Пучково-плазменный разряд в слабом магнитном поле как источник плазмы для плазмохимического реактора - Шустин, Е.Г.; Исаев, Н.В.; Темирязева, М.П.; Тараканов, В.П.; Федоров, Ю.В. (Вопросы атомной науки и техники, 2008)
Представлен обзор свойств пучково-плазменного разряда, позволяющих использовать его в качестве плазменного реактора для низкоэнергетического травления поверхности полупроводниковых материалов. Проведены эксперименты по изучению функции распределения ионов на периферии пучково-плазменного разряда и на поверхности образца, подвергаемого травлению. На основе компьютерных и физических экспериментов разработаны способы и технические средства управления энергией и плотностью ионного потока. Определены основные технологические характеристики режимов травления гетероструктур на основе арсенида галлия. Обсуждаются проблемы построения теории пучково-плазменного разряда в замкнутой системе. Представлено огляд властивостей пучково-плазмового розряду, що дозволяють використовувати його в якості плазмового реактора для низькоенергетичного травлення поверхні напівпровідникових матеріалів. Проведено експерименти по вивченню функції розподілу іонів на периферії пучково-плазмового розряду і на поверхні зразка, що піддається травленню На основі комп'ютерних і фізичних експериментів розроблені способи і технічні засоби керування енергією і щільністю іонного потоку. Визначено основні технологічні характеристики режимів травлення гетероструктур на основі арсеніду галію. Обговорюються проблеми побудови теорії пучково-плазмового розряду в замкнутій системі. The review of properties of beam plasma discharge (BPD) permitting to use it as plasma processing reactor for low energy etching of a surface of semiconducting materials is submitted. The experiments on learning a distribution function of ions on periphery of BPD and on a surface of a sample subjected to etching have been carried out. On the basis of computer and physical experiments the means of control of energy and density of an ion flow have been designed. The main technical characteristics of modes of etching of heterostructures on the basis of gallium arsenide are determined. The problems of construction of the theory of BPD in a bounded system are considered.