Deposition of refractory metal films with planar plasma ECR source
The condition of the deposition of refractory metal and alloy films such as W, Mo, Ti, Ta, Cr, Ni, Fe₈₀B₂₀ with using ECR plasma source at the different magnitudes of bias voltage on targets and substrates were investigated. It was revealed that the maximal rate of the films growth amounted to 0,052...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Вопросы атомной науки и техники |
|---|---|
| Datum: | 2007 |
| Hauptverfasser: | , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Englisch |
| Veröffentlicht: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2007
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/110576 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Deposition of refractory metal films with planar plasma ECR source/ V.D. Fedorchenko, V.V. Chebotarev, A.V. Medvedev, V.I. Tereshin // Вопросы атомной науки и техники. — 2007. — № 1. — С. 164-166. — Бібліогр.: 7 назв. — англ. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862701884586852352 |
|---|---|
| author | Fedorchenko, V.D. Chebotarev, V.V. Medvedev, A.V. Tereshin, V.I. |
| author_facet | Fedorchenko, V.D. Chebotarev, V.V. Medvedev, A.V. Tereshin, V.I. |
| citation_txt | Deposition of refractory metal films with planar plasma ECR source/ V.D. Fedorchenko, V.V. Chebotarev, A.V. Medvedev, V.I. Tereshin // Вопросы атомной науки и техники. — 2007. — № 1. — С. 164-166. — Бібліогр.: 7 назв. — англ. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Вопросы атомной науки и техники |
| description | The condition of the deposition of refractory metal and alloy films such as W, Mo, Ti, Ta, Cr, Ni, Fe₈₀B₂₀ with using ECR plasma source at the different magnitudes of bias voltage on targets and substrates were investigated. It was revealed that the maximal rate of the films growth amounted to 0,052 µm/min for Cr. The thicknesses of the films were obtained of 16-20 µm in the current experiments.
Досліджено умови нанесення покритій тугоплавких металів, таких як W, Mo, Ti, Ta, Cr, Ni, а також сплава Fe₈₀B₂₀ з використанням ЕЦР плазмового джерела при різних величинах напруги на мішені та підкладці. Показано, що максимальна швидкість росту товщини покриття складала 0,052 мкм/хв для Cr. В даних експериментах були отримані покриття товщиною порядку 16 - 20 мкм.
Исследованы условия нанесения покрытий тугоплавких материалов, таких как W, Mo, Ti, Ta, Cr, Ni, а также сплава Fe₈₀B₂₀ с использованием ЭЦР плазменного источника при различных величинах смещения напряжения на мишени и подложке. Показано, что максимальная скорость роста толщины покрытия составляла 0,052 мкм/мин для Cr. В данных экспериментах были получены покрытия толщиной порядка 16 - 20 мкм.
|
| first_indexed | 2025-12-07T16:43:03Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-110576 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1562-6016 |
| language | English |
| last_indexed | 2025-12-07T16:43:03Z |
| publishDate | 2007 |
| publisher | Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Fedorchenko, V.D. Chebotarev, V.V. Medvedev, A.V. Tereshin, V.I. 2017-01-04T20:00:46Z 2017-01-04T20:00:46Z 2007 Deposition of refractory metal films with planar plasma ECR source/ V.D. Fedorchenko, V.V. Chebotarev, A.V. Medvedev, V.I. Tereshin // Вопросы атомной науки и техники. — 2007. — № 1. — С. 164-166. — Бібліогр.: 7 назв. — англ. 1562-6016 PACS: 52.77.Dq https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/110576 The condition of the deposition of refractory metal and alloy films such as W, Mo, Ti, Ta, Cr, Ni, Fe₈₀B₂₀ with using ECR plasma source at the different magnitudes of bias voltage on targets and substrates were investigated. It was revealed that the maximal rate of the films growth amounted to 0,052 µm/min for Cr. The thicknesses of the films were obtained of 16-20 µm in the current experiments. Досліджено умови нанесення покритій тугоплавких металів, таких як W, Mo, Ti, Ta, Cr, Ni, а також сплава Fe₈₀B₂₀ з використанням ЕЦР плазмового джерела при різних величинах напруги на мішені та підкладці. Показано, що максимальна швидкість росту товщини покриття складала 0,052 мкм/хв для Cr. В даних експериментах були отримані покриття товщиною порядку 16 - 20 мкм. Исследованы условия нанесения покрытий тугоплавких материалов, таких как W, Mo, Ti, Ta, Cr, Ni, а также сплава Fe₈₀B₂₀ с использованием ЭЦР плазменного источника при различных величинах смещения напряжения на мишени и подложке. Показано, что максимальная скорость роста толщины покрытия составляла 0,052 мкм/мин для Cr. В данных экспериментах были получены покрытия толщиной порядка 16 - 20 мкм. en Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України Вопросы атомной науки и техники Low temperature plasma and plasma technologies Deposition of refractory metal films with planar plasma ECR source Нанесення покритій тугоплавких металів з використанням планарного ЕЦР плазмового джерела Нанесение покрытий тугоплавких металлов с использованием планарного ЭЦР плазменного источника Article published earlier |
| spellingShingle | Deposition of refractory metal films with planar plasma ECR source Fedorchenko, V.D. Chebotarev, V.V. Medvedev, A.V. Tereshin, V.I. Low temperature plasma and plasma technologies |
| title | Deposition of refractory metal films with planar plasma ECR source |
| title_alt | Нанесення покритій тугоплавких металів з використанням планарного ЕЦР плазмового джерела Нанесение покрытий тугоплавких металлов с использованием планарного ЭЦР плазменного источника |
| title_full | Deposition of refractory metal films with planar plasma ECR source |
| title_fullStr | Deposition of refractory metal films with planar plasma ECR source |
| title_full_unstemmed | Deposition of refractory metal films with planar plasma ECR source |
| title_short | Deposition of refractory metal films with planar plasma ECR source |
| title_sort | deposition of refractory metal films with planar plasma ecr source |
| topic | Low temperature plasma and plasma technologies |
| topic_facet | Low temperature plasma and plasma technologies |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/110576 |
| work_keys_str_mv | AT fedorchenkovd depositionofrefractorymetalfilmswithplanarplasmaecrsource AT chebotarevvv depositionofrefractorymetalfilmswithplanarplasmaecrsource AT medvedevav depositionofrefractorymetalfilmswithplanarplasmaecrsource AT tereshinvi depositionofrefractorymetalfilmswithplanarplasmaecrsource AT fedorchenkovd nanesennâpokritíitugoplavkihmetalívzvikoristannâmplanarnogoecrplazmovogodžerela AT chebotarevvv nanesennâpokritíitugoplavkihmetalívzvikoristannâmplanarnogoecrplazmovogodžerela AT medvedevav nanesennâpokritíitugoplavkihmetalívzvikoristannâmplanarnogoecrplazmovogodžerela AT tereshinvi nanesennâpokritíitugoplavkihmetalívzvikoristannâmplanarnogoecrplazmovogodžerela AT fedorchenkovd naneseniepokrytiitugoplavkihmetallovsispolʹzovaniemplanarnogoécrplazmennogoistočnika AT chebotarevvv naneseniepokrytiitugoplavkihmetallovsispolʹzovaniemplanarnogoécrplazmennogoistočnika AT medvedevav naneseniepokrytiitugoplavkihmetallovsispolʹzovaniemplanarnogoécrplazmennogoistočnika AT tereshinvi naneseniepokrytiitugoplavkihmetallovsispolʹzovaniemplanarnogoécrplazmennogoistočnika |