Формирование напряжений сжатия в тонких пленках при ионном облучении

На основе модели нелокального термоупругого пика низкоэнергетического иона в веществе предложена модернизированная теория формирования напряжений сжатия в тонких пленках, осаждаемых при одновременном облучении потоком низкоэнергетических ионов. Выражение для величины напряжений сжатия в зависимости...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Вопросы атомной науки и техники
Дата:2007
Автори: Калиниченко, А.И., Перепелкин, С.С., Стрельницкий, В.Е.
Формат: Стаття
Мова:Російська
Опубліковано: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2007
Теми:
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/110637
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Формирование напряжений сжатия в тонких пленках при ионном облучении / А.И. Калиниченко, С.С. Перепелкин, В.Е. Стрельницкий // Вопросы атомной науки и техники. — 2007. — № 6. — С. 116-119. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
_version_ 1862608389637406720
author Калиниченко, А.И.
Перепелкин, С.С.
Стрельницкий, В.Е.
author_facet Калиниченко, А.И.
Перепелкин, С.С.
Стрельницкий, В.Е.
citation_txt Формирование напряжений сжатия в тонких пленках при ионном облучении / А.И. Калиниченко, С.С. Перепелкин, В.Е. Стрельницкий // Вопросы атомной науки и техники. — 2007. — № 6. — С. 116-119. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.
collection DSpace DC
container_title Вопросы атомной науки и техники
description На основе модели нелокального термоупругого пика низкоэнергетического иона в веществе предложена модернизированная теория формирования напряжений сжатия в тонких пленках, осаждаемых при одновременном облучении потоком низкоэнергетических ионов. Выражение для величины напряжений сжатия в зависимости от потока и энергии ионов сравнивается с экспериментальными данными, полученными при осаждении пленок тетраэдрического аморфного углерода и AlN. Предлагаемая модель дает правильное описание напряжений сжатия в осаждаемых пленках при ионном облучении и с физически обоснованным выбором величины энергии активации кинетического процесса, ответственного за релаксацию напряжений. На основі моделі нелокального термопружного піка низькоэнергетичного іона в речовині запропонована модернізована теорія формування напруг стиску в тонких плівках, що осаджуються при одночасному опроміненні потоком низькоэнергетичних іонів. Отриманий вираз для величини напруги стиску у залежності від потоку й енергії іонів порівнюється з експериментальними даними, отриманими при осадженні плівок тетраедричного аморфного вуглецю і AlN. Запропонована модель дає правильний опис напруг стиску в плівках, що осаджуються при іонному опроміненні і з фізично обґрунтованим вибором величини енергії активації кінетичного процесу, відповідального за релаксацію напруги. On basis of the non-local thermoelastic peak model of low-energy ion in material, an updated theory of compressed stress formation in thin films by the ion-assisted deposition is proposed. The stress value expression depending on flux and energy of the ion is compared with experimental data for films of tetrahedral amorphous carbon and AlN. The proposed model describes correctly the compressed stress in deposited films with justified choice of value of the activation energy of a kinetic process to be responsible for the stress relaxation.
first_indexed 2025-11-28T17:17:33Z
format Article
fulltext
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-110637
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
issn 1562-6016
language Russian
last_indexed 2025-11-28T17:17:33Z
publishDate 2007
publisher Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
record_format dspace
spelling Калиниченко, А.И.
Перепелкин, С.С.
Стрельницкий, В.Е.
2017-01-05T19:38:42Z
2017-01-05T19:38:42Z
2007
Формирование напряжений сжатия в тонких пленках при ионном облучении / А.И. Калиниченко, С.С. Перепелкин, В.Е. Стрельницкий // Вопросы атомной науки и техники. — 2007. — № 6. — С. 116-119. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.
1562-6016
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/110637
537.534.2:679.826
На основе модели нелокального термоупругого пика низкоэнергетического иона в веществе предложена модернизированная теория формирования напряжений сжатия в тонких пленках, осаждаемых при одновременном облучении потоком низкоэнергетических ионов. Выражение для величины напряжений сжатия в зависимости от потока и энергии ионов сравнивается с экспериментальными данными, полученными при осаждении пленок тетраэдрического аморфного углерода и AlN. Предлагаемая модель дает правильное описание напряжений сжатия в осаждаемых пленках при ионном облучении и с физически обоснованным выбором величины энергии активации кинетического процесса, ответственного за релаксацию напряжений.
На основі моделі нелокального термопружного піка низькоэнергетичного іона в речовині запропонована модернізована теорія формування напруг стиску в тонких плівках, що осаджуються при одночасному опроміненні потоком низькоэнергетичних іонів. Отриманий вираз для величини напруги стиску у залежності від потоку й енергії іонів порівнюється з експериментальними даними, отриманими при осадженні плівок тетраедричного аморфного вуглецю і AlN. Запропонована модель дає правильний опис напруг стиску в плівках, що осаджуються при іонному опроміненні і з фізично обґрунтованим вибором величини енергії активації кінетичного процесу, відповідального за релаксацію напруги.
On basis of the non-local thermoelastic peak model of low-energy ion in material, an updated theory of compressed stress formation in thin films by the ion-assisted deposition is proposed. The stress value expression depending on flux and energy of the ion is compared with experimental data for films of tetrahedral amorphous carbon and AlN. The proposed model describes correctly the compressed stress in deposited films with justified choice of value of the activation energy of a kinetic process to be responsible for the stress relaxation.
ru
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
Вопросы атомной науки и техники
Физика радиационных и ионно-плазменных технологий
Формирование напряжений сжатия в тонких пленках при ионном облучении
Формування напруг стиску в тонких плівках при іонному опроміненні
Compressed stress formation in thin films by ion bombardment
Article
published earlier
spellingShingle Формирование напряжений сжатия в тонких пленках при ионном облучении
Калиниченко, А.И.
Перепелкин, С.С.
Стрельницкий, В.Е.
Физика радиационных и ионно-плазменных технологий
title Формирование напряжений сжатия в тонких пленках при ионном облучении
title_alt Формування напруг стиску в тонких плівках при іонному опроміненні
Compressed stress formation in thin films by ion bombardment
title_full Формирование напряжений сжатия в тонких пленках при ионном облучении
title_fullStr Формирование напряжений сжатия в тонких пленках при ионном облучении
title_full_unstemmed Формирование напряжений сжатия в тонких пленках при ионном облучении
title_short Формирование напряжений сжатия в тонких пленках при ионном облучении
title_sort формирование напряжений сжатия в тонких пленках при ионном облучении
topic Физика радиационных и ионно-плазменных технологий
topic_facet Физика радиационных и ионно-плазменных технологий
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/110637
work_keys_str_mv AT kaliničenkoai formirovanienaprâženiisžatiâvtonkihplenkahpriionnomoblučenii
AT perepelkinss formirovanienaprâženiisžatiâvtonkihplenkahpriionnomoblučenii
AT strelʹnickiive formirovanienaprâženiisžatiâvtonkihplenkahpriionnomoblučenii
AT kaliničenkoai formuvannânaprugstiskuvtonkihplívkahpriíonnomuopromínenní
AT perepelkinss formuvannânaprugstiskuvtonkihplívkahpriíonnomuopromínenní
AT strelʹnickiive formuvannânaprugstiskuvtonkihplívkahpriíonnomuopromínenní
AT kaliničenkoai compressedstressformationinthinfilmsbyionbombardment
AT perepelkinss compressedstressformationinthinfilmsbyionbombardment
AT strelʹnickiive compressedstressformationinthinfilmsbyionbombardment