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Deposition of refractory metal films with planar plasma ECR source

The condition of the deposition of refractory metal and alloy films such as W, Mo, Ti, Ta, Cr, Ni, Fe₈₀B₂₀ with using ECR plasma source at the different magnitudes of bias voltage on targets and substrates were investigated. It was revealed that the maximal rate of the films growth amounted to 0,052...

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Veröffentlicht in:	Вопросы атомной науки и техники
Datum:	2007
Hauptverfasser:	Fedorchenko, V.D., Chebotarev, V.V., Medvedev, A.V., Tereshin, V.I.
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2007
Schlagworte:	Low temperature plasma and plasma technologies
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/110576
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Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Deposition of refractory metal films with planar plasma ECR source/ V.D. Fedorchenko, V.V. Chebotarev, A.V. Medvedev, V.I. Tereshin // Вопросы атомной науки и техники. — 2007. — № 1. — С. 164-166. — Бібліогр.: 7 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

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