный разряд в слабом магнитном поле как источник плазмы для плазмохимического реактора / Е.Г. Шустин, Н.В. Исаев, М.П. Темирязева, В.П. Тараканов, Ю.В. Федоров // Вопросы атомной науки и техники. — 2008. — № 4. — С. 169-173. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.
1562-6016
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/110571
533.933
Представлен обзор свойств пучково-плазменного разряда, позволяющих использовать его в качестве плазменного реактора для низкоэнергетического травления поверхности полупроводниковых материалов. Проведены эксперименты по изучению функции распределения ионов на периферии пучково-плазменного разряда и на поверхности образца, подвергаемого травлению. На основе компьютерных и физических экспериментов разработаны способы и технические средства управления энергией и плотностью ионного потока. Определены основные технологические характеристики режимов травления гетероструктур на основе арсенида галлия. Обсуждаются проблемы построения теории пучково-плазменного разряда в замкнутой системе.
Представлено огляд властивостей пучково-плазмового розряду, що дозволяють використовувати його в якості плазмового реактора для низькоенергетичного травлення поверхні напівпровідникових матеріалів. Проведено експерименти по вивченню функції розподілу іонів на периферії пучково-плазмового розряду і на поверхні зразка, що піддається травленню На основі комп'ютерних і фізичних експериментів розроблені способи і технічні засоби керування енергією і щільністю іонного потоку. Визначено основні технологічні характеристики режимів травлення гетероструктур на основі арсеніду галію. Обговорюються проблеми побудови теорії пучково-плазмового розряду в замкнутій системі.
The review of properties of beam plasma discharge (BPD) permitting to use it as plasma processing reactor for low energy etching of a surface of semiconducting materials is submitted. The experiments on learning a distribution function of ions on periphery of BPD and on a surface of a sample subjected to etching have been carried out. On the basis of computer and physical experiments the means of control of energy and density of an ion flow have been designed. The main technical characteristics of modes of etching of heterostructures on the basis of gallium arsenide are determined. The problems of construction of the theory of BPD in a bounded system are considered.
Работа выполнена при финансовой поддержке
 РФФИ (гранты №04-02-97257, 07-08-00014).
ru
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
Вопросы атомной науки и техники
Плазменно-пучковый разряд, газовый разряд и плазмохимия
Пучково-плазменный разряд в слабом магнитном поле как источник плазмы для плазмохимического реактора
Пучково-плазмовий розряд у слабкому магнітному полі як джерело плазми для плазмохімічного реактора
Beam plasma discharge at low magnetic field as a plasma source for a plasma processing reactor
Article
published earlier
spellingShingle Пучково-плазменный разряд в слабом магнитном поле как источник плазмы для плазмохимического реактора
Шустин, Е.Г.
Исаев, Н.В.
Темирязева, М.П.
Тараканов, В.П.
Федоров, Ю.В.
Плазменно-пучковый разряд, газовый разряд и плазмохимия
title Пучково-плазменный разряд в слабом магнитном поле как источник плазмы для плазмохимического реактора
title_alt Пучково-плазмовий розряд у слабкому магнітному полі як джерело плазми для плазмохімічного реактора
Beam plasma discharge at low magnetic field as a plasma source for a plasma processing reactor
title_full Пучково-плазменный разряд в слабом магнитном поле как источник плазмы для плазмохимического реактора
title_fullStr Пучково-плазменный разряд в слабом магнитном поле как источник плазмы для плазмохимического реактора
title_full_unstemmed Пучково-плазменный разряд в слабом магнитном поле как источник плазмы для плазмохимического реактора
title_short Пучково-плазменный разряд в слабом магнитном поле как источник плазмы для плазмохимического реактора
title_sort пучково-плазменный разряд в слабом магнитном поле как источник плазмы для плазмохимического реактора
topic Плазменно-пучковый разряд, газовый разряд и плазмохимия
topic_facet Плазменно-пучковый разряд, газовый разряд и плазмохимия
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/110571
work_keys_str_mv AT šustineg pučkovoplazmennyirazrâdvslabommagnitnompolekakistočnikplazmydlâplazmohimičeskogoreaktora
AT isaevnv pučkovoplazmennyirazrâdvslabommagnitnompolekakistočnikplazmydlâplazmohimičeskogoreaktora
AT temirâzevamp pučkovoplazmennyirazrâdvslabommagnitnompolekakistočnikplazmydlâplazmohimičeskogoreaktora
AT tarakanovvp pučkovoplazmennyirazrâdvslabommagnitnompolekakistočnikplazmydlâplazmohimičeskogoreaktora
AT fedorovûv pučkovoplazmennyirazrâdvslabommagnitnompolekakistočnikplazmydlâplazmohimičeskogoreaktora
AT šustineg pučkovoplazmoviirozrâduslabkomumagnítnomupolíâkdžereloplazmidlâplazmohímíčnogoreaktora
AT isaevnv pučkovoplazmoviirozrâduslabkomumagnítnomupolíâkdžereloplazmidlâplazmohímíčnogoreaktora
AT temirâzevamp pučkovoplazmoviirozrâduslabkomumagnítnomupolíâkdžereloplazmidlâplazmohímíčnogoreaktora
AT tarakanovvp pučkovoplazmoviirozrâduslabkomumagnítnomupolíâkdžereloplazmidlâplazmohímíčnogoreaktora
AT fedorovûv pučkovoplazmoviirozrâduslabkomumagnítnomupolíâkdžereloplazmidlâplazmohímíčnogoreaktora
AT šustineg beamplasmadischargeatlowmagneticfieldasaplasmasourceforaplasmaprocessingreactor
AT isaevnv beamplasmadischargeatlowmagneticfieldasaplasmasourceforaplasmaprocessingreactor
AT temirâzevamp beamplasmadischargeatlowmagneticfieldasaplasmasourceforaplasmaprocessingreactor
AT tarakanovvp beamplasmadischargeatlowmagneticfieldasaplasmasourceforaplasmaprocessingreactor
AT fedorovûv beamplasmadischargeatlowmagneticfieldasaplasmasourceforaplasmaprocessingreactor